Модуль ram: Какая память совместима с моим настольным ПК, ноутбуком или сервером? — Средство поиска модулей памяти Kingston — Совместимая память DRAM

Содержание

Модули Памяти RAM | Farnell Россия

CT51264BF160B

3409970

Модуль RAM памяти, 4 ГБ, 1600 МГц, PC3-12800, DDR3 SO-DIMM, SODIMM для Ноутбука, Crucial DRAM

CRUCIAL MEMORY

Штука

4ГБ 1600МГц PC3-12800 DDR3 SO-DIMM SODIMM для Ноутбука Crucial DRAM
IN4V16GNELSX

3409977

Модуль RAM памяти, 16 ГБ, PC4-21333, DDR4 SO-DIMM, SODIMM для Ноутбука, Generic Laptop RAM

INTEGRAL

Штука

16ГБ PC4-21333 DDR4 SO-DIMM SODIMM для Ноутбука Generic Laptop RAM
MTA8ATF2G64HZ-3G2E2

3758019

Модуль RAM памяти, 16 ГБ, PC4-3200, DDR4 SO-DIMM, SODIMM для Ноутбука

MICRON

Штука

16ГБ PC4-3200 DDR4 SO-DIMM SODIMM для Ноутбука
MTA4ATF1G64HZ-3G2E2

3758018

Модуль RAM памяти, 8 ГБ, PC4-3200, DDR4 SO-DIMM, SODIMM для Ноутбука

MICRON

Штука

8ГБ PC4-3200 DDR4 SO-DIMM SODIMM для Ноутбука
MTA4ATF51264HZ-3G2J1

3775030

Модуль RAM памяти, 4 ГБ, 1.6 ГГц, PC4-3200, DDR4 SO-DIMM, SODIMM для Ноутбука

MICRON

Штука

4ГБ 1.6ГГц PC4-3200 DDR4 SO-DIMM SODIMM для Ноутбука
MTA18ASF4G72PZ-3G2E1

3758015

Модуль RAM памяти, 32 ГБ, PC4-3200, DDR4 RDIMM, Server RDIMM

MICRON

Штука

32ГБ PC4-3200 DDR4 RDIMM Server RDIMM
786777-01

3622925

RAM Memory Module, 8 GB, DDR4 SO-DIMM, Notebook SODIMM

NI

Штука

8ГБ DDR4 SO-DIMM SODIMM для Ноутбука
782911-4096

3622337

RAM Memory Module, 4 GB, 1.333 GHz, PC3-10600, DDR3 SO-DIMM, Notebook SODIMM, PXI(e)-8115 Controller

NI

Штука

4ГБ 1.333ГГц
PC3-10600
DDR3 SO-DIMM SODIMM для Ноутбука
MTA9ASF1G72PZ-3G2E2

3758017

Модуль RAM памяти, 8 ГБ, PC4-3200, DDR4 RDIMM, Server RDIMM

MICRON

Штука

8ГБ PC4-3200 DDR4 RDIMM Server RDIMM
TS1GLK64V6H

2365410

Модуль RAM памяти, 8 ГБ, 1600 МГц, PC3-12800, DDR3 DIMM, DIMM для Настольного ПК

TRANSCEND

Штука

8ГБ 1600МГц PC3-12800 DDR3 DIMM DIMM для Настольного ПК
TS256MLQ64V8U

2365400

Модуль RAM памяти, 2 ГБ, 800 МГц, PC2-6400, DDR2 DIMM, DIMM для Настольного ПК

TRANSCEND

Посмотреть дополнительные поставки Avnet

Штука

2ГБ 800МГц PC2-6400 DDR2 DIMM DIMM для Настольного ПК
787659-01

3623018

RAM Memory Module, 16 GB, DDR4 SO-DIMM, Notebook SODIMM, PXIe-8881 Controller

NI

Штука

16ГБ DDR4 SO-DIMM SODIMM для Ноутбука
MTA9ASF2G72PZ-3G2E1

3758016

Модуль RAM памяти, 16 ГБ, PC4-3200, DDR4 RDIMM, Server RDIMM

MICRON

Штука

16ГБ PC4-3200 DDR4 RDIMM Server RDIMM
781736-8192

3622079

RAM Memory Module, 8 GB, 1.333 GHz, PC3-10600, DDR3 SO-DIMM, Notebook SODIMM, PXI(e)-8115 Controller

NI

Штука

8ГБ 1.333ГГц PC3-10600 DDR3 SO-DIMM SODIMM для Ноутбука
786776-01

3622924

RAM Memory Module, 16 GB, DDR4 SO-DIMM, Notebook SODIMM

NI

Штука

16ГБ DDR4 SO-DIMM SODIMM для Ноутбука
780031-2048

3621627

RAM Memory Module, 2 GB, PC2-5300, DDR2 SO-DIMM, Notebook SODIMM, VXIpc-882 Controller

NI

Штука

2ГБ PC2-5300 DDR2 SO-DIMM SODIMM для Ноутбука
785347-01

3622772

RAM Memory Module, 2 GB, 1.6 GHz, PC3-12800, DDR3L SO-DIMM, Notebook SODIMM, PXIe-8821 Controller

NI

Штука

2ГБ 1.6ГГц PC3-12800 DDR3L SO-DIMM SODIMM для Ноутбука
6ES7648-2AJ60-1MA0

3485442

Модуль RAM памяти, SDRAM, 4 ГБ, DDR3 DIMM, DIMM для Настольного ПК, SIMATIC Series

SIEMENS

Штука

Отмена невозможна / Возврат невозможен
4ГБ DDR3 DIMM DIMM для Настольного ПК SIMATIC Series
6ES7648-2AL80-0QA0

3485459

Модуль RAM памяти, SDRAM, 16 ГБ, DDR4 SO-DIMM, DIMM для Настольного ПК, SIMATIC Series

SIEMENS

Штука

Отмена невозможна / Возврат невозможен
16ГБ DDR4 SO-DIMM DIMM для Настольного ПК SIMATIC Series
6ES7648-2AL70-0QA0

3485455

Модуль RAM памяти, SDRAM, 8 ГБ, DDR4 SO-DIMM, DIMM для Настольного ПК, SIMATIC Series

SIEMENS

Штука

Отмена невозможна / Возврат невозможен
8ГБ DDR4 SO-DIMM DIMM для Настольного ПК SIMATIC Series
6ES7648-2AH60-0KA1

3485433

Модуль RAM памяти, 4 ГБ, DDR3 SO-DIMM, SODIMM для Ноутбука, SIMATIC Series

SIEMENS

Штука

Отмена невозможна / Возврат невозможен
4ГБ DDR3 SO-DIMM SODIMM для Ноутбука SIMATIC Series
6ES7648-2AH60-1KA0

3485434

Модуль RAM памяти, 4 ГБ, DDR3 SO-DIMM, SODIMM для Ноутбука, SIMATIC Series

SIEMENS

Штука

Отмена невозможна / Возврат невозможен
4ГБ DDR3 SO-DIMM SODIMM для Ноутбука SIMATIC Series
782911-2048

3622336

RAM Memory Module, 2 GB, 1.333 GHz, PC3-10600, DDR3 SO-DIMM, Notebook SODIMM, PXI(e)-8820 Controller

NI

Штука

2ГБ 1.333ГГц PC3-10600 DDR3 SO-DIMM SODIMM для Ноутбука
6ES7648-2AK70-0PA0

3485448

Модуль RAM памяти, SDRAM, 8 ГБ, DDR4 SO-DIMM, SODIMM для Ноутбука, SIMATIC Series

SIEMENS

Штука

Отмена невозможна / Возврат невозможен
8ГБ DDR4 SO-DIMM SODIMM для Ноутбука SIMATIC Series
6ES7648-2AH70-0KA0

3485435

Модуль RAM памяти, 8 ГБ, DDR3 SO-DIMM, SODIMM для Ноутбука, SIMATIC Series

SIEMENS

Штука

Отмена невозможна / Возврат невозможен
8ГБ DDR3 SO-DIMM SODIMM для Ноутбука SIMATIC Series

Модули RAM и MicroRAM компании Vicor — Компоненты и технологии

Введение

В предыдущих статьях цикла мы рассказали о DC/DC-конвертерах Vicor первого [1] и второго [2] поколений, AC/DC-модулях для сопряжения DC/DC-конвертеров Vicor с входной сетью переменного тока [3], AC/DC-конвертерах с активной коррекцией коэффициента мощности [4], входных фильтрах-аттенюаторах FIAM для DC/DC-конвертеров Vicor второго поколения [5], DC/DC-конвертерах семейства IBC для построения распределенных систем электропитания [6] и DC/DC-конвертерах нового семейства Cool-Power [7].

В заключительной статье этого цикла речь пойдет о выходных модулях-аттенюаторах семейства RAM (рис. 1а), предназначенных для подавления пульсаций выходных напряжений DC/DC-конвертеров Vicor только первого поколения. Будут также рассмотрены выходные модули семейства MicroRAM (рис. 1б), совместимые с любыми DC/DC-конвертерами, выходное напряжение которых не выходит за пределы интервала от 3 до 30 В, включая все DC/DC-конвертеры Vicor.

Рис. 1. Выходные модули-аттенюаторы Vicor: а) VI-RAM; б) MicroRAM

Выходные модули-аттенюаторы семейства VI-RAM

Модули RAM (Ripple Attenuation Module) — это устройства, предназначенные для подавления пульсаций выходных напряжений DC/DC-конвертеров Vicor и совместимые со всеми конвертерами серий VI-200 и VI-J00 [1], выходные напряжения которых лежат в пределах от 5 до 50 В.

Нормируемый производителем размах напряжения пульсаций у конвертеров  VI-200/VI-J00 зависит от температурного класса конвертера, который определяет нижнюю границу рабочего температурного диапазона, и от выходного напряжения. Максимальное значение этого параметра, отнесенное к выходному напряжению конвертера, — от 1,5 до 7,5% (табл. 1). Подключив между выходом DC/DC-конвертера и нагрузкой модуль RAM, как показано на рис. 2, можно снизить размах напряжения пульсаций на нагрузке менее чем до 3 мВ при токе нагрузки до 20 А.

Таблица 1. Пульсации выходных напряжений DC/DC-конвертеров серии VI-200

Выходное напряжение, В Максимальный размах напряжения пульсаций, %
Температурный класс E Температурные классы C, I, M
2 7,5 5
3,3; 5 5 3
10–95 3 1,5

Рис. 2. Схема импульсного источника питания с низкими пульсациями выходного напряжения на базе DC/DC-конвертера Vicor серии VI-200

Модуль RAM не требует никакой настройки, и его использование не влияет на такие свойства конвертера, как возможность стабилизации напряжения непосредственно на удаленной нагрузке (Remote Sense), возможность регулировки выходного напряжения с помощью дополнительных внешних резисторов и защита от перенапряжения и перегрузки по току [1]. Пассивный и активный фильтры, которые входят в структуру модуля RAM, обеспечивают подавление пульсаций и шумов в диапазоне частот от 0 до 20 МГц (рис. 3), не оказывая никакого отрицательного влияния на работу источника питания, кроме рассеивания дополнительной мощности.

Рис. 3. Частотная характеристика модуля семейства VI-RAM

Компания Vicor производит модули RAM двух типов, которые отличаются друг от друга только максимальным выходным током (табл. 2). Под рабочим температурным диапазоном модуля в таблице 2, так же как и во всех других статьях данного цикла [1–7], понимается не температура окружающей среды, а температура металлического основания модуля.

Таблица 2. Электрические и эксплуатационные параметры модулей семейства VI-RAM

Параметр Значение
Входное напряжение, В 5–50
Максимальный ток нагрузки, А:
• тип 1
• тип 2
10
20
Предельно допустимый выходной ток, А 30
Падение напряжения между входом и выходом, В:
• при выходном токе до 10 А
• при выходном токе до 10 А
• при перегрузке до 30 А
0,34–0,41
0,34–0,44
0,34–0,75
Коэффициент полезного действия, % 93–99
Электрическая прочность изоляции между выводами модуля и базовой панелью (rms), В 500
Рабочий температурный диапазон, °C:
• класс «E»
• класс «C»
• класс «I»
• класс «M»
–10…+100
–25…+100
–40…+100
–55…+100
Температура хранения, °C:
• класс «E»
• класс «C»
• класс «I»
• класс «M»
–20…+105
–40…+105
–55…+105
–65…+105

Модули VI-RAM выпускаются в корпусе Half Brick («полкирпича») с габаритными размерами 57,9×61×12,7 мм, и по своему внешнему виду (рис. 1а) они ничем не отличаются от DC/DC-конвертеров серии VI-J00. Масса одного модуля не превышает 107 г.

Выходные модули-аттенюаторы семейства MicroRAM

Модули MicroRAM (рис. 1б) имеют то же функциональное назначение, что и рассмотренные выше модули-аттенюаторы пульсаций семейства VI-RAM, но, в отличие от VI-RAM, модули MicroRAM совместимы с любыми DC/DC-конвертерами Vicor, выходное напряжение которых лежит в пределах от 3 до 30 В, а не только с конвертерами первого поколения. Более того, модули MicroRAM можно использовать для подавления пульсаций выходного напряжения у большинства импульсных преобразователей, выпускаемых другими производителями, но при условии, что максимальный размах пульсаций напряжения на входе модуля RAM не будет превышать 100 мВ в полосе частот от 100 Гц до 100 кГц и 500 мВ в полосе частот от 100 кГц до 2 МГц. Встроенные пассивный и активный фильтры (рис. 4) обеспечивают эффективное (более чем на 40 дБ) подавление пульсаций в полосе частот от 1,1 кГц до нескольких мегагерц, а с помощью всего одного дополнительного внешнего конденсатора CHR можно получить такое же высокое подавление пульсаций и в более низкочастотной области — от 100 Гц.

Рис. 4. Упрощенная функциональная схема модуля MicroRAM

Вывод CTRAN модуля (рис. 4) предназначен для подключения еще одного внешнего конденсатора, с помощью которого можно понизить резонансную частоту пассивного фильтра, благодаря чему улучшаются переходные характеристики модуля [8].

Два типа модулей MicroRAM (uRAM2 и uRAM3), выпускаемых компанией Vicor, отличаются друг от друга только максимальным рабочим выходным током (табл. 3). Модули uRAM2 рассчитаны на ток нагрузки до 20 А, а модули uRAM3 — на ток до 30 А, но ни в одном из этих вариантов исполнения нет встроенной цепи ограничения выходного тока, о чем нельзя забывать при проектировании источника питания. Для защиты модулей от перегрузки необходимо использовать плавкий предохранитель во входной цепи DC/DC-конвертера, который должен быть рассчитан таким образом, чтобы не допустить превышения выходного тока модуля MicroRAM более чем на 30% по сравнению с максимальным рабочим током. Предельно допустимое значение импульсного выходного тока равно 40 А при длительности импульса 10 с.

Таблица 3. Электрические и эксплуатационные параметры модулей семейства MicroRAM

Параметр Значение
Входное напряжение, В 3–30
Максимальный ток нагрузки, А:
• uRAM2
• uRAM3
20 30
Минимальный ток нагрузки, мА 20
Рекомендуемое значение VHR (см. примечание) при выходном токе 1 А, мВ 325–425
Коэффициент полезного действия, % До 98
Максимальный размах напряжения пульсаций на выходе модуля при максимально допустимых пульсациях на входе, мВ 10
Рабочий температурный диапазон, °C:
• класс «C»
• класс «T»
• класс «H»
• класс «M»
–20…+100
–40…+100
–40…+100
–55…+100
Температура хранения, °C:
• класс «C»
• класс «T»
• класс «H»
• класс «M»
–40…+125
–40…+125
–55…+125
–65…+125

Примечание. VHR — дифференциальное напряжение между выводами +IN и +OUT модуля, которое «программируется» с помощью внешнего резистора RHR (рис. 4).

Принцип действия активного аттенюатора периодических и случайных девиаций входного напряжения основан на управлении сопротивлением проводящего канала МОП-транзистора, включенного между пассивным фильтром и выходом модуля MicroRAM (рис. 4). Если входное напряжение модуля уменьшается, сопротивление МОП-транзистора также уменьшается, благодаря чему снижается падение напряжения на модуле MicroRAM, и наоборот, когда входное напряжение растет, увеличивается и сопротивление МОП-транзистора, пропорционально которому увеличивается падение напряжения на модуле.

Сопротивление внешнего резистора RHR, с помощью которого задается значение напряжения VHR при среднем значении напряжения на входе модуля MicroRAM и отсутствии нагрузки, рассчитывается по следующей формуле:

где RHR — сопротивление резистора RHR, кОм; V+OUT — напряжение на выходе +OUT модуля, В; VHR — «программируемое» падение напряжение на модуле, В.

С ростом нагрузки напряжение VHR автоматически понижается со скоростью 4 мВ/А для версии uRAM2 и 2 мВ/А для версии uRAM3, благодаря чему снижается мощность, рассеиваемая модулем, но в то же время снижается и его способность к активному подавлению пульсаций и шумов при больших токах нагрузки.

На рис. 5 представлены два варианта построения импульсных источников питания с низкими пульсациями выходного напряжения на базе DC/DC-конвертеров Vicor второго поколения и модулей MicroRAM.

Рис. 5. Схема импульсного источника питания на базе DC/DC-конвертера Vicor: а) семейства Maxi или Mini, работающего в режиме Remout Sense; б) второго поколения, в котором используется управление по входу SC

В первом варианте (рис. 5а) с помощью внешних резисторов RUP и RDWN задается требуемое выходное напряжение, а для поддержания желаемого напряжения на выходе источника питания используется способность конвертера стабилизировать напряжение на удаленной нагрузке (режим Remote Sense) [2]. У DC/DC-конвертеров Vicor семейств Maxi и Mini режим Remote Sense реализуется путем простого соединения выходов OUT и GND источника питания соответственно с входами +SENSE и –SENSE. Резистор RSENSE и конденсатор CRS в данной схеме служат для обеспечения устойчивости источника питания.

В источнике питания, схема которого приведена на рис. 5б, используется управление выходным напряжением конвертера по входу SC [2]. Через резистор RSC вход SC конвертера соединяется с выходом SC модуля MicroRAM. Сопротивление резистора RSC выбирают таким, чтобы напряжение на выходе конвертера было больше выходного напряжения источника питания на величину VHR. Этот вариант управления выходным напряжением конвертера отличается предельной простотой, но он применим только для тех конвертеров Vicor, у которых напряжение встроенного опорного источника равно 1,23 В. Такую схему нельзя использовать для построения источников питания на базе конвертеров Vicor первого поколения (VI-200/VI-J00), у которых напряжение встроенного опорного источника равно 2,5 В. Все формулы, необходимые для расчета сопротивлений резисторов, нетрудно найти в технической документации на сайте компании Vicor [8].

DC/DC-конвертеры Vicor второго поколения [2] с выходными фильтрами MicroRAM способны параллельно работать на общую нагрузку в режиме Power Sharing, что может быть использовано для увеличения выходной мощности или резервирования системы электропитания. Рекомендуемая схема соединения модулей приведена на рис. 6. В такой системе питания один из DC/DC-конвертеров является управляющим (Driver). Этот модуль через встроенный двунаправленный порт, входом/выходом которого является вывод PR, синхронизирует работу всех остальных DC/DC-конвертеров (Booster). Импульсные трансформаторы, с помощью которых входы синхронизации модулей подключаются к общей двухпроводной линии связи, входят в число аксессуаров, поставляемых компанией Vicor (Part Number 29768).

Рис. 6. Схема соединения нескольких DC/DC-конвертеров с выходными фильтрами MicroRAM для параллельной работы на общую нагрузку

Модули VI-RAM выпускаются в корпусе Quarter Brick («четверть полкирпича») с габаритными размерами 57,9×36,8×12,7 мм (рис. 1б).

Заключение

На этом мы завершаем цикл обзорных статей о наиболее популярных модулях компании Vicor, но мы не прощаемся с читателями надолго. В будущих выпусках журнала «Компоненты и технологии» мы обязательно снова вернемся к этой теме и расскажем о новейших достижениях компании Vicor и ее дочерней компании Picor в области разработки и производства электронных компонентов для построения высокоэффективных малогабаритных источников электропитания с высокими эксплуатационными характеристиками.

Литература
  1. Белотуров В., Иванов Д., Кривченко И. Построение источников питания на базе модулей компании Vicor // Компоненты и технологии. 2011. № 12.
  2. Белотуров В., Иванов Д., Кривченко И. DC/DC-конвертеры Vicor второго поколения // Компоненты и технологии. 2012. № 1.
  3. Белотуров В., Иванов Д., Кривченко И. AC/DC-модули компании Vicor // Компоненты и технологии. 2012. № 4.
  4. Белотуров В., Иванов Д., Кривченко И. AC/DC-конвертеры Vicor с коррекцией коэффициента мощности // Компоненты и технологии. 2012. № 6.
  5. Белотуров В., Иванов Д., Кривченко И. Модули Vicor семейства FIAM // Компоненты и технологии. 2012. № 7.
  6. Белотуров В., Иванов Д., Кривченко И. Распределенные системы электропитания на базе модулей IBC компании Vicor // Компоненты и технологии. 2012. № 8.
  7. Белотуров В., Иванов Д., Кривченко И. DC/DC-конвертеры семейства Cool-Power // Компоненты и технологии. 2012. № 9.
  8. http://www.vicorpower.com

Про ранги и виртуализацию в RAM. Нюансы технологий ОЗУ современного железа

В продолжение рубрики «конспект админа» хотелось бы разобраться в нюансах технологий ОЗУ современного железа: в регистровой памяти, рангах, банках памяти и прочем. Подробнее коснемся надежности хранения данных в памяти и тех технологий, которые несчетное число раз на дню избавляют администраторов от печалей BSOD.

Старые песни про новые типы

Сегодня на рынке представлены, в основном, модули с памятью DDR SDRAM: DDR2, DDR3, DDR4. Разные поколения отличаются между собой рядом характеристик — в целом, каждое следующее поколение «быстрее, выше, сильнее», а для любознательных вот табличка:

Для подбора правильной памяти больший интерес представляют сами модули:

  • RDIMM — регистровая (буферизованная) память. Удобна для установки большого объема оперативной памяти по сравнению с небуферизованными модулями. Из минусов — более низкая производительность;

  • UDIMM (unregistered DRAM) — нерегистровая или небуферизованная память — это оперативная память, которая не содержит никаких буферов или регистров;

  • LRDIMM — эти модули обеспечивают более высокие скорости при большей емкости по сравнению с двухранговыми или четырехранговыми модулями RDIMM, за счёт использования дополнительных микросхем буфера памяти;

  • HDIMM (HyperCloud DIMM, HCDIMM) — модули с виртуальными рангами, которые имеют большую плотность и обеспечивают более высокую скорость работы. Например, 4 физических ранга в таких модулях могут быть представлены для контроллера как 2 виртуальных;

  • FBDIMM — полностью буферизованная DIMM с высокой надежностью, скоростью и плотностью размещения.

Попытка одновременно использовать эти типы может вызвать самые разные печальные последствия, вплоть до порчи материнской платы или самой памяти. Но возможно использование одного типа модулей с разными характеристиками, так как они обратно совместимы по тактовой частоте. Правда, итоговая частота работы подсистемы памяти будет ограничена возможностями самого медленного модуля или контроллера памяти.

Для всех типов памяти SDRAM есть общий набор базовых характеристик, влияющий на объем и производительность:

Конечно, отличий на самом деле больше, но для сборки правильно работающей системы можно ограничиться этими.

Частота и режим работы

Понятно, что чем выше частота — тем выше общая производительность памяти. Но память все равно не будет работать быстрее, чем ей позволяет контроллер на материнской плате. Кроме того, все современные модули умеют работать в в многоканальном режиме, который увеличивает общую производительность до четырех раз.

Режимы работы можно условно разделить на четыре группы:

  • Single Mode — одноканальный или ассиметричный. Включается, когда в системе установлен только один модуль памяти или все модули отличаются друг от друга. Фактически, означает отсутствие многоканального доступа;

  • Dual Mode — двухканальный или симметричный. Слоты памяти группируются по каналам, в каждом из которых устанавливается одинаковый объем памяти. Это позволяет увеличить скорость работы на 5-10% в играх, и до 70% в тяжелых графических приложениях. Модули памяти необходимо устанавливать парами на разные каналы. Производители материнских плат обычно выделяют парные слоты одним цветом;

  • Triple Mode — трехканальный режим работы. Модули устанавливаются группами по три штуки — на каждый из трех каналов. Аналогично работают и последующие режимы: четырехканальные (quad-channel), восьмиканальные (8-channel memory) и т.п.

  • Flex Mode — позволяет увеличить производительность оперативной памяти при установке двух модулей различного объема, но с одинаковой частотой.

  • Для максимального быстродействия лучше устанавливать одинаковые модули с максимально возможной для системы частотой. При этом используйте установку парами или группами — в зависимости от доступного многоканального режима работы.

Ранги для памяти

Ранг (rank) — область памяти из нескольких чипов памяти в 64 бита (72 бита при наличии ECC, о чем поговорим позже). В зависимости от конструкции модуль может содержать один, два или четыре ранга.

Узнать этот параметр можно из маркировки на модуле памяти. Например уKingston число рангов легко вычислить по одной из трех букв в середине маркировки: S (Single — одногоранговая), D (Dual — двухранговая), Q (Quad — четырехранговая).

Пример полной расшифровки маркировки на модулях Kingston:

Серверные материнские платы ограничены суммарным числом рангов памяти, с которыми могут работать. Например, если максимально может быть установлено восемь рангов при уже установленных четырех двухранговых модулях, то в свободные слоты память добавить не получится.

Перед покупкой модулей есть смысл уточнить, какие типы памяти поддерживает процессор сервера. Например, Xeon E5/E5 v2 поддерживают одно-, двух- и четырехранговые регистровые модули DIMM (RDIMM), LRDIMM и не буферизированные ECC DIMM (ECC UDIMM) DDR3. А процессоры Xeon E5 v3 поддерживают одно- и двухранговые регистровые модули DIMM, а также LRDIMM DDR4.

Немного про скучные аббревиатуры таймингов

Тайминги или латентность памяти (CAS Latency, CL) — величина задержки в тактах от поступления команды до ее исполнения. Числа таймингов указывают параметры следующих операций:

  • CL (CAS Latency) — время, которое проходит между запросом процессора некоторых данных из памяти и моментом выдачи этих данных памятью;

  • tRCD (задержка от RAS до CAS) — время, которое должно пройти с момента обращения к строке матрицы (RAS) до обращения к столбцу матрицы (CAS) с нужными данными;

  • tRP (RAS Precharge) — интервал от закрытия доступа к одной строке матрицы, и до начала доступа к другой;

  • tRAS — пауза для возврата памяти в состояние ожидания следующего запроса;

  • CMD (Command Rate) — время от активации чипа памяти до обращения к ней с первой командой.

Разумеется, чем меньше тайминги — тем лучше для скорости. Но за низкую латентность придется заплатить тактовой частотой: чем ниже тайминги, тем меньше допустимая для памяти тактовая частота. Поэтому правильным выбором будет «золотая середина».

Существуют и специальные более дорогие модули с пометкой «Low Latency», которые могут работать на более высокой частоте при низких таймингах. При расширении памяти желательно подбирать модули с таймингами, аналогичными уже установленным.

RAID для оперативной памяти

Ошибки при хранении данных в оперативной памяти неизбежны. Они классифицируются как аппаратные отказы и нерегулярные ошибки (сбои). Память с контролем четности способна обнаружить ошибку, но не способна ее исправить.

Для коррекции нерегулярных ошибок применяется ECC-память, которая содержит дополнительную микросхему для обнаружения и исправления ошибок в отдельных битах.

Метод коррекции ошибок работает следующим образом:

  1. При записи 64 бит данных в ячейку памяти происходит подсчет контрольной суммы, составляющей 8 бит.

  2. Когда процессор считывает данные, то выполняется расчет контрольной суммы полученных данных и сравнение с исходным значением. Если суммы не совпадают — это ошибка.

  3. Если ошибка однобитовая, то неправильный бит исправляется автоматически. Если двухбитовая — передается соответствующее сообщение для операционной системы.

Технология Advanced ECC способна исправлять многобитовые ошибки в одной микросхеме, и с ней возможно восстановление данных даже при отказе всего модуля DRAM.

Исправление ошибок нужно отдельно включить в BIOS

Большинство серверных модулей памяти являются регистровыми (буферизованными) — они содержат регистры контроля передачи данных.

Регистры также позволяют устанавливать большие объемы памяти, но из-за них образуются дополнительные задержки в работе. Дело в том, что каждое чтение и запись буферизуются в регистре на один такт, прежде чем попадут с шины памяти в чип DRAM, поэтому регистровая память оказывается медленнее не регистровой на один такт.

Источник — nix.ru

Все регистровые модули и память с полной буферизацией также поддерживают ECC, а вот обратное не всегда справедливо. Из соображений надежности для сервера лучше использовать регистровую память.

Многопроцессорные системы и память

Для правильной и быстрой работы нескольких процессоров, нужно каждому из них выделить свой банк памяти для доступа «напрямую». Об организации этих банков в конкретном сервере лучше почитать в документации, но общее правило такое: память распределяем между банками поровну и в каждый ставим модули одного типа.

Если пришлось поставить в сервер модули с меньшей частотой, чем требуется материнской плате — нужно включить в BIOS дополнительные циклы ожидания при работе процессора с памятью.

Для автоматического учета всех правил и рекомендаций по установке модулей можно использовать специальные утилиты от вендора. Например, у HP есть Online DDR4 (DDR3) Memory Configuration Tool.

Итого

Вместо пространственного заключения приведу общие рекомендации по выбору памяти:

  • Для многопроцессорных серверов HP рекомендуется использовать только регистровую память c функцией коррекции ошибок (ECC RDIMM), а для однопроцессорных — небуферизированную с ECC (UDIMM). Планки UDIMM для серверов HP лучше выбирать от этого же производителя, чтобы избежать самопроизвольных перезагрузок.

  • В случае с RDIMM лучше выбирать одно- и двухранговые модули (1rx4, 2rx4). Для оптимальной производительности используйте двухранговые модули памяти в конфигурациях 1 или 2 DIMM на канал. Создание конфигурации из 3 DIMM с установкой модулей в третий банк памяти значительно снижает производительность.

  • Из тех же соображений максимальной скорости желательно избегать использования четырехранговой памяти RDIMM, поскольку она снижает частоту до 1066 МГц в конфигурациях с одним модулем на канал, и до 800 МГц — в конфигурациях с двумя модулями на канал. Справедливо для серверов на базе Intel Xeon 5600 и Xeon E5/E5 v2.

Список короткий, но здесь все самое необходимое и наименее очевидное. Конечно же, старый как мир принцип RTFM никто не отменял.

Выбор оперативной памяти для игрового ПК — Intel

Что такое двухканальная оперативная память?

Во многих современных компьютерах используется двухканальная память. Двухканальный режим (или режим с чередованием) позволяет контроллеру памяти процессора обмениваться данными с оперативной памятью по двум каналам, выполняя чтение и запись на два модуля памяти одновременно. Это увеличивает доступную ширину полосы пропускания.

Двухканальный режим автоматически включается на большинстве системных плат, где имеется только два разъема DIMM. Однако при использовании двух модулей памяти на системной плате с четырьмя разъемами память необходимо устанавливать на тот же канал. Разъемы обычно имеют цветовую кодировку, и могут быть расположены или рядом, или через один. Конкретные указания можно найти в документации по системной плате.

Для обеспечения идеальной производительности желательно, чтобы все модули памяти имели одинаковую скорость, емкость и тайминги. По возможности следует избегать смешивания и сочетания модулей памяти с разными спецификациями.

Тайминги памяти

Скорость оперативной памяти — не единственный способ оценить ее производительность.

Тайминги используются для измерения времени задержки оперативной памяти до выполнения полученных команд. Тайминги памяти указываются как набор чисел, например, 16-18-18-36, и указываются на заводской наклейке на модуле памяти.

Каждое число соответствует определенному тесту. Например, первое число показывает задержку CAS (задержка строб-импульса адреса столбца) или количество тактовых циклов, за которое модуль памяти возвращает набор данных после получения запроса от контроллера памяти.

Сравнивать модули оперативной памяти исключительно по таймингам может быть довольно сложно. Например, время задержки CAS показывает только общее количество циклов; при оценке быстродействия также имеет значение и длительность каждого цикла. Например, память DDR3 обычно имеет более низкий показатель задержки CAS, чем память DDR4, но ее производительность ниже, потому что она имеет более низкую тактовую частоту.

При сборке игрового ПК тайминги памяти обычно не являются приоритетным фактором. Тайминги представляют интерес для оверклокеров, которые могут вручную понижать их значения в BIOS, а затем тестировать стабильность системы. Если это пройдет успешно, вы сможете добиться более высокой производительности с текущим объемом оперативной памяти.

Для большинства пользователей игровых ПК объем и скорость оперативной памяти являются наиболее важными факторами.

Оверклокинг1 оперативной памяти

Если вы приобрели высокопроизводительную оперативную память, оверклокинг может помочь выйти за пределы ее расчетных спецификаций. Самый простой способ добиться этого — использовать профили Intel® Extreme Memory Profile (Intel® XMP).

При выборе профиля Intel® XMP в BIOS поддерживаемой системной платы выполняется автоматическая настройка напряжения памяти, тактовой частоты и временных характеристик, за счет чего повышается производительность. Эти заранее определенные настройки уже протестированы и сертифицированы для обеспечения стабильности.

Некоторые системные платы позволяют модифицировать профили памяти и изменять точные настройки памяти вручную, используя BIOS.

Для начала ознакомьтесь с этим детальным руководством по оверклокингу оперативной памяти.

Эстетика и охлаждение

Анатомия RAM / Хабр

У каждого компьютера есть ОЗУ, встроенное в процессор или находящееся на отдельной подключенной к системе плате — вычислительные устройства просто не смогли бы работать без оперативной памяти. ОЗУ — потрясающий образец прецизионного проектирования, однако несмотря на тонкость процессов изготовления, память ежегодно производится в огромных объёмах. В ней миллиарды транзисторов, но она потребляет только считанные ватты мощности. Учитывая большую важность памяти, стоит написать толковый анализ её анатомии.

Итак, давайте приготовимся к вскрытию, выкатим носилки и отправимся в анатомический театр. Настало время изучить все подробности каждой ячейки, из которых состоит современная память, и узнать, как она работает.

Зачем же ты, RAM-ео?

Процессорам требуется очень быстро получать доступ к данным и командам, чтобы программы выполнялись мгновенно. Кроме того, им нужно, чтобы при произвольных или неожиданных запросах не очень страдала скорость. Именно поэтому для компьютера так важно ОЗУ (RAM, сокращение от

random-access memory

— память с произвольным доступом).

Существует два основных типа RAM: статическая и динамическая, или сокращённо SRAM и DRAM.

Мы будем рассматривать только DRAM, потому что SRAM используется только внутри процессоров, таких как CPU или GPU. Так где же находится DRAM в наших компьютерах и как она работает?

Большинству людей знакома RAM, потому что несколько её планок находится рядом с CPU (центральным процессором, ЦП). Эту группу DRAM часто называют системной памятью, но лучше её называть памятью CPU, потому что она является основным накопителем рабочих данных и команд процессора.

Как видно на представленном изображении, DRAM находится на небольших платах, вставляемых в

материнскую (системную) плату

. Каждую плату обычно называют

DIMM

или UDIMM, что расшифровывается как

dual inline memory module (двухсторонний модуль памяти)

(U обозначает

unbuffered (без буферизации)

). Подробнее мы объясним это позже; пока только скажем, что это самая известная RAM любого компьютера.

Она не обязательно должна быть сверхбыстрой, но современным ПК для работы с большими приложениями и для обработки сотен процессов, выполняемых в фоновом режиме, требуется много памяти.

Ещё одним местом, где можно найти набор чипов памяти, обычно является графическая карта. Ей требуется сверхбыстрая DRAM, потому что при 3D-рендеринге выполняется огромное количество операций чтения и записи данных. Этот тип DRAM предназначен для несколько иного использования по сравнению с типом, применяемым в системной памяти.

Ниже вы видите GPU, окружённый двенадцатью небольшими пластинами — это чипы DRAM. Конкретно этот тип памяти называется GDDR5X, о нём мы поговорим позже.

Графическим картам не нужно столько же памяти, как CPU, но их объём всё равно достигает тысяч мегабайт.

Не каждому устройству в компьютере нужно так много: например, жёстким дискам достаточно небольшого количества RAM, в среднем по 256 МБ; они используются для группировки данных перед записью на диск.

На этих фотографиях мы видим платы HDD (слева) и

SSD

(справа), на которых отмечены чипы DRAM. Заметили, что чип всего один? 256 МБ сегодня не такой уж большой объём, поэтому вполне достаточно одного куска кремния.

Узнав, что каждый компонент или периферийное устройство, выполняющее обработку, требует RAM, вы сможете найти память во внутренностях любого ПК. На контроллерах SATA и PCI Express установлены небольшие чипы DRAM; у сетевых интерфейсов и звуковых карт они тоже есть, как и у принтеров со сканнерами.

Если память можно встретить везде, она может показаться немного скучной, но стоит вам погрузиться в её внутреннюю работу, то вся скука исчезнет!

Скальпель. Зажим. Электронный микроскоп.

У нас нет всевозможных инструментов, которые инженеры-электронщики используют для изучения своих полупроводниковых творений, поэтому мы не можем просто разобрать чип DRAM и продемонстрировать вам его внутренности. Однако такое оборудование есть у ребят из

TechInsights

, которые сделали этот снимок поверхности чипа:

Если вы подумали, что это похоже на сельскохозяйственные поля, соединённые тропинками, то вы не так далеки от истины! Только вместо кукурузы или пшеницы поля DRAM в основном состоят из двух электронных компонентов:

Вместе они образуют так называемую

ячейку памяти

, каждая из которых содержит 1 бит данных. Очень приблизительная схема ячейки показана ниже (прощу прощения у специалистов по электронике!):

Синими и зелёными линиями обозначены соединения, подающие напряжение на МОП-транзистор и конденсатор. Они используются для считывания и записи данных в ячейку, и первой всегда срабатывает вертикальная (разрядная) линия.

Канавочный конденсатор, по сути, используется в качестве сосуда для заполнения электрическим зарядом — его пустое/заполненное состояние даёт нам 1 бит данных: 0 — пустой, 1 — полный. Несмотря на предпринимаемые инженерами усилия, конденсаторы не способны хранить этот заряд вечно и со временем он утекает.

Это означает, что каждую ячейку памяти нужно постоянно обновлять по 15-30 раз в секунду, хотя сам этот процесс довольно быстр: для обновления набора ячеек требуется всего несколько наносекунд. К сожалению, в чипе DRAM множество ячеек, и во время их обновления считывание и запись в них невозможна.

К каждой линии подключено несколько ячеек:


Строго говоря, эта схема неидеальна, потому что для каждого столбца ячеек используется две разрядные линии — если бы мы изобразили всё, то схема бы стала слишком неразборчивой.

Полная строка ячеек памяти называется страницей, а длина её зависит от типа и конфигурации DRAM. Чем длиннее страница, тем больше в ней бит, но и тем большая электрическая мощность нужна для её работы; короткие страницы потребляют меньше мощности, но и содержат меньший объём данных.

Однако нужно учитывать и ещё один важный фактор. При считывании и записи на чип DRAM первым этапом процесса является активация всей страницы. Строка битов (состоящая из нулей и единиц) хранится в буфере строки, который по сути является набором усилителей считывания и защёлок, а не дополнительной памятью. Затем активируется соответствующий столбец для извлечения данных из этого буфера.

Если страница слишком мала, то чтобы успеть за запросами данных, строки нужно активировать чаще; и наоборот — большая страница предоставляет больше данных, поэтому активировать её можно реже. И даже несмотря на то, что длинная строка требует большей мощности и потенциально может быть менее стабильной, лучше стремиться к получению максимально длинных страниц.

Если собрать вместе набор страниц, то мы получим один

банк

памяти DRAM. Как и в случае страниц, размер и расположение строк и столбцов ячеек играют важную роль в количестве хранимых данных, скорости работы памяти, энергопотреблении и так далее.

Например, схема может состоять из 4 096 строк и 4 096 столбцов, при этом полный объём одного банка будет равен 16 777 216 битам или 2 мегабайтам. Но не у всех чипов DRAM банки имеют квадратную структуру, потому что длинные страницы лучше, чем короткие. Например, схема из 16 384 строк и 1 024 столбцов даст нам те же 2 мегабайта памяти, но каждая страница будет содержать в четыре раза больше памяти, чем в квадратной схеме.

Все страницы в банке соединены с системой адресации строк (то же относится и к столбцам) и они контролируются сигналами управления и адресами для каждой строки/столбца. Чем больше строк и столбцов в банке, тем больше битов должно использоваться в адресе.

Для банка размером 4 096 x 4 096 для каждой системы адресации требуется 12 бит, а для банка 16 384 x 1 024 потребуется 14 бит на адреса строк и 10 бит на адреса столбцов. Стоит заметить, что обе системы имеют суммарный размер 24 бита.

Если бы чип DRAM мог предоставлять доступ к одной странице за раз, то это было бы не особо удобно, поэтому в них упаковано несколько банков ячеек памяти. В зависимости от общего размера, чип может иметь 4, 8 или даже 16 банков — чаще всего используется 8 банков.

Все эти банки имеют общие шины команд, адресов и данных, что упрощает структуру системы памяти. Пока один банк занят работой с одной командой, другие банки могут продолжать выполнение своих операций.

Весь чип, содержащий все банки и шины, упакован в защитную оболочку и припаян к плате. Она содержит электропроводники, подающие питание для работы DRAM и сигналов команд, адресов и данных.

На фотографии выше показан чип DRAM (иногда называемый

модулем

), изготовленный компанией Samsung. Другими ведущими производителями являются Toshiba, Micron, SK Hynix и Nanya. Samsung — крупнейший производитель, он имеет приблизительно

40% мирового рынка памяти

.

Каждый изготовитель DRAM использует собственную систему кодирования характеристик памяти; на фотографии показан чип на 1 гигабит, содержащий 8 банков по 128 мегабита, выстроенных в 16 384 строки и 8 192 столбца.

Выше по рангу

Компании-изготовители памяти берут несколько чипов DRAM и устанавливают их на одну плату, называемую DIMM. Хотя D расшифровывается как

dual (двойная)

, это не значит, что на ней два набора чипов. Под двойным подразумевается количество электрических контактов в нижней части платы; то есть для работы с модулями используются обе стороны платы.

Сами DIMM имеют разный размер и количество чипов:

На фотографии сверху показана стандартная DIMM для настольного ПК, а под ней находится так называемая

SO-DIMM

(small outline, «DIMM малого профиля»). Маленький модуль предназначен для ПК малого форм-фактора, например, ноутбуков и компактных настольных компьютеров. Из-за малого пространства уменьшается количество используемых чипов, изменяется скорость работы памяти, и так далее.

Существует три основных причины для использования нескольких чипов памяти на DIMM:

  • Это увеличивает объём доступного хранилища
  • В любой момент времени возможен доступ только к одному банку, поэтому благодаря работе остальных в фоновом режиме повышается производительность.
  • Шина адреса в процессоре, обрабатывающая память, шире, чем шина DRAM.

Последнее очень важно, потому что в большинстве чипов DRAM используется только 8-битная шина данных. Однако CPU и GPU в этом от них отличаются: например, CPU AMD Ryzen 7 3800X имеет два встроенных 64-битных контроллера, а в Radeon RX 5700 XT встроено восемь 32-битных контроллеров.

То есть каждому DIMM, который устанавливается в компьютер с Ryzen, потребуется восемь модулей DRAM (8 чипов x 8 бит = 64 бита). Можно подумать, что графическая карта 5700 XT будет иметь 32 чипа памяти, но у неё их только 8. Что же это нам даёт?

В чипы памяти, предназначенные для графических карт, устанавливают больше банков, обычно 16 или 32, потому что для 3D-рендеринга необходим одновременный доступ к большому объёму данных.


Один ранг и два ранга

Множество модулей памяти, «заполняющих» шину данных контроллера памяти, называется рангом, и хотя к контроллеру можно подключить больше одного ранга, за раз он может получать данные только от одного ранга (потому что ранги используют одну шину данных). Это не вызывает проблем, потому что пока один ранг занимается ответом на переданную ему команду, другому рангу можно передать новый набор команд.

Платы DIMM могут иметь несколько рангов и это особенно полезно, когда вам нужно огромное количество памяти, но на материнской плате мало разъёмов под RAM.

Так называемые схемы с двумя (dual) или четырьмя (quad) рангами потенциально могут обеспечить большую производительность, чем одноранговые, но увеличение количества рангов быстро повышает нагрузку на электрическую систему. Большинство настольных ПК способно справиться только с одним-двумя рангами на один контроллер. Если системе нужно больше рангов, то лучше использовать DIMM с буферизацией: такие платы имеют дополнительный чип, облегчающий нагрузку на систему благодаря хранению команд и данных в течение нескольких циклов, прежде чем передать их дальше.


Множество модулей памяти Nanya и один буферный чип — классическая серверная RAM

Но не все ранги имеют размер 64 бита — используемые в серверах и рабочих станциях DIMM часто размером 72 бита, то есть на них есть дополнительный модуль DRAM. Этот дополнительный чип не обеспечивает повышение объёма или производительности; он используется для проверки и устранения ошибок (error checking and correcting, ECC).

Вы ведь помните, что всем процессорам для работы нужна память? В случае ECC RAM небольшому устройству, выполняющему работу, предоставлен собственный модуль.

Шина данных в такой памяти всё равно имеют ширину всего 64 бита, но надёжность хранения данных значительно повышается. Использование буферов и ECC только незначительно влияет на общую производительность, зато сильно повышает стоимость.

Жажда скорости

У всех DRAM есть центральный тактовый сигнал ввода-вывода (I/O, input/output) — напряжение, постоянно переключающееся между двумя уровнями; он используется для упорядочивания всего, что выполняется в чипе и шинах памяти.

Если бы мы вернулись назад в 1993 год, то смогли бы приобрести память типа SDRAM (synchronous, синхронная DRAM), которая упорядочивала все процессы с помощью периода переключения тактового сигнала из низкого в высокое состояние. Так как это происходит очень быстро, такая система обеспечивает очень точный способ определения времени выполнения событий. В те времена SDRAM имела тактовые сигналы ввода-вывода, обычно работавшие с частотой от 66 до 133 МГц, и за каждый такт сигнала в DRAM можно было передать одну команду. В свою очередь, чип за тот же промежуток времени мог передать 8 бит данных.

Быстрое развитие SDRAM, ведущей силой которого был Samsung, привело к созданию в 1998 году её нового типа. В нём передача данных синхронизировалась по повышению и падению напряжения тактового сигнала, то есть за каждый такт данные можно было дважды передать в DRAM и обратно.

Как же называлась эта восхитительная новая технология? Double data rate synchronous dynamic random access memory (синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных). Обычно её просто называют DDR-SDRAM или для краткости DDR.

Память DDR быстро стала стандартом (из-за чего первоначальную версию SDRAM переименовали в

single data rate SDRAM

, SDR-DRAM) и в течение последующих 20 лет оставалась неотъемлемой частью всех компьютерных систем.

Прогресс технологий позволил усовершенствовать эту память, благодаря чему в 2003 году появилась DDR2, в 2007 году — DDR3, а в 2012 году — DDR4. Каждая новая версия обеспечивала повышение производительности благодаря ускорению тактового сигнала ввода-вывода, улучшению систем сигналов и снижению энергопотребления.

DDR2 внесла изменение, которое мы используем и сегодня: генератор тактовых сигналов ввода-вывода превратился в отдельную систему, время работы которой задавалось отдельным набором синхронизирующих сигналов, благодаря чему она стала в два раза быстрее. Это аналогично тому, как CPU используют для упорядочивания работы тактовый сигнал 100 МГц, хотя внутренние синхронизирующие сигналы работают в 30-40 раз быстрее.

DDR3 и DDR4 сделали шаг вперёд, увеличив скорость тактовых сигналов ввода-вывода в четыре раза, но во всех этих типах памяти шина данных для передачи/получения информации по-прежнему использовала только повышение и падение уровня сигнала ввода-вывода (т.е. удвоенную частоту передачи данных).

Сами чипы памяти не работают на огромных скоростях — на самом деле, они шевелятся довольно медленно. Частота передачи данных (измеряемая в миллионах передач в секунду — millions of transfers per second, MT/s) в современных DRAM настолько высока благодаря использованию в каждом чипе нескольких банков; если бы на каждый модуль приходился только один банк, всё работало бы чрезвычайно медленно.

Каждая новая версия DRAM не обладает обратной совместимостью, то есть используемые для каждого типа DIMM имеют разные количества электрических контактов, разъёмы и вырезы, чтобы пользователь не мог вставить память DDR4 в разъём DDR-SDRAM.


Сверху вниз: DDR-SDRAM, DDR2, DDR3, DDR4

DRAM для графических плат изначально называлась SGRAM (synchronous graphics, синхронная графическая RAM). Этот тип RAM тоже подвергался усовершенствованиям, и сегодня его для понятности называют GDDR. Сейчас мы достигли версии 6, а для передачи данных используется система с учетверённой частотой, т.е. за тактовый цикл происходит 4 передачи.

Кроме более высокой частоты передачи, графическая DRAM обеспечивает дополнительные функции для ускорения передачи, например, возможность одновременного открытия двух страниц одного банка, работающие в DDR шины команд и адресов, а также чипы памяти с гораздо большими скоростями тактовых сигналов.

Какой же минус у всех этих продвинутых технологий? Стоимость и тепловыделение.

Один модуль GDDR6 примерно вдвое дороже аналогичного чипа DDR4, к тому же при полной скорости он становится довольно горячим — именно поэтому графическим картам с большим количеством сверхбыстрой RAM требуется активное охлаждение для защиты от перегрева чипов.

Скорость битов

Производительность DRAM обычно измеряется в количестве битов данных, передаваемых за секунду. Ранее в этой статье мы говорили, что используемая в качестве системной памяти DDR4 имеет чипы с 8-битной шириной шины, то есть каждый модуль может передавать до 8 бит за тактовый цикл.

То есть если частота передачи данных равна 3200 MT/s, то пиковый результат равен 3200 x 8 = 25 600 Мбит в секунду или чуть больше 3 ГБ/с. Так как большинство DIMM имеет 8 чипов, потенциально можно получить 25 ГБ/с. Для GDDR6 с 8 модулями этот результат был бы равен 440 ГБ/с!

Обычно это значение называют полосой пропускания (bandwidth) памяти; оно является важным фактором, влияющим на производительность RAM. Однако это теоретическая величина, потому что все операции внутри чипа DRAM не происходят одновременно.

Чтобы разобраться в этом, давайте взглянем на показанное ниже изображение. Это очень упрощённое (и нереалистичное) представление того, что происходит, когда данные запрашиваются из памяти.

На первом этапе активируется страница DRAM, в которой содержатся требуемые данные. Для этого памяти сначала сообщается, какой требуется ранг, затем соответствующий модуль, а затем конкретный банк.

Чипу передаётся местоположение страницы данных (адрес строки), и он отвечает на это передачей целой страницы. На всё это требуется время и, что более важно, время нужно и для полной активации строки, чтобы гарантировать полную блокировку строки битов перед выполнением доступа к ней.

Затем определяется соответствующий столбец и извлекается единственный бит информации. Все типы DRAM передают данные пакетами, упаковывая информацию в единый блок, и пакет в современной памяти почти всегда равен 8 битам. То есть даже если за один тактовый цикл извлекается один бит, эти данные нельзя передать, пока из других банков не будет получено ещё 7 битов.

А если следующий требуемый бит данных находится на другой странице, то перед активацией следующей необходимо закрыть текущую открытую страницу (это процесс называется pre-charging). Всё это, разумеется, требует больше времени.

Все эти различные периоды между временем отправки команды и выполнением требуемого действия называются таймингами памяти или задержками. Чем ниже значение, тем выше общая производительность, ведь мы тратим меньше времени на ожидание завершения операций.

Некоторые из этих задержек имеют знакомые фанатам компьютеров названия:

Существует ещё много других таймингов и все их нужно тщательно настраивать, чтобы DRAM работала стабильно и не искажала данные, имея при этом оптимальную производительность. Как можно увидеть из таблицы, схема, демонстрирующая циклы в действии, должна быть

намного

шире!

Хотя при выполнении процессов часто приходится ждать, команды можно помещать в очереди и передавать, даже если память занята чем-то другим. Именно поэтому можно увидеть много модулей RAM там, где нам нужна производительность (системная память CPU и чипы на графических картах), и гораздо меньше модулей там, где они не так важны (в жёстких дисках).

Тайминги памяти можно настраивать — они не заданы жёстко в самой DRAM, потому что все команды поступают из контроллера памяти в процессоре, который использует эту память. Производители тестируют каждый изготавливаемый чип и те из них, которые соответствуют определённым скоростям при заданном наборе таймингов, группируются вместе и устанавливаются в DIMM. Затем тайминги сохраняются в небольшой чип, располагаемый на плате.


Даже памяти нужна память. Красным указано ПЗУ (read-only memory, ROM), в котором содержится информация SPD.

Процесс доступа к этой информации и её использования называется serial presence detect (SPD). Это отраслевой стандарт, позволяющий BIOS материнской платы узнать, на какие тайминги должны быть настроены все процессы.

Многие материнские платы позволяют пользователям изменять эти тайминги самостоятельно или для улучшения производительности, или для повышения стабильности платформы, но многие модули DRAM также поддерживают стандарт Extreme Memory Profile (XMP) компании Intel. Это просто дополнительная информация, хранящаяся в памяти SPD, которая сообщает BIOS: «Я могу работать с вот с такими нестандартными таймингами». Поэтому вместо самостоятельной возни с параметрами пользователь может настроить их одним нажатием мыши.

Спасибо за службу, RAM!

В отличие от других уроков анатомии, этот оказался не таким уж грязным — DIMM сложно разобрать и для изучения модулей нужны специализированные инструменты. Но внутри них таятся потрясающие подробности.

Возьмите в руку планку памяти DDR4-SDRAM на 8 ГБ из любого нового ПК: в ней упаковано почти 70 миллиардов конденсаторов и такое же количество транзисторов. Каждый из них хранит крошечную долю электрического заряда, а доступ к ним можно получить за считанные наносекунды.

Даже при повседневном использовании она может выполнять бесчисленное количество команд, и большинство из плат способны без малейших проблем работать многие годы. И всё это меньше чем за 30 долларов? Это просто завораживает.

DRAM продолжает совершенствоваться — уже скоро появится DDR5, каждый модуль которой обещает достичь уровня полосы пропускания, с трудом достижимый для двух полных DIMM типа DDR4. Сразу после появления она будет очень дорогой, но для серверов и профессиональных рабочих станций такой скачок скорости окажется очень полезным.

См. также:

Анатомия RAM — устройство оперативной памяти

Чего в компьютере никогда не бывает много? Оперативной памяти. Конечно, еще один SSD, помощнее процессор – это приятно, но для решения конкретных задач и имеющихся хватает более чем, а вот наличие ОЗУ большей емкости или с большей производительностью могло бы дать заметный эффект. Анатомия RAM — вот о чем сегодня пойдет разговор, рассмотрим устройство, принцип работы, разновидности оперативной памяти.

Краткая история RAM

Без оперативной памяти представить компьютер сложно. Да и не нужно. Без этого компонента обойтись нельзя. Все манипуляции с данными производятся в RAM, после чего передаются на накопитель или отправляются в иное устройство. Или наоборот, какая-то инфа извне поступает в компьютер (а именно в RAM), обрабатывается, и передается еще куда-то.

Даже краткое рассмотрение истории развития RAM – тема отдельного материала. И весьма обширного. Остановлюсь на используемом ныне типе оперативной памяти – DDR.

Аббревиатура расшифровывается как удвоенная скорость передачи данных (Double Data Rate). В отличие от предыдущей SDR данные передавались по обоим фронтам тактирующего сигнала. Это позволило вдвое повысить пропускную способность по сравнению с SDR, у которой использовался только фронт тактового сигнала.

Первый коммерческий чип был выпущен в 1998 году компанией Samsung. Спецификацию такой памяти организация JEDEC опубликовала в июне 2000 года, а спустя пару месяцев появилась первая материнская плата с поддержкой DDR. Память работала на частотах от 100 МГц до 200 МГц. Эффективная частота, учитывая использование фронта и спада тактового импульса, составляла от 200 до 400 МГц. Количество контактов разъема равнялось 184. Напряжение питания – 2.5 В.

В 2004 году свет увидело новое поколение, DDR2. За счет улучшений рабочие частоты лежали в диапазоне 200-600 МГц (эффективные – 300-1 200 МГц). Изменился разъем, у которого стало 240 контактов. Напряжение питания снизилось до 1.8 В.

Следующее поколение, DDR3, появившееся в 2007 году, вновь удвоило частоту работы (рабочая от 400 МГц до 1 200 МГц, эффективная – 800-2 400 МГц). Количество контактов не изменилось, но сам разъем несовместим с DDR2. Напряжение снижено до 1.5 В. Позже выпущена модификация с пониженным напряжением питания, равным 1.35 В. Такие модули помечались как DDR3L.

В 2014 году вышло актуальное на сегодняшний день поколение DDR4. Привычно удвоились частоты (800-1 600 МГц рабочая частота и 1 600-3 200 МГц эффективная), изменился разъем, в котором стало 288 контактов. Напряжение питания – 1.2 В.

В конце 2021 или в начале следующего года должна быть представлена память DDR5. Опять удвоится пропускная способность, уменьшится напряжение на 100 мВ, запланированы другие изменения.

Все поколения памяти несовместимы, т. е. установить DIMM одного поколения в разъем для памяти другого поколения физически невозможно.

Указанные разъемы, количество контактов справедливо для десктопного форм-фактора DIMM, но параллельно выпускались и компактные модули для ноутбуков.

Форм-фактор RAM

Если не учитывать чипы памяти, которые по тем или иным причинам распаяны на материнских платах (например, в некоторых ноутбуках), установлены на платах видеокарт, накопителей или иных устройств, то форм-факторов модулей RAM два:

  • PC DIMM
  • SO-DIMM (Small Outline DIMM)

Первый используется в десктопных ПК, в серверах. Второй предназначен для ноутбуков, компактных материнских плат (например, Asus PRO h510T/CSM), неттопов (Gigabyte GB-BR) и прочих специализированных устройств.

Хотя размер плат модулей памяти фактически не изменялся у разных поколений, они несовместимы, т. е. установить, например, планrу DDR4 в слот DDR3 невозможно. Почему? Во-первых, физически, различается количество контактов, расположение «ключа» разъема. Во-вторых… Впрочем, достаточно и первого.

Причем, не только между поколениями существуют различия. DDR3 также делится на два типа, «просто» DDR3 и DDR3L. У первой напряжение питания 1.5 В, у второй – 1.35 В, и ставить вместо одной другую не стоит.

Чипы DRAM устанавливаются и в некоторые другие устройства, например, SSD среднего и высокого класса. А видеокарты без них вообще обойтись не могут. Объем памяти в 8, 12, 16, а то и больше гигабайт – обычное дело. Отличия только в типе памяти, в основном это GDDR6(X), и в том, что изменить объем видеопамяти нельзя в силу того, что микросхемы DRAM распаяны на платах.

Посему, о форм-факторе можно говорить только применительно к материнским платам, какие бы они ни были – серверные, для настольных ПК, ноутбучные или для встраиваемых устройств.

Устройство RAM

В основе современной DRAM лежит ячейка, выполненная по схеме 1T1C, т. е. один транзистор (Transistor) и один конденсатор (Capacitor). Схема такой ячейки приведена на иллюстрации ниже.

Если на обкладках конденсатора есть заряд, то при обращении к транзистору ячейки напряжение на нем говорит нам, что в ячейке хранится логическая «1». Если же конденсатор разряжен, то напряжение будет равным нулю и, соответственно, ячейка содержит «0».

Ячейки объединены в большие двумерные массивы, или матрицы, а доступ к каждой конкретной ячейке осуществляется при помощи двух шин – строки и столбца.

Выбранная строка ячеек называется страницей, а n-е количество страниц объединены в банки памяти. Каждая страница подключена к системе адресации строк и столбцов. Чип может содержать несколько таких банков – 4, 8 или более.

При чтении на линии выбора столбцов (битовая линия) подается половинное напряжение питания. Предположим, что оно равно 1.2 В, значит, на шинах выбора столбцов будет 0.6 В. Питание подается на короткое время, после чего линия отключается от общего провода («земли»). Каждая линия обладает определенной емкостью, т. е. фактически представляет собой конденсатор. Напряжение на линиях строк при этом равно нулю, управляющие транзисторы ячеек закрыты.

В действительности, у каждого столбца есть не одна, а пара линий шины строк, которые называются «+» и «-», или четные и нечетные. Между этими парами линий перекрестно установлены инверторы, выполняющие роль усилителей. На обеих линиях устанавливается одинаковое напряжение, т. е. те самые 0.6 В.

Теперь контроллер памяти выдает адрес строки и на нужную строку подается высокое напряжение. Транзисторы открываются и происходит считывание из всех ячеек этой строки в блоке памяти. Физически это означает, что транзисторы каждой ячейки строки открываются, и через них начинает идти ток. Если конденсатор ячейки хранил заряд (логическая «1») то ток течет из конденсатора в одну из двух битовых линий. Если конденсатор был разряжен («логический «0»), то в обратную сторону.

На одной из битовых линий напряжение немного увеличивается, в то время как на другой остается прежним — 0.6 В. Положительная обратная связь перекрестных инверторов приводит к тому, что на одной из двух битовых линий напряжение увеличивается, а на другой соответственно уменьшается до тех пор, пока одна линия не достигнет, условно, напряжения в 1.2 В, а на другой будет 0 В.

И все бы хорошо, но не обходится без проблем. Сама по себе ячейка, представляющая собой пару транзистор-конденсатор, разового действия и короткоживущая. Не в физическом смысле, а в плане хранения данных. Объясню, что это значит.

Процесс считывания информации из ячейки является деструктивным, т. е. разряжает конденсатор, а это приводит к искажению информации (считали значение – разрядили конденсатор, одноразовое действие). Поэтому, если не принять срочных мер, после считывания информации из ячейки там окажется логический «0», даже если до этого была единица. А ведь мы просто читали из ячейки и ничего менять не собирались.

Такой «срочной мерой» является обновление информации в ячейке, т. е. фактически происходит перезапись ее. Занимается этим сам чип RAM под управлением контроллера. Как это происходит?

В зависимости от того, на какой битовой линии увеличивалось напряжение, происходит подзарядка конденсатора ячейки, в которой хранилась «1», или наоборот, разрядка его, чтобы считывался «0». Выбранная ячейка подключается к шине данных и значение передается контроллеру памяти.

Проблемам видимо скучно приходить в одиночку, и помимо разряда конденсатора при чтении есть еще одна неприятность – конденсатор разряжается как сам по себе (саморазряд), так и за счет утечки в транзисторе между стоком и подложкой.

Чтобы компенсировать это, требуется регенерация памяти. Выполняется она регулярно через определенный интервал времени, например, каждые 64 мс или чаще. Во время регенерации обслуживаемые строки памяти недоступны, т. е. никакие операции чтения/записи производить нельзя.

Выполняться эта операция может по-разному. В некоторых системах все строки банков памяти обновляются одновременно. Может использоваться и метод последовательной регенерации строк.

Думаю, достаточно про устройства DRAM, ибо эта тема весьма обширная, и в механизмы работы ячеек, страниц и проч. можно погружаться долго. Важно то, что оперативная память – это не просто полка, куда что-то положили, и оно там лежит, пока не понадобится. В смысле, оно там конечно лежит, но не скучает, а в тайне от нас участвует во множестве процессов, чтобы мы нашли положенное в том же месте целым и невредимым.

Ранг

Обратимся к характеристикам материнской платы. Для примера возьмем MSI MAG B550 TOMAHAWK. В разделе, посвященном памяти, в частности, видим такие строчки:

  • 1DPC 1R Max speed up to 5100 MHz
  • 1DPC 2R Max speed up to 3866 MHz
  • 2DPC 1R Max speed up to 4000 MHz
  • 2DPC 2R Max speed up to 3600 MHz

Ладно, с «MHz» понятно, а «1DPC», «1R» — что все это значит? На самом деле несложно:

  • DPC – DIMM(s) Per Channel, т. е. количество модулей памяти в каждом канале. Соответственно, 1DPC означает по одному DIMM в каждом канале, 2DPC – по два.
  • 1R или 2R — Single rank или Dual rank, т. е. ранг модуля памяти — одноранговая она или двухранговая.

И вот о ранге (или ранке, обзывайте как нравится) чуть подробнее. Процессор имеет 64-битную шину данных каждого канала контроллера. Речь про «гражданские» CPU для десктопов. В то же время каждый чип DRAM 8-битный. Чтобы использовать все возможности процессорного контроллера памяти, каждый модуль RAM имеет как минимум 8 чипов DRAM.

Кстати, узнать размер шины можно в командной строке OC Windows:

wmic memorychip get DataWidth,TotalWidth

Должны отобразиться значения «64, 64», т. е. ширина шины в битах. Если же будет указано значение 72, то значит используется память с ECC, но об этом ниже.

Учитывая, что технологически оперативная память масштабируется плохо, и новые техпроцессы практически никак не помогают в решении этой задачи, использование нескольких чипов позволяет увеличить объем каждого модуля.

Распараллеливание работы также позволяет повысить скорость обмена, т. к. в каждую единицу времени имеется доступ только к одному банку данных. Наличие второго, работающего в этот момент в фоновом режиме, дает возможность параллельно готовить к доступу следующий банк.

Одноранговая память – это, по сути, один набор чипов DRAM, к которым осуществляется доступ контроллером памяти. Двухранговая – два независимых набора, каждый из которых также может адресоваться контроллером. Доступ к каждому набору осуществляется отдельно, их нельзя использовать одновременно.

Как обычно, обратимся к конкретным примерам. Возьмем пару модулей: Kingston KVR29N21S8/16 это одноранговый DIMM, а KVR26N19D8/16, на котором чипы распаяны с обеих сторон печатной платы, двухранговый. При одинаковой емкости в 16 ГБ.

Есть ли какой-либо профит от двухранговой памяти? Да, кроме возможности получить более емкий DIMM, скажем, в 32 ГБ или больше, есть разница в производительности по сравнению с одноранговыми. Все же параллельность, все дела…

Однако на многое рассчитывать не стоит. В теории, двухранговые модули действительно могут предоставить больше производительности, но реальность не совсем такова. Прирост чаще всего есть, но от наличия второго набора чипов скорость работы отнюдь не удваивается. Мало того, и 50-процентного увеличения нет. В лучшем случае получите плюс несколько процентов, ну максимум десяток.

Как правило, с разгоном у двухранговых модулей также не все так хорошо, как у одноранговых. Хотя тут могут быть варианты, модулей памяти большое количество, а комбинаций их с материнскими платами, позволяющими «гнать» компоненты, вообще не сосчитать.

Думаю, все же не ошибусь, если скажу, что для рекордов оверклокинга надо искать одноранговые модули. А если разгон вам малоинтересен, а вот объем более актуален, то принципиальной разницы нет, сколько там этих рангов. Может даже двухранговые будут работать чуточку быстрее.

Следует сказать немного про расположение чипов на модуле DIMM. Не следует путать «двухранговый» модуль и «двухсторонний» модуль. Выглядеть они могут одинаково (чипы на обеих сторонах платы), но двухсторонний совсем не обязательно должен быть двухранговым.

Может быть и наоборот. Например, Kingston KF436C18BB/16 – 16-гигабайтный одноранговый модуль, чипы которого распаяны с обеих сторон платы. А, скажем, Samsung M378A2G43MX3-CTD – двухранговый с односторонним расположением микросхем памяти.

Ориентироваться по количеству и расположению чипов, чтобы определить ранговость памяти, не совсем верно. Лучше все же обращаться к спецификациям или хотя бы к маркировке модулей, которую обычно наносят на каждый DIMM.

Скажем, Samsung и Crucial обычно указывают это на модулях, хотя и не всегда. Другие бренды этим не заморачиваются, показывают только емкость, частоту и основные задержки. В любом случае, точные данные предоставят спецификации модуля RAM на сайте производителя, или обзоры, форумы в интернете.

Задержки (тайминги)

Чаще всего в характеристиках на модули памяти указываются 3-4 значения в строке «тайминги», они же задержки, они же латентность, т. е. время, необходимое на выполнение тех или иных операций. Далее мы разберем их чуть подробнее. В реальности разных задержек много, но четыре считаются основными и наиболее важными при выборе RAM, особенно параметр CAS.

Чтобы разбираться конкретно, возьмем конкретный же модуль памяти, например, Crucial Value DDR4 CT8G4DFS8213. Это 8-гигабайтная планка RAM с тактовой частотой 2 133 МГц. Давайте обратимся к ее характеристикам, в частности, к строчке «тайминги», где указано: «17-17-17». Что это за цифры, что означают? Вот с этим и предстоит разобраться.

Сначала выясним, что к чему относится. Так, «17-17-17» — это значения таймингов «CL/tRCD/tRP» соответственно. Если указан четвертый тайминг, то это обычно tRAS.

CAS(CL)

CAS расшифровывается как Column Address Strobe, в спецификациях обычно обозначается «CL». Это задержка между моментом, когда контроллер выдал памяти запрос адреса столбца блока, содержащего данные, и началом поступления первого бита информации. При этом нужная строка блока уже выбрана, и тем самым мы имеем все данные для чтения нужной ячейки памяти.

CAS показывает, сколько тактов длится эта задержка. Тут просится вывод, что чем меньше это значение, тем лучше. Отчасти да, но не совсем.

Прибегнем к аналогии. Есть два (не полтора, а именно два) землекопа. Один может выкопать необходимую ямку за 17 взмахов лопатой, второму понадобится 22 таких же телодвижения. Внимание, вопрос: кто из работников лучше?

Я бы не торопился с ответом, т. к. мы пока еще не получили весь необходимый объем исходных данных. В частности, сколько времени тратит каждый из работников на выполнение задачи. Первый делает свое дело не спеша и с перекурами. Второй работает быстрее и курит меньше.

Теперь есть все основания предполагать, что второй справится с работой быстрее, хотя и затрачивает на нее больше движений. Значит, как исполнитель он выгоднее. Вопросы оплаты труда, условий работы и проч. не учитываем, мы же про аналогии говорим.

Получается, что реальная задержка зависит как минимум от двух параметров – количества тактов и частоты работы. Это приводит нас выводу, что для вычисления реальной задержки нам надо посчитать затрачиваемое на нее время.

Сделаем это. Формула проста, делим 1 на значение реальной частоты (для 2 133 МГц это 1 066) и умножаем на значение CAS, результат будет в наносекундах:

(1/1 066) * 17 = 15.9 нс

Таким образом, на CAS со значением 17 для модуля с частотой 2 133 МГц необходимо чуть меньше 16 нс.

Если возьмем такой же модуль памяти, но с частотой 3 200 МГц (Crucial CT8G4DFRA32A), то CAS у него будет уже равняться 22. Опять посчитаем время задержки:

(1/1 600) * 22 = 13.8 нс

Вот и получается, что второй «землекоп» хоть и будет больше махать лопатой, но выполнит работу немного быстрее.

Если еще учесть, что у более высокочастотного модуля RAM и пропускная способность больше (у выбранных в качестве примеров модулей CT8G4DFS8213 и CT8G4DFRA32A это 17 000 МБ/с и 25 600 МБ/с соответственно), то производительность второго модуля выше, как и стоимость. Главное, чтобы система смогла использовать все возможности установленной RAM.

tRCD

Расшифровывается как Row Address to Column Address Delay. Это минимальное количество тактов между моментом активации строки банка данных (выдача сигнала на выбор строки RAS) и доступом к столбцу (начало чтения и, соответственно, задержки CAS).

tRAS

Помните цитату из фильма:

— Куда ставить то?!

—  Да подожди ты.

— Куда ставить то ?!!

—  Да подожди ты!

Вот и в данном случае речь именно про «подожди ты». Это количество циклов, в течение которых выбранная строка должна находиться в активном состоянии до того момента, как будет запущена процедура регенерации. Причем это минимальное значение, т. е. если задержка CAS – это фиксированное значение, то tRAS – изменяемая величина.

По сути, это ожидание окончания цикла выборки данных, чтобы начать обновление ячеек. Величину этой задержки можно принять равной tRCD+CL+время на обработку команд и некоторые иные служебные нужды.

Например, у 8-гигабайтного модуля Crucial Ballistix BL8G30C15U4B с частотой 3 000 МГц эта задержка равна 35 (основные тайминги — 15-16-16-35).

tRP

Расшифровывается Row Precharge, т. е. минимальное время от получения команды на выполнение зарядки (precharge) банка памяти и получением следующей команды на активацию строки tRCD.

B-die, C-die, E…

Интересующиеся темой (про гуру в разгоне я не говорю) наверняка не раз встречали упоминание чипов DRAM Samsung B-die. А у Micron, например, E-die… Это степпинги памяти, которые могут существенно повлиять на скорость работы и разгонные возможности того или иного DIMM.

У меня нет цели углубляться в вопрос оверклокинга RAM. Да и не получится, ибо тема эта неисчерпаема, что подтверждают многостраничные, порой, на сотни и сотни страниц ветки в тематических форумах.

Важно знать, что каждый производитель чипов DRAM (не производитель модулей памяти, а именно чипов) выпускает несколько версий своих микросхем. Отражается это в маркировке степпинга. Так, у Самсунга это A-die, B-die, C-die и прочие. Примерно так же маркируются чипы Micron.

Легендарными среди «гонщиков» являются в первую очередь B-die от Samsung. На изображении  выше показана структура микросхемы DDR4 B-die емкостью 8 Гб K4A8G085WD-BCTD производства Samsung. Модули с ними потенциально наиболее гонибельные. Потенциально, потому что нельзя обеспечить абсолютно одинаковые характеристики чипов в разных партиях.

Вполне может попасться модуль, который разгонится, но не дотянет до частот, которые дались знакомому на таком же модуле и на схожей системе. Просто не очень повезло с конкретными чипами. Даже в наборе из двух модулей на B-die оба будут хороши, но один все же окажется чуть хорошее.

В 2019 году планировалось прекращение производства чипов B-die, но произошло ли это в реальности тогда, или произошло позже, или она производится до сих пор – утверждать не стану. В любом случае, если повезло стать обладателем модулей на этих чипах, то хорошая скорость работы, невысокие задержки и разгонный потенциал входят в стоимость.

При оверклокинге речь идет не только о частотах, на которых достигается стабильность работы, но и таймингах, ибо разгон памяти — это не только и не столько гонка за частотой, сколько баланс между оной и задержками.

У других брендов оверклокерскими считаются: E-die у Micron, Hynix C-die CJR. В каких модулях находятся какие чипы из спецификаций не узнать. Ориентироваться надо на обзоры, отзывы владельцев и данные, выдаваемые различными утилитами. Например, подробную информацию о модулях памяти выдает утилита Thaiphoon Burner.

ECC-память

Как обычно, рассмотрим на примере. Скажем, возьмем модуль памяти Kingston KSM ValueRAM DDR4 KSM29ES8/8HD емкостью 8 ГБ.

Что в нем отличается от рассмотренных выше? Девять, а не восемь чипов. Хотя мы предполагаем, что восемь микросхем по 8 бит и емкостью по 8 Гб каждая дают нам итоговые 8 гигабайт. Зачем нам еще одна микросхема?

Дело в том, что если для обычных офисно/домашних ПК возможная ошибка памяти (искажение даже одного бита данных может привести к неверным результатам работы или «падению» системы) дело хоть и неприятное, но не столь критичное, то вот для профессиональных рабочих станций и серверов, которые должны работать 24/7 без сбоев , это недопустимо.

Чтобы защититься от спонтанных ошибок, существует специальный вид памяти, с защитой от ошибок. Используется технология контроля четности, а сама память в своей маркировке имеет аббревиатуру ECC (Error-Correcting Code memory, память с коррекцией ошибок). Именно для исправления ошибок и требуется дополнительный чип. Как правило, каждые 8 чипов RAM доукомплектовываются еще одним.

Не буду углубляться в принципы работы ECC, ибо это находится за рамками разговора. Важно то, что использование такой RAM действительно позволяет обезопасить себя от возможных ошибок и повышает надежность системы.

Правда, использование таких модулей в обычных компьютерах или ноутбуках особого смысла не имеет. Материнские платы для таких ПК обычно не поддерживают эти модули, и устанавливать их не следует. Работать не будет. К тому же ECC RAM стоит немного больше, а производительность немного ниже из-за расходов на обеспечение этой самой коррекции ошибок.

Регистровая память

RDIMM (Registered Memory), она же buffered memory. Этот тип RAM используется в серверах. Свое название получила от наличия специальной микросхемы, буфера на каждом DIMM. И вновь обратимся к примеру.

DIMM Crucial Value DDR4 CT8G4RFD8213. Это одноранговый модуль объемом 8 ГБ, регистровый, с ECC. Посмотрим на него внимательно. Общее количество микросхем на нем 10 штук: 8 чипов памяти, один для ECC и еще один регистровый.

Этот самый чип содержит регистры-буферы данных, передающихся от контроллера памяти модулям и обратно. Эта микросхема позволяет также снизить электрическую нагрузку на контроллер памяти и тем самым подключить больше DIMM к каждому его каналу. Соответственно, можно получить больший объем ОЗУ в системе.

Такой вид RAM не предназначен для разгона, у него обычно более высокие задержки, но высокая стабильность работы, система коррекции ошибок и более высокий потолок максимального объема памяти. Также он стоит дороже, и для поддержки необходимы серверные материнские платы и процессоры. Для домашнего/офисного ПК или ноутбука RDIMM не применяется.

Не следует путать ECC-RAM и регистровую RAM. Это не одно и то же. Модуль памяти может быть ECC, но не являться регистровым, а вот регистровый DIMM всегда еще и ЕСС.

Дальнейшим развитием буферной памяти является FB-DIMM (Fully Buffered DIMM – полностью буферизованная DIMM). По сути, это та же RDIMM, но буферизуются данные и адресные команды.

Используется микросхема Advanced Memory Buffer (AMB), располагающаяся между контроллером памяти и чипами DRAM. Используется последовательная шина между контроллером и AMB. Благодаря этой дополнительной микросхеме контроллер теперь непосредственно не общается с чипами памяти, а делегирует эти функции посреднику, AMB.

Введение дополнительного узла между контроллером памяти и чипами RAM увеличивает задержки, но компенсирует это коррекцией ошибок, стабильной работой, возможностью использовать большой объем памяти.

Версия печатной платы DIMM

Давайте посмотрим на следующую иллюстрацию.

На ней изображены печатные платы, используемые для изготовления модулей DIMM. Несложно увидеть, что они различаются. Эти различия принято называть ревизией (версией) печатной платы.

Ревизия «A0» создавалась для модулей с частотой 2 133 МГц. Сейчас она используется преимущественно для бюджетных DIMM с далеко не рекордными частотами работы. Это худший дизайн платы для высокочастотных DIMM. Для рабочих частот порядка 4 600 МГц он вообще неприменим. К тому же разгон модулей на «A0» до значения в 4 000 МГц и выше весьма проблематичен.

Ревизия A1. Этот дизайн частенько используется OEM производителями как универсальный, позволяющий изготавливать как «обычную» память, так и с поддержкой ECC. Оверклокерские возможности повыше, чем у плат ревизии «A0».

Ревизия «A2» является, по сути, референсным дизайном платы для модулей памяти DDR4 с частотой 2 666 МГц. Правда, никто не запрещает использовать подобную разводку платы для модулей с любой частотой, даже для самых младших с рабочей частотой 2 133 МГц. Это лучший вариант для работы RAM на высоких частотах и для разгона.

От ревизий «A0» и «A1» отличается в первую очередь расположением чипов DRAM. Они распаяны группами по 4 ближе к краям модуля, а также ближе к контактам разъема, тем самым оставляют среднюю часть платы свободной. Это улучшает электрические характеристики прохождения сигналов, снижает помехи, и в конечном счете улучшает производительность.

У ревизии «A2» оказался и еще один приятный бонус. В наш век засилья светодиодов везде, где их только можно разместить, 2-я ревизия платы с ее свободной средней частью и расположением чипов ближе к нижнему края модуля оставляет много места для организации подсветки.

Надо сказать, что представленные выше на иллюстрации дизайны печатных плат совсем не догма, и никто не запрещает внести в них свои изменения. В конце концов, для размещения светодиодов это делать приходится в любом случае.

В частности, в серии модулей Corsair Dominator с подсветкой печатная плата «A2» больше по размеру, в верхней части размещены светодиоды, а между ними и чипами памяти находятся изолирующие проводники.

Насколько я знаю, компания GEIL в своих моделях DDR4 с подсветкой использует только «A2» печатные платы. А, например, модуль памяти Crucial MTA8ATF1G64AZ существует как на платах ревизии «A1», так и «A2».

Память памяти (ROM у RAM)

В процессе загрузки компьютера при прохождении процедуры Power-On Self-Test (POST) система узнает, какие модули памяти установлены и какие у них параметры. Кто им это сообщает?

Давайте присмотримся к модулю Crucial Value DDR4 CT8G4DFS8213. Примерно в середине платы, аккурат над вырезом разъема примостилась небольшая микросхема. Разберемся, для чего она нужна.

SPD

Небольшой чип – это SPD (Serial Presence Detect), который хранит информацию о параметрах модуля памяти. Производители тестируют каждую микросхему, проверяя, на какой частоте и с какими таймингами можно получить стабильную работу. Затем чипы со сходными характеристиками собираются вместе и устанавливаются на DIMM модуль.

Частоты работы, тайминги, данные о производителе и некоторая другая информация – все хранится в этой маленькой микросхеме, и все это считывается в процессе запуска компьютера до загрузки операционной системы. Эта информация позволяет точно настроить режим обмена с RAM.

В определенной мере данную микросхему можно сравнить с BIOS материнской платы, правда, с большими ограничениями по объему информации и узкой направленностью для обслуживания исключительно данного DIMM.

XMP

Многие модели RAM имеют также поддержку XMP. Это разработанный Intel стандарт работы памяти Extreme Memory Profile (XMP). Как можно догадаться из названия, это некий «экстремальный» режим работы модуля. Так и есть, по сути, это выполненный уже на заводе разгон, которым можно и нужно воспользоваться. В результате увеличится частота памяти, изменятся тайминги, напряжение питания.

Правда, при соблюдении некоторых условий:

  • Материнская плата имеет возможность использования XMP профиля.
  • Процессор поддерживает необходимую скорость работы.

Профиль XMP необходимо вручную включить в BIOS материнской платы. По умолчанию установленный DIMM будет работать на некоей штатной частоте, скажем, 2 133 МГц, 2 400 МГц и т. п. Например, комплект из двух модулей Ballistix BL2K8G26C16U4R в штатном режиме работает на частоте 2 666 МГц с таймингами 19-19-19-43, а при активации XMP получаем уже 3 200 МГц при таймингах 16-18-18-36 при напряжении питания 1.35 В.

Значения профиля XMP прописаны в той же микросхеме, что и SPD. При этом никто не запрещает самостоятельно поэкспериментировать с параметрами RAM – изменить частоту, увеличить/уменьшить основные задержки, поиграться с напряжением. Естественно, это на ваш страх и риск с шансом на нестабильную работу, синие экраны и прочие подобные «удовольствия».

Опять-таки при условии, что материнская плата позволяет вручную изменять эти параметры, т. е. в ней используются чипсеты с поддержкой разгона памяти. У AMD это X570, B550, а у Intel это можно делать на Z590, W580, H570, B560.

Получить данные об установленных модулях памяти в вашей систем можно, если в командной строке ОС Windows ввести:

wmic memorychip get Manufacturer,Capacity,PartNumber,Speed,DeviceLocator,ConfiguredVoltage,MemoryType

Вы получите информацию об установленных DIMM. Правда, для DDR4 параметр MemoryType скорее всего отобразит 0.

Радиаторы охлаждения

Если открыть каталог с существующими в продаже модулями памяти, то большАя, если не бОльшая их часть будет иметь радиаторы. Для чего они нужны?

Если отбросить факт, что это очень удобная штука для установки подсветки и вообще улучшения внешнего вида планок памяти, то основное назначение этих железок – охлаждение. И если мы говорим о высокочастотной памяти с низкими таймингами, тем более предназначенной для разгона, то установка радиаторов имеет смысл.

При этом в продаже есть немалое количество DIMM вообще без охлаждения. Значит ли это, что мы имеем дело с бюджетной памятью, которая отлично будет работать на штатных частотах, но почти не поддается разгону?

В каких-то случаях да. Судя по имеющейся информации, например, модули Patriot Memory Signature PSD48G320081 обходятся без радиаторов и не гонятся почти никак. Правда, частота у них изначально не самая маленькая, 3 200 МГц, но вот добиться большего вряд ли получится. Тем более, что и ревизия печатной платы тут «A0».

А бывает и наоборот. Например, можно посмотреть на отзывы счастливых владельцев 8-гигабайтных модулей Samsung M378A1K43BB2-CRC, которые разгоняют их со штатных 2 400 МГц или 2 666 МГц до 3 200 МГц и выше. И без всяких радиаторов. Хотя это не значит, что не надо организовывать нормальную вентиляцию корпуса.

Поэтому если изначально идет речь о приобретении высокоскоростного модуля памяти, да еще и с перспективой серьезного разгона до частот порядка 4 000 МГц и выше, то металлический радиатор лишним точно не будет.

Если же речь про штатные частоты в районе 3 000 МГц, а разгон и, особенно, световые шоу в корпусе совсем не интересуют, то отсутствие радиатора отнюдь не причина отказываться от рассмотрения той или иной модели DIMM без дополнительного охлаждения чипов памяти.

Корпусировка чипов RAM

Выше я частенько призывал посмотреть на количество чипов, распаянных на DIMM, и сделать какие-то из этого выводы. Надо признаться, что простой подсчет количества чипов памяти не всегда отражает реальную емкость данного модуля или его конфигурацию.

Приведу пример. Модули Patriot Memory Signature PSD48G320081 и PSD416G240081 имеют по восемь чипов. При этом объем первого 8 ГБ, а второго 16 ГБ. Дело в том, что внутри корпуса микросхемы может располагаться несколько кристаллов памяти.

Отсюда следует вывод, что первый взгляд на модуль следует подкрепить данными из спецификаций, чтобы начать делать выводы об интересности для вас этого DIMM для покупки.

Заключение. Анатомия RAM – сложный маленький организм

Выбор памяти дело и простое, и не очень. Все зависит от того, для чего она выбирается. Если «поставить и забыть» — то следует подобрать нужные модели по параметрам (объем, частота, количество DIMM) и выбрать понравившийся. Разве что сравнить тайминги и выбрать минимальные.

Если эстетическая составляющая внутреннего мира системного блока не пустой звук, то к перечисленным выше параметрам следует добавить наличие красивого радиатора с разноцветной подсветкой.

Сложнее с любителями разгона. Здесь в большей степени интересует анатомия RAM. Какой степпинг чипов и кем произведены, ранговость, какая версия печатной платы. Надо учесть платформу, для которой подбирается RAM, тайминги, возможность разгона. Желательно ознакомиться со статистикой результатов оверклокинга данных модулей у коллег по цеху.

В результате, оперативная память хоть и является одним из самых компактных компонентов в ПК (если сравнивать с видеокартами, жесткими дисками, кулерами и т. п.), но не так проста по сути. Знание тонкостей поможет сделать правильный выбор и позволит получить дополнительные FPS в играх, уменьшить время тех или иных расчетов, да и просто сделать компьютер более отзывчивым.

Пластиковые влагозащищенные модульные щитки DKC RAM base IP65

Распределительные щитки для модульного оборудования с защитой от влаги ДКС RAM base

Компания DKC являющаяся одним из лидеров по созданию и распространению разнообразных монтажных приспособлений для линий электропередач, предоставляет пользователям свою новую серию продукции RAM base. Одними из самых востребованных установок данной серии являются специальные влагозащищённые модульные щитки, имеющие прекрасную степень защиты корпуса. В связи с этим подобный вид конструкции набрал очень большую популярность во всех сферах деятельности человека, начиная от бытового или общественного применения и заканчивая промышленной эксплуатацией.

С помощью электрощитов RAM base пользователь без проблем способен создать контрольную точку в любом месте электрической цепи, чтобы производить переподключение или перераспределение энергетического потока к разным потребителям. Так же в данных конструкциях можно устанавливать разнообразные электротехнические устройства, которые при аварийных ситуациях (короткое замыкание, перегрузка и т.д.) разомкнут цепь, тем самым защитят кабельные линии.

Устанавливаются подобные электрощиты на автомобильных мойках, в банях, бассейнах и любых других объектах, где повышен уровень запылённости или большая концентрация влаги в окружающей среде, вплоть до прямого воздействия на корпус струи воды под различным углом. В некоторых случаях электрощиты RAM base используют в промышленной агрессивной среде, благодаря их хорошей стойкости к большим температурным нагрузкам, в связи с тем, что корпус конструкции способен выдерживать до 650°С.

Установка пластиковых электрощитов RAM base производится по принципу накладного монтажа, в связи, с чем человеку не нужно производить специальные подготовительные работы и рушить структуру поверхности. Пользователю надо позаботиться лишь о подводе и размещению электрических коммуникаций, которые он планирует подключать в электрощите. Ввод кабелей и различных проводников, можно осуществлять с любой стороны конструкции установки вплоть до задней стенки. Для данных манипуляций человек должен использовать специальные гермовводы, которые сохранят общую защиту корпуса. Сам по себе корпус конструкции изготовлен из специального пластика, который не поддерживает горение, а может лишь плавиться при прямом воздействии огня. Благодаря этому все электрощиты RAM base обладают хорошим уровнем противопожарной безопасности. Так же на щитах имеются специальные дверцы, способные открываться более чем на 180° и при необходимости могут быть перевешены с одной стороны на другую, для удобства эксплуатации. Дверцы могут быть укомплектованы металлическим замком.

Монтаж электротехнических устройств, таких как переключатели, пусковые кнопки, тумблеры и т.д. осуществляются на DIN рейки, которые расположены в самой конструкции. Дополнительно в щитах устанавливаются шины для подключения большого количества проводников к одному кабелю. Компания DKC дополнительно разработала множество аксессуаров для электрощитов RAM base, в связи, с чем пользователь может в любой момент расширить область применения установок и сделать центральный электрический узел более функциональным.

Определение модуля памяти | PCMag

Узкая печатная плата, на которой размещены микросхемы памяти (микросхемы ОЗУ). Общепринятой архитектурой для настольных компьютеров является модуль памяти с двухрядным расположением выводов (DIMM), который передает 64 бита за раз. Из-за нехватки места в ноутбуках используются модули DIMM малого размера (SODIMM). Модули снабжены прорезями в разных местах, чтобы их нельзя было вставить в неправильные слоты (см. ниже). См. ОЗУ.

Обнаружение и исправление ошибок
В большинстве настольных и портативных компьютеров используются микросхемы оперативной памяти, содержащие восемь бит на байт, в то время как высокопроизводительные серверы и рабочие станции обычно имеют девять бит.Девятый бит является битом четности для обнаружения ошибок. См. Память ECC и RDIMM.

Модернизация памяти — прочтите руководство (RTFM!)
Часто можно использовать один модуль DIMM, но пары модулей DIMM повышают производительность на машинах, поддерживающих двухканальную память DDR SDRAM. При обновлении памяти прочтите руководство по материнской плате, чтобы узнать, какие комбинации модулей можно использовать. См. MT/sec, SDRAM, типы памяти, карта памяти и гибридный куб памяти.


Модули DIMM

Модули DIMM

используются в настольных компьютерах и серверах; ноутбуки используют модули SODIMM.Выемки в нижней части модулей обозначают количество контактов. Однако способ размещения чипов на модуле зависит от производителя.


Более ранние модули

Модули RIMM (Rambus) и SIMM больше не используются. Модули RIMM передавали данные по 16-битным и 32-битным каналам, тогда как модули SIMM были 32-битными. Модули DIMM поддерживают 64-битные пути. См. RDRAM.

Модули DIMM в настольном компьютере

Чтобы заменить память в настольных компьютерах, необходимо открыть шкаф.Два из трех слотов DIMM на этой материнской плате Mac пусты.


Память ноутбука (модули SODIMM)

Чтобы заменить оперативную память ноутбука, обычно необходимо отвинтить защитную пластину в нижней части устройства.


Две карты памяти

Модули оперативной памяти

часто называют «стиками», потому что они размещены на длинных тонких печатных платах.


Модули оперативной памяти | Ньюарк

786777-01

14AJ6329

Модуль оперативной памяти, 8 ГБ, DDR4 SO-DIMM, ноутбук SODIMM

НИ

Каждый

Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

8 ГБ DDR4 SO-DIMM Ноутбук SODIMM
MTA4ATF1G64HZ-3G2E2

98Ах2178

Модуль оперативной памяти, 8 ГБ, PC4-3200, DDR4 SDRAM, ноутбук SODIMM

МИКРОН

Посмотреть дополнительные акции Avnet

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

8 ГБ ПК4-3200 DDR4 SDRAM Ноутбук SODIMM
MTA8ATF1G64HZ-3G2J1

80AH7034

Модуль оперативной памяти, 8 ГБ, 1600 МГц, PC4-3200, DDR4 SO-DIMM, ноутбук SODIMM

МИКРОН

Посмотреть дополнительные акции Avnet

Каждый

Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 100 штук Только кратные 100 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 100 Мульт: 100

8 ГБ 1600 МГц ПК4-3200 DDR4 SO-DIMM Ноутбук SODIMM
МТА18АСФ4Г72ПЗ-3Г2Е1

80AH6993

Модуль оперативной памяти, 32 ГБ, 1600 МГц, PC4-3200, DDR4 RDIMM, сервер RDIMM

МИКРОН

Посмотреть дополнительные акции Avnet

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

32 ГБ 1600 МГц ПК4-3200 DDR4 RDIMM Сервер RDIMM
MTA8ATF2G64HZ-3G2E2

40AJ7752

МОДУЛЬ ОЗУ, DDR4 SO-DIMM, 16 ГБ, 25.6 ГБ/с. СООТВЕТСТВИЕ ROHS: ДА

МИКРОН

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

16 ГИГАБАЙТ ПК4-3200 DDR4 SO-DIMM Ноутбук SODIMM
МТА16АТФ2Г64АЗ-3Г2Ж1

80AH6953

Модуль оперативной памяти, 16 ГБ, 1600 МГц, PC4-3200, DDR4 UDIMM, настольный UDIMM

МИКРОН

Посмотреть дополнительные акции Avnet

Каждый

Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 100 штук Только кратные 100 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 100 Мульт: 100

16 ГИГАБАЙТ 1600 МГц ПК4-3200 DDR4 UDIMM Настольный UDIMM
МТА9АСФ2Г72ПЗ-3Г2Е1

80AH7054

Модуль оперативной памяти, 16 ГБ, 1600 МГц, PC4-3200, DDR4 RDIMM, сервер RDIMM

МИКРОН

Посмотреть дополнительные акции Avnet

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

16 ГИГАБАЙТ 1600 МГц ПК4-3200 DDR4 RDIMM Сервер RDIMM
МТ18КСФ51272АЗ-1Г6К1

80AH7493

Модуль оперативной памяти, 4 ГБ, 800 МГц, PC3-12800, DDR3L UDIMM, настольный UDIMM

МИКРОН

Посмотреть дополнительные акции Avnet

Каждый

Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 100 штук Только кратные 100 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 100 Мульт: 100

4ГБ 800 МГц ПК3-12800 DDR3L UDIMM Настольный UDIMM
IN4V16GNELSX

24АДЖ0734

ПАМЯТЬ, 16 ГБ DDR4 SODIMM, PC4-21333 СООТВЕТСТВИЕ ROHS: ДА

ИНТЕГРАЛ

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

16 ГИГАБАЙТ ПК4-21333 DDR4 SO-DIMM Ноутбук SODIMM Универсальная оперативная память ноутбука
ТС256МЛК64В8У

19X2192

ПАМЯТЬ, 2 ГБ, DIMM, DDR2, 800 МГц

ПЕРЕХОД

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

2 ГБ 800 МГц ПК2-6400 DDR2 DIMM DIMM для настольных ПК
МТ8КТФ51264ХЗ-1Г9П1

80AH8517

Модуль оперативной памяти, 4 ГБ, 933 МГц, PC3-14900, DDR3L SO-DIMM, ноутбук SODIMM

МИКРОН

Посмотреть дополнительные акции Avnet

Каждый

Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 100 штук Только кратные 100 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 100 Мульт: 100

4ГБ 933 МГц ПК3-14900 DDR3L SO-DIMM Ноутбук SODIMM
785346-01

14АДЖ6086

Модуль оперативной памяти, 4 ГБ, 1 шт.866 ГГц, PC3-14900, DDR3L SO-DIMM, SODIMM для ноутбуков, контроллер PXI(e)8840

НИ

Каждый

Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

4ГБ 1.866 ГГц ПК3-14900 DDR3L SO-DIMM Ноутбук SODIMM
CT51264BF160B

15AJ2107

ПАМЯТЬ, 4 ГБ, DDR3 SODIMM, 1600 МГц, CRUCIAL ROHS СОВМЕСТИМО: ДА

ВАЖНАЯ ПАМЯТЬ

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

4ГБ 1600 МГц ПК3-12800 DDR3 SO-DIMM Ноутбук SODIMM Решающая динамическая память
МТА18АСФ4Г72ПДЗ-3Г2Е1

80AH6989

Модуль оперативной памяти, 32 ГБ, 1600 МГц, PC4-3200, DDR4 RDIMM, сервер RDIMM

МИКРОН

Посмотреть дополнительные акции Avnet

Каждый

Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 100 штук Только кратные 100 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 100 Мульт: 100

32 ГБ 1600 МГц ПК4-3200 DDR4 RDIMM Сервер RDIMM
786776-01

14АДЖ6328

Модуль оперативной памяти, 16 ГБ, DDR4 SO-DIMM, ноутбук SODIMM

НИ

Каждый

Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

16 ГИГАБАЙТ DDR4 SO-DIMM Ноутбук SODIMM
МТА18АСФ4Г72ПЗ-3Г2Б1

80AH6992

Модуль оперативной памяти, 32 ГБ, 1600 МГц, PC4-3200, DDR4 RDIMM, сервер RDIMM

МИКРОН

Посмотреть дополнительные акции Avnet

Каждый

Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 100 штук Только кратные 100 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 100 Мульт: 100

32 ГБ 1600 МГц ПК4-3200 DDR4 RDIMM Сервер RDIMM
МТА18АСФ2Г72ПЗ-2Г9Е1

80AH6980

Модуль оперативной памяти, 16 ГБ, 1466 МГц, PC4-2933, DDR4 RDIMM, сервер RDIMM

МИКРОН

Посмотреть дополнительные акции Avnet

Каждый

Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 100 штук Только кратные 100 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 100 Мульт: 100

16 ГИГАБАЙТ 1466 МГц ПК4-2933 DDR4 RDIMM Сервер RDIMM
ТС1ГЛК64В6Х

19X2180

ПАМЯТЬ, 8 ГБ, DIMM, DDR3, 1600 МГц

ПЕРЕХОД

Каждый

Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров в наличии.
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

8 ГБ 1600 МГц ПК3-12800 DDR3 DIMM DIMM для настольных ПК
МТА16АТФ2G64HZ-2G6E1

80AH6954

Модуль оперативной памяти, 16 ГБ, 1333 МГц, PC4-2666, DDR4 SO-DIMM, ноутбук SODIMM

МИКРОН

Посмотреть дополнительные акции Avnet

Каждый

Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 100 штук Только кратные 100 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 100 Мульт: 100

16 ГИГАБАЙТ 1333 МГц ПК4-2666 DDR4 SO-DIMM Ноутбук SODIMM
МТА8АТФ1Г64АЗ-2Г6Е1

80AH7027

Модуль оперативной памяти, 8 ГБ, 1333 МГц, PC4-2666, DDR4 UDIMM, настольный UDIMM

МИКРОН

Посмотреть дополнительные акции Avnet

Каждый

Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 100 штук Только кратные 100 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 100 Мульт: 100

8 ГБ 1333 МГц ПК4-2666 DDR4 UDIMM Настольный UDIMM
МТА18АСФ4Г72ПДЗ-2Г9Е1

80AH6987

Модуль оперативной памяти, 32 ГБ, 1466 МГц, PC4-2933, DDR4 RDIMM, сервер RDIMM

МИКРОН

Посмотреть дополнительные акции Avnet

Каждый

Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 100 штук Только кратные 100 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 100 Мульт: 100

32 ГБ 1466 МГц ПК4-2933 DDR4 RDIMM Сервер RDIMM
МТ16КТФ1Г64ХЗ-1Г9П1

80AH7486

Модуль оперативной памяти, 8 ГБ, 933 МГц, PC3-14900, DDR3L SO-DIMM, ноутбук SODIMM

МИКРОН

Посмотреть дополнительные акции Avnet

Каждый

Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 100 штук Только кратные 100 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 100 Мульт: 100

8 ГБ 933 МГц ПК3-14900 DDR3L SO-DIMM Ноутбук SODIMM
МТА9АСФ1Г72АЗ-2Г6Е1

80AH7044

Модуль оперативной памяти, 8 ГБ, 1333 МГц, PC4-2666, DDR4 UDIMM, настольный UDIMM

МИКРОН

Посмотреть дополнительные акции Avnet

Каждый

Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 100 штук Только кратные 100 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 100 Мульт: 100

8 ГБ 1333 МГц ПК4-2666 DDR4 UDIMM Настольный UDIMM
МТА9АСФ1Г72ПЗ-3Г2Е2

80AH7050

Модуль оперативной памяти, 8 ГБ, 1600 МГц, PC4-3200, DDR4 RDIMM, сервер RDIMM

МИКРОН

Посмотреть дополнительные акции Avnet

Каждый

Запрещенный предмет

Минимальный заказ 1 шт. Только кратные 1 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 1 Мульт: 1

8 ГБ 1600 МГц ПК4-3200 DDR4 RDIMM Сервер RDIMM
МТА9АДФ2Г72АЗ-3Г2Б1

80AH7043

DDR4 16 ГБ EUDIMM

МИКРОН

Посмотреть дополнительные акции Avnet

Каждый

Не подлежит отмене/возврату
Запрещенный предмет

Минимальный заказ 100 штук Только кратные 100 Пожалуйста, введите действительное количество

Добавлять

Мин: 100 Мульт: 100

Samsung создает колоссальный модуль памяти DDR5 емкостью 512 ГБ – Blocks and Files

Компания Samsung выпустила самую большую в мире флешку DDR5 DRAM емкостью 512 ГБ.

Обновление : 26 марта; Запрошена претензия Samsung по скорости.

DDR5 или Double Data Rate 5 быстрее, чем предыдущая стандартная DRAM DDR4. В 2015 году чип Samsung DDR4 емкостью 128 ГБ обеспечивал скорость до 3200 мегабит в секунду (Мбит/с). Samsung утверждает, что новый модуль DDR5 выдает 7200 Мбит/с, что более чем в два раза превышает скорость модуля DDR4, но с этим утверждением есть проблема, как мы отмечаем ниже.

Янг-Су Сон (Young-Soo Sohn) из Samsung Electronics, вице-президент группы по планированию и внедрению памяти DRAM, заявил в своем заявлении: «Привнося этот тип технологических инноваций в производство DRAM, мы можем предложить нашим клиентам высокопроизводительные, но энергоэффективные решения для памяти для питания компьютеров, необходимых для медицинских исследований, финансовых рынков, автономного вождения, умных городов и многого другого.

Модуль Samsung DDR5 с 20 чипами по 16 ГБ.

JEDEC, орган по стандартизации полупроводниковой промышленности, указал, что DDR5 имеет удвоенную пропускную способность и емкость по сравнению с DDR4. Это называется двойной скоростью передачи данных, потому что за один такт (MT/sec) передаются два сообщения.

Проблема с претензией на скорость

Стандарт JEDEC DDR5 определяет скорость от 3200 до 6400 Мбит/с, а скорость Samsung 7200 Мбит/с выходит за этот диапазон. Наше родственное издание Reg считает, что Samsung, возможно, транспонировала мегапередачи в секунду (МТ/с) и Мбит/с, так как 7200 МТ/с более чем в два раза превышают 3200 МТ/с у DDR4.

В документе Samsung от января 2020 года говорится, что максимальная скорость передачи данных DDR5 составляет до 4800 Мбит/с. Однако изображение и текст в онлайн-документе Samsung ясно указывают на 7200 Мбит/с;

Как Samsung удалось превзойти скорость JEDEC DDR5? Похоже, у него очень умная технология или, возможно, допущена ошибка транспонирования. Мы спросили Samsung, имело ли место преобразование Мбит/с в МТ/с, и компания отрицала, что это произошло.

Представитель Samsung сказал: «Мы объявили, что наша память DDR5 может поддерживать скорость до 7200 Мбит/с, что, как вы можете видеть, значительно превышает первоначальный стандарт, установленный JEDEC.

Детали модуля

Модуль

Samsung DDR5 состоит из 32 чипов по 16 ГБ, изготовленных по 10-нанометровому техпроцессу. Они состоят из 8 кристаллов микросхем DRAM емкостью 16 Гбит/с толщиной в несколько микрон, уложенных один над другим и соединенных тысячами сквозных кремниевых переходных отверстий (TSV). Это электроды, которые проникают в штампы через микроскопические отверстия. Технология TSV является альтернативой соединению кристаллов компонентов с помощью проводов и чипа буфера данных. TSV обеспечивают более высокие стеки кристаллов, а также меньшую занимаемую площадь кристалла, а функции буфера данных включены в основной чип управления внутри корпуса чипа DDR5.

Диаграмма блоков и файлов чипа Samsung DDR5 16GB .

Samsung использовал межсоединения кристаллов TSV в памяти DDR4 еще в 2015 году. Он имел емкость 128 ГБ с использованием кристаллов 8 ГБ.

Материал High-K Metal Gate (HKMG) изолирует кристаллы DDR5 друг от друга, где «K» — научная константа, указывающая на изоляционную способность. По мере того, как кристаллы DRAM становятся физически меньше, изоляционный слой становится тоньше. Материал HKMG обеспечивает лучшую изоляционную эффективность, чем существующие материалы затвора из диоксида кремния, предотвращая утечку электрического тока из кристаллов.Samsung утверждает, что ее модуль HKMG DDR5 будет потреблять примерно на 13% меньше энергии, чем другие модули DRAM, помогая использовать энергию центра обработки данных.

Кэролин Дюран, вице-президент и генеральный директор по технологиям памяти и ввода-вывода в Intel, заявила в заявлении для прессы, что «инженерные группы Intel тесно сотрудничают с лидерами в области памяти, такими как Samsung, для создания быстрой, энергоэффективной памяти DDR5, оптимизированной по производительности и совместимой с нашими будущие процессоры Intel Xeon Scalable под кодовым названием Sapphire Rapids».

Micron начала пробовать свои модули памяти DDR5 в январе 2020 года.SK hynix анонсировала DDR5 DRAM в октябре 2020 года.

Компания Samsung предлагает заказчикам образцы различных вариантов своего семейства продуктов памяти DDR5 для проверки и, возможно, сертификации.

Что такое DIMM (двухрядный модуль памяти)?

Прежде чем разбираться в модулях DIMM, полезно получить информацию об оперативной памяти и ее аксессуарах, а также о том, как они работают.

ОЗУ — это микросхема, состоящая из нескольких электронных элементов, в которых хранятся временные рабочие данные вашей системы, которые можно читать и записывать.Для работы оперативной памяти требуется электропитание, поэтому при выключении системы все данные из оперативной памяти исчезают. Он установлен на материнской плате.

 

Микросхемы оперативной памяти не устанавливаются на материнскую плату по отдельности из-за меньшей емкости, поэтому в прежние времена несколько микросхем спаивались вместе и преобразовывались в «модули» (интегральные платы), и эти модули монтировались поверх материнская плата с помощью «контактов» (также известных как разъемы).



Типы модулей

Есть два типа модулей в оперативной памяти:

  • Одноизоляционные модуль памяти модуля (SIMM)
  • модуль памяти двойной ввода (DIMM)

В случае SIMM разъемы присутствуют только на одной стороне модуля и соединены между собой накоротко.SIMM всегда используются в согласованных парах. Максимальное хранение данных, предлагаемое SIMM, составляет 32 бита/цикл, а потребление напряжения составляет 5 вольт.

По мере развития технологий модуль SIMM устарел и был заменен модулем DIMM. DIMM имеет ряд разъемов с обеих сторон (спереди и сзади) модуля, и разъемы независимы. Это привело к удвоению емкости модулей DIMM при том же количестве оперативной памяти, что позволило поддерживать 64-разрядные процессоры. В то время как две SIMM-флешки будут использоваться параллельно для 64-битной ширины данных (что является недостатком!).Потребляемое напряжение модуля DIMM составляет 3,3 вольта, что сравнительно ниже. Он не имеет обратной совместимости, т. е. его нельзя использовать на материнских платах со слотами SIMM. Поврежденную или испорченную часть оперативной памяти проще заменить на DIMM.

Это доказывает, что DIMM явно превосходит SIMM по скорости, задержке и энергопотреблению. DIMM обычно доступен с 168, 184, 214 или 244 контактами.

Классификация DIMM

DIMM можно классифицировать на основе размера буфера и типа RAM:

    • DIMM Классификация на основе размера буфера:
      • Невероятные DIMM (UDimm): Система напрямую считывает/записывает с/на микросхему памяти без проверки, что увеличивает электрическую нагрузку на материнскую плату, но работает очень быстро.
      • Зарегистрированный модуль DIMM (RDIMM): использует регистр, который буферизует сигналы, что увеличивает тактовый цикл, но является более надежным.
    • Классификация DIMM на основе типа ОЗУ:  
      • SDRAM (синхронная динамическая ОЗУ) DIMM: Это была первая динамическая ОЗУ, которая синхронизировалась с системными часами. Частота обновления была намного ниже из-за повторного доступа к данным после нарастающего полупериода.
      • SDR (одинарная скорость передачи данных) DIMM: одиночная скорость передачи данных означает, что доступ к пакету данных осуществляется только один раз за такт.Последовательные данные можно считывать через контакты последовательных данных на модуле DIMM, что позволяет материнской плате автоматически настраивать тип установленного модуля DIMM.
      • DDR (двойная скорость передачи данных) DIMM: Доступ к пакету данных осуществляется дважды за каждый такт. В модулях DIMM DDR также используются два выреза с каждой стороны, что обеспечивает совместимость как с низкопрофильными, так и с высокопрофильными разъемами с защелкой.
      • DDR2 DIMM: Основное различие между DDR ​​и DDR2 заключается в том, что в DDR2 частота шины удваивается по сравнению с ячейками памяти, поэтому данные могут передаваться в четыре раза быстрее за цикл ячейки памяти.

     

    Как правильно выбрать модуль DIMM?

    Размеры модулей DIMM варьируются от micro ATX до стандартных материнских плат, поэтому нет. булавки является важным фактором. При покупке планки ОЗУ рейтинги такие, как 16 ГБ ОЗУ, могут быть 1X16 ГБ (1 модуль DIMM и 16 ГБ ОЗУ каждый), 2X8 ГБ (2 модуля DIMM и 8 ГБ ОЗУ каждый) или 4X4 ГБ (4 модуля DIMM и 4 ГБ ОЗУ каждый). Следует также учитывать рабочую частоту и максимальную частоту разгона.
     

    Изучите концепции CS Theory для SDE-интервью с курсом CS Theory Course по доступной для студентов цене и станьте готовым к работе в отрасли.

     

    В чем разница между модулями памяти DDR, DDR2, DIMM, SODIMM и MicroDIMM?

    DIMM, SODIMM и MicroDIMM — это разные типы двухрядных модулей памяти. Эти модули памяти состоят из ряда компонентов памяти, прикрепленных к печатной плате с золотыми штырями внизу, чтобы обеспечить соединение между модулем и разъемом на материнской плате. Все они используются для предоставления компьютеру синхронной динамической памяти с произвольным доступом (SDRAM).

    В настоящее время существует два стандарта для различных типов модулей DIMM: DDR (двойная скорость передачи данных) и DDR2 (двойная скорость передачи данных2).DDR2 — это, по сути, модернизированная версия стандарта DDR, которая позволяет использовать модули памяти с меньшим энергопотреблением, большим тепловыделением, повышенными скоростными возможностями, большей емкостью памяти и повышенной производительностью.

    ПРИМЕЧАНИЯ:

    • Хотя модули DDR2 имеют те же основные размеры, что и модули DDR, они имеют другое напряжение и конфигурацию контактов. Из-за этих различий модули DDR2 имеют другой ключ (выемку в разъеме), предотвращающий их вставку в несовместимое гнездо.Это означает, что модули памяти DDR2 подходят только к компьютерам с материнскими платами, предназначенными для поддержки памяти DDR2, и не подходят к компьютерам с материнскими платами, предназначенными для поддержки модулей памяти DDR.
    • Некоторые модули памяти также имеют спецификацию CAS Latency (CL). CAS — это сокращение от Column Address Strobe или Column Address Select. Число CL представляет собой количество тактовых циклов (время), необходимое контроллеру памяти для отправки запроса на чтение ячейки памяти и отправки запрошенных данных через выходные контакты модуля.Чем ниже номер CL модуля памяти (при одинаковой частоте/скорости памяти), тем лучше будет работать компьютер.

    Эта таблица иллюстрирует разницу в свойствах модулей памяти DDR и DDR2:

    напряжение 2,5 вольт 1,8 вольт 1,8 вольт более низкое энергопотребление и больший рассеивание тепла
    Размер 128 МБ до 1 ГБ 256 МБ до 4 ГБ большего размера памяти
    скорость 200, 266, 333 и 400 MHZ и 400 MHZ 400, 533 и 667 MHZ Speed ​​возможности выше 400 МГц
    пропускная способность До 6.4 ГБ в секунду Двухканальный, до 10,6 ГБ в секунду Более высокая производительность памяти

    В этой таблице показаны различные типы модулей памяти и соответствующие конфигурации контактов для версий DDR и DDR2 этих модулей:

    900PIN 2,5 В
    Необъемлющий DIMM 240PIN 1,8 В 184PIN 2.5V
    Зарегистрированные DIMM 240PIN 1.8V 184PIN 2.5V
    SODIMM 200PIN 1.8V 200PIN 2.5V
    244Pin 1.8V N / A
    Microdimm 214PIN 1.8V 172PIN 2.5V

    Примечания:

    • DIMM — это модуль памяти, предназначенный для настольных компьютеров и рабочих станций низкого уровня.
    • Зарегистрированный модуль DIMM — это модуль памяти, предназначенный для сетевых серверов и высокопроизводительных рабочих станций.
    • SODIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) — это модуль памяти с меньшими размерами и толщиной, чем стандартные модули DIMM, предназначенный в первую очередь для ноутбуков.
    • Модуль памяти MicroDIMM имеет меньшие размеры и толщину, чем стандартные модули SODIMM, и предназначен для мобильных, тонких и сверхлегких ноутбуков.

    7 вещей, которые вы можете сделать

    Если вы когда-либо модернизировали свой ПК или ноутбук, велика вероятность, что этот процесс включал в себя установку дополнительной оперативной памяти. Повышение производительности оборудования за счет дополнительной или более быстрой памяти — всегда разумный вариант.

    Но при обновлении может что-то остаться: старая оперативная память.

    Итак, что вы можете сделать со своими старыми модулями оперативной памяти? Можно ли их использовать повторно? Или переработанный? Должны ли они быть выброшены в мусорное ведро? Вот семь способов найти новую цель для старой памяти ПК.

    Утилизация старых микросхем ОЗУ

    Модернизация ОЗУ вашего компьютера — отличный способ повысить производительность, как правило, при выборе более быстрой ОЗУ или большего объема ОЗУ.

    Необычно получить такие бонусы, не имея ничего лишнего.Часто вы обнаружите, что один или несколько модулей оперативной памяти необходимо удалить, чтобы установить новые. Модули памяти обычно устанавливаются парами, оба имеют одинаковый объем памяти, скорость и одного производителя.

    В конце концов, ваша система может работать так же быстро, как ваш самый медленный модуль оперативной памяти. Эта физическая необходимость означает, что может быть довольно много потерь оперативной памяти.

    1. Используйте старую оперативную память для обновления старых компьютеров

    Изображение предоставлено: Эдмунд Це через Flickr

    В большинстве случаев оперативная память, удаленная с ПК или ноутбука, может быть повторно использована на старой машине.Если вы потратите время на проверку совместимости с целевым устройством, это должно быть просто. При замене оперативной памяти вам необходимо принять те же антистатические меры предосторожности.

    Но какую оперативную память вы используете? И как узнать, примет ли целевая машина модули?

    Существуют различные типы оперативной памяти с разной скоростью. У вас также есть несколько форм-факторов: SIMM, DIMM, SODIMM.

    Связано: Краткое и грязное руководство по оперативной памяти

    Несколько инструментов доступны онлайн, чтобы помочь вам.Вы можете использовать Crucial System Advisor, чтобы выбрать комбинацию материнской платы и процессора целевого компьютера. Затем инструмент посоветует правильные модули оперативной памяти для установки. Лучше всего запустить это на обоих компьютерах и искать совпадения в совместимости модулей ОЗУ.

    2. Пожертвуйте местной школе или Makerspace

    Изображение предоставлено: Библиотека CSM через Flickr

    Сокращение бюджета означает, что местным учреждениям (например, школам, церквям, общественным центрам) требуется любое оборудование, которое они могут получить.Вот тут-то и пригодится ваша старая оперативная память.

    Естественно, существуют процедуры, которым необходимо следовать при передаче оборудования. В случае с модулями оперативной памяти это должно быть просто, поскольку они нестабильны. Это означает, что любые данные, хранящиеся на них, теряются при отключении питания, в отличие от жестких дисков. (Диски требуют тщательной очистки и удаления перед продажей или подарком.)

    Хобби-пространства (известные также как «makerspaces») также являются отличной мишенью для оперативной памяти. Существует множество способов повторного использования модулей оперативной памяти, от обучения основам сборки ПК до полного перепрофилирования модулей.

    3. Подключите старую оперативную память к плате Arduino

    В соответствии с идеей DIY или makerspace, почему бы не подключить модули оперативной памяти к плате для любителей Arduino для дополнительного хранения?

    С помощью припоя, проводов, макетной платы и кода модули оперативной памяти 1980-х годов были успешно адаптированы для хранения данных Arduino.

    По общему признанию, 16-мегабайтные модули в зажиме могут предложить только 256 КБ для подключенного Arduino UNO из-за аппаратных ограничений.Таким образом, это не большой долгосрочный проект, но область, в которой могут быть сделаны захватывающие разработки.

    Это может потребовать некоторых специальных знаний, но если вы можете объединиться с другими, это проект, за которым стоит следить.

    Связанный: Начало работы с Arduino

    4. Создайте RAM-диск

    Изображение предоставлено: Driveforspeed/Wikimedia Commons

    . Другой способ перепрофилировать один или несколько модулей ОЗУ — создать RAM-диск.По сути, это устройство, к которому вы можете подключить старые модули оперативной памяти. Некоторые из них были произведены за эти годы с разной степенью успеха.

    Таким примером является твердотельное запоминающее устройство Gigabyte i-RAM (и его альтернативы). Все, что вам нужно сделать, это вставить совместимые модули памяти в устройство и включить его. Поскольку модули оперативной памяти энергозависимы, такие устройства оснащены батареей для безопасного хранения данных при выключенном ПК.

    Большинство таких устройств с RAM-дисками напоминают приведенную выше карту PCI.Если вы можете достать один, его стоит попробовать, но он может быть дорогим, так как он больше не производится. Технология зашла в тупик с разработкой твердотельных накопителей, поэтому физические RAM-диски остаются чем-то вроде редкости, но отличным местом для старых модулей RAM!

    5. Сделайте свою собственную цепочку для ключей с компьютерным чипом

    Это намного проще, чем может показаться. Все, что вам нужно, это несколько брелоков (вы можете купить их оптом на eBay) и ручной вращающийся инструмент. Вам также понадобится защитная маска от пыли и защитные очки.

    Модули оперативной памяти

    для настольных ПК слишком длинные, чтобы их можно было использовать в качестве цепочки для ключей, поэтому разрежьте их посередине. Оперативная память старого ноутбука уже должна быть подходящего размера.

    Место разреза зависит от двух вещей: сколько брелков вы хотите получить от каждого модуля оперативной памяти и где находятся отверстия.

    Почти всегда модули оперативной памяти поставляются с крошечными отверстиями, размер которых идеально подходит для продевания связок ключей. Это означает, что вам не нужно беспокоиться ни о каком сверлении — просто обрежьте, сгладьте края и прикрепите ключи.

    На таких сайтах, как Etsy, есть целый рынок, так что изучите рынок и посмотрите, как вы можете их улучшить. Тем временем, если у вас есть запасная материнская плата, подумайте о том, чтобы сделать коврики или чехлы для ноутбуков.

    Связанный: Способы переработки старой материнской платы

    Что бы вы ни делали, обязательно надевайте маску и защитные очки! Пыль, которая приводит к разрезанию модулей оперативной памяти, опасна при вдыхании, а осколки могут вызвать слепоту.

    6. Бесплатные модули оперативной памяти

    Изображение предоставлено: Уильям Хук через Flickr

    Еще один простой вариант — просто раздать модули. Возможно, вы могли бы использовать Facebook или Freecycle, чтобы сообщить миру, что у вас есть немного оперативной памяти? Просто не забудьте сообщить им тип и для каких устройств это будет подходящим расширением.

    В качестве альтернативы, почему бы не сдать модули в местный секонд-хенд или церковный магазин? Если они не могут использовать модули сами, они могут продать их за несколько долларов.

    Не можете найти интерес? Быстрый листинг на eBay с минимальной ценой (возможно, с бесплатной пересылкой по почте), вероятно, вызовет чей-то интерес.

    7. Не утилизируйте ОЗУ без оплаты

    Из всех предложений здесь самое важное: безопасная утилизация имеет первостепенное значение. Вы не хотите, чтобы оборудование оказалось на свалке, где химические вещества могут со временем просочиться и вызвать экологические проблемы.

    Это означает, что если вы решите просто утилизировать модули оперативной памяти, вам следует сделать это через надежную организацию.Быстрый онлайн-поиск покажет местные компании, которым вы можете заплатить небольшую плату за безопасную утилизацию.

    Связанный: Как найти завод по переработке в США

    Не ведитесь на «бесплатные» услуги по утилизации. Они, по сути, разбирают старое оборудование на любые обслуживаемые/многоразовые детали, а затем выбрасывают то, что осталось, на свалку. Бесплатные переработчики могут забрать ваши старые модули оперативной памяти и использовать их, но это не гарантируется.

    Вы переработали свою оперативную память: что теперь?

    Благодаря семи различным способам переработки старых модулей оперативной памяти у вас не будет оправдания, если вы не обеспечите их безопасное повторное использование.

    Вот семь способов переработки или повторного использования оперативной памяти:

    1. Обновите старый ПК
    2. Пожертвуйте местной школе или makerspace
    3. Увеличьте объем памяти вашего Arduino
    4. Создайте RAM-диск
    5. Брелки с компьютерными чипами своими руками
    6. Freecycle старая оперативная память
    7. Утилизируйте с помощью утвержденного утилизации

    Если у вас есть старая оперативная память, есть большая вероятность, что вы сохранили какие-то другие компоненты компьютера.Вот как повторно использовать старый жесткий диск.

    Что мне делать со старым ноутбуком?

    Собираетесь купить новый ноутбук? Вот что вы можете сделать со своим старым, если он все еще работает, от утилизации до продажи и так далее.

    Читать Далее

    Об авторе Кристиан Коули (опубликовано 1555 статей)

    Заместитель редактора по вопросам безопасности, Linux, DIY, программирования и технических объяснений, а также продюсер действительно полезных подкастов с большим опытом поддержки настольных компьютеров и программного обеспечения.Сотрудник журнала Linux Format, Кристиан — мастер Raspberry Pi, любитель Lego и поклонник ретро-игр.

    Более От Кристиана Коули
    Подпишитесь на нашу рассылку

    Подпишитесь на нашу рассылку технических советов, обзоров, бесплатных электронных книг и эксклюзивных предложений!

    Нажмите здесь, чтобы подписаться

    Цены на серверную память | Сервер RAM Модуль Прайс-лист и тенденции

    2V 2V 2V 1.2V 9×052 1R2V 1,35 9035V 9035V 935V 1,35
    $ 3,224 USD $ 3,224 USD 256 ГБ DDR4-2933 PC4-23466U-R ECC RDIMM 256GB DDR4-2933 PC4-23466U-R ECC RDIMM 8RX4 1.2V
    $ 898 USD 128GB DDR4-3200 ECC PC4-25600L LRDIMM 128GB DDR4-3200 PC4-25600L ECC LRDIMM 4Rx4 1.2V
    $ 798 USD 128GB DDR4-3200 ECC RDIMM PC4-25600R 128GB DDR4-3200 PC4-25600R ECC RDIMM 4Rx4 1.2V
    $ 858 USD 128GB DDR4-2933 PC4 -23466U-L ECC LRDIMM 128GB DDR4-2933 PC4-23466U-L ECC LRDIMM 4Rx4 2V
    $ 798 USD 128GB DDR4-2933 PC4-23466U-R ECC RDIMM 128GB DDR4-2933 PC4-23466U-R ECC RDIMM 4Rx4 1.2V
    $ 980 USD 128GB DDR4-2666 PC4-21300V-L ECC LRDIMM 128GB DDR4-2666 PC4-21300V-L ECC LRDIMM 8Rx4 1.2V
    $ 1048 USD 128GB DDR4-2666 PC4-21300V-R ECC Rdimm 128GB 128GB DDR4-2666 PC4-21300V-R ECC RDIMM 8RX4 1.2V
    $ 998 USD 128GB DDR4-2400 PC4-19200T-L ECC LRDIMM 128GB DDR4-2400 PC4-19200T-L ECC LRDIMM 8Rx4 1.2V
    $ 998 USD 128GB DDR4-2400 PC4-19200T-R ECC RDIMM 128GB DDR4-2400 PC4-19200T-R ECC RDIMM 8Rx4 1.2V
    $ 338 USD 64 ГБ DDR4-3200 PC4-25600R ECC RDIMM 64 ГБ 64 ГБ DDR4-3200 PC4-25600R ECC RDIMM 2RX4 1.2V
    $ 368 USD 64GB DDR4-3200 ECC RDIMM PC4-25600R 64GB DDR4-3200 PC4-25600R ECC RDIMM 8Rx4 1.2V
    $ 372 USD 64GB DDR4-3200 ECC PC4-25600L LRDIMM 64GB DDR4-3200 PC4-25600L ECC LRDIMM 4Rx4 1.2V
    $ 328 USD 64GB DDR4-2933 PC4 -23466U-R ECC RDIMM 64 ГБ DDR4-2933 PC4-23466U-R ECC RDIMM 2Rx4
    $ 368 USD 64GB DDR4-2933 PC4-23466U-L ECC LRDIMM 64GB DDR4-2933 PC4-23466U-L ECC LRDIMM 4Rx4 1.2V
    $ 338 USD 64GB DDR4-2666 PC4-21300V-R ECC RDIMM 64GB DDR4-2666 PC4-21300V-R ECC RDIMM 2Rx4 1.2V
    $ 338 USD 64 ГБ DDR4-2666 PC4-21300V-L ECC LRDIMM 64GB 64GB DDR4-2666 PC4-21300V-L ECC LRDIMM 4RX4 1.2V
    $ 348 USD 64GB DDR4-2666 PC4-21300V-R ECC RDIMM 64GB DDR4-2666 PC4-21300V-R ECC RDIMM 4Rx4 1.2V
    $ 324 USD 64GB DDR4-2400 PC4-19200T-R ECC RDIMM 64GB DDR4-2400 PC4-19200T-R ECC RDIMM 4Rx4 1.2V
    $ 318 USD 64 ГБ DDR4-2400 PC4-19200T-L ECC LRDIMM 64GB 64GB 64GB DDR4-2400 PC4-19200T-L ECC LRDIMM 4RX4 1.2V
    $ 424 USD 64GB DDR4-2133 PC4-17000P-R ECC RDIMM 64GB DDR4-2133 PC4-17000P-R ECC RDIMM 4Rx4 1.2V
    $ 328 USD 64GB DDR4-2133 PC4-17000P-R ECC RDIMM 64GB DDR4-2133 PC4-17000P-R ECC RDIMM 8Rx4 1.2V
    $ 318 USD 64GB DDR4-2133 PC4-17000P-L ECC LRDIMM 64 ГБ 64 ГБ DDR4-2133 PC4-17000P-L ECC LRDIMM 4RX4 1.2V
    $ 172 USD 32GB DDR4-3200 ECC RDIMM PC4-25600R 32GB DDR4-3200 PC4-25600R ECC RDIMM 2Rx8 1.2V
    $ 198 USD 32GB DDR4-3200 ECC PC4-25600E UDIMM 32GB DDR4-3200 PC4-25600E ECC UDIMM 2Rx8 1.2V
    $ 168 USD 32GB DDR4-3200 PC4 -25600R ECC RDIMM 32 ГБ DDR4-3200 PC4-25600R ECC RDIMM 1Rx4 2V
    $ 204 USD 32GB DDR4-3200 PC4-25600S ECC SODIMM 32GB DDR4-3200 PC4-25600S ECC SODIMM 2Rx8 1.2V
    $ 168 USD 32GB DDR4-3200 ECC RDIMM PC4-25600R 32GB DDR4-3200 PC4-25600R ECC RDIMM 2Rx4 1.2V
    $ 172 USD 32GB DDR4-2933 PC4 -23466U-R ECC RDIMM 32 ГБ DDR4-2933 PC4-23466U-R ECC RDIMM 2Rx4
    $ 188 USD 32GB DDR4-2933 PC4-23466U-E ECC UDIMM 32GB DDR4-2933 PC4-23466U-E ECC UDIMM 2Rx8 1.2V
    $ 128 USD 32GB DDR4-2666 PC4-21300V-R ECC RDIMM 32GB DDR4-2666 PC4-21300V-R ECC RDIMM 2Rx4 1.2V
    $ 144 USD 32GB DDR4-2666 PC4-21300V-L ECC Lrdimm 32GB 32GB DDR4-2666 PC4-21300V-L ECC LRDIMM 2RX4 1.2V
    $ 174
    $ 174 USD 32GB DDR4-2666 PC4-21300V-S ECC SODIMM 32GB DDR4-2666 PC4-21300V-S ECC SODIMM 2RX8 1.2V
    $ 192 USD 32GB DDR4-2666 PC4-21300V-E ECC UDIMM 32GB DDR4-2666 PC4-21300V-E ECC UDIMM 2Rx8 1.2V
    $ 118 USD 32GB DDR4-2400 PC4-19200T-R ECC RDIMM 32GB 32GB DDR4-2400 PC4-19200T-R ECC RDIMM 2RX4 1.2V
    $ 154 USD 32GB DDR4-2400 PC4-19200T-L ECC LRDIMM 32GB DDR4-2400 PC4-19200T-L ECC LRDIMM 4Rx4 1.2V
    $ 132 USD 32GB DDR4-2400 PC4-19200T-L ЕСС LRDIMM 32GB DDR4-2400 PC4-19200T-L ЕСС LRDIMM 2Rx4 1.2V
    $ 98 USD 32GB DDR4-2133 PC4-17000P-R ECC RDIMM 32GB DDR4-2133 PC4-17000P-R ECC RDIMM 2RX4 1.2V
    $ 98 USD 32GB DDR4-2133 PC4-17000P-L ЕСС LRDIMM 32GB DDR4-2133 PC4-17000P-L ЕСС LRDIMM 4Rx4 1.2V
    $ 92 USD 16GB DDR4-3200 ECC RDIMM PC4-25600R 16GB DDR4-3200 PC4-25600R ECC RDIMM 1Rx4 1.2V
    $ 88 USD 16GB DDR4-3200 PC4-25600R ECC RDIMM 16 ГБ DDR4-3200 PC4-25600R ECC RDIMM 2Rx8 92V
    $ 104 USD 16GB DDR4-3200 ECC PC4-25600E UDIMM 16GB DDR4-3200 PC4-25600E ECC UDIMM 2Rx8 1.2V
    $ 108 USD 16GB DDR4-3200 PC4-25600S ECC SODIMM 16GB DDR4-3200 PC4-25600S ECC SODIMM 2Rx8 1.2V
    $ 104 USD 16GB DDR4-2933 PC4 -23466U-E ECC UDIMM 16GB DDR4-2933 PC4-23466U-E ECC UDIMM 2Rx8
    $ 98 USD 16GB DDR4-2933 PC4-23466U-R ECC RDIMM 16GB DDR4-2933 PC4-23466U-R ЕСС RDIMM 1Rx4 1.2V
    $ 84 USD 16GB DDR4-2933 PC4-23466U-R ECC RDIMM 16GB DDR4-2933 PC4-23466U-R ECC RDIMM 2Rx8 1.2V
    $ 108 USD 16 ГБ DDR4-2933 PC4-23466U-S ECC SODIMM 16GB DDR4-2933 PC4-23466U-S ECC Sodimm 2RX8 1.2V
    $ 94 USD 16GB DDR4-2666 PC4-21300V-S ECC SODIMM 16GB DDR4-2666 PC4-21300V-S ECC Sodimm 2RX8 1.2V
    $ 78 USD 16GB DDR4-2666 PC4-21300V-R ECC RDIMM 16GB DDR4-2666 PC4-21300V-R ЕСС RDIMM 2Rx4 1.2V
    $ 78 USD 16GB DDR4-2666 PC4-21300V-R ECC RDIMM 16GB DDR4-2666 PC4-21300V-R ECC RDIMM 2RX8 1.2V
    $ 78 USD 16GB DDR4-2666 PC4-21300V-R ECC RDIMM 16GB DDR4-2666 PC4-21300V-R ЕСС RDIMM 1Rx4 1.2V
    $ 88 USD 16GB DDR4-2666 PC4-21300V-R ECC RDIMM 16GB DDR4-2666 PC4-21300V-R ECC RDIMM 1Rx8 1.2V
    $ 92 USD 16GB DDR4-2666 PC4-21300V-E ECC UDIMM 16GB DDR4-2666 PC4-21300V-E ECC UDIMM 2RX8 1.2v
    $ 98 USD 16GB DDR4-2400 PC4-19200T-e ECC UDIMM 16GB DDR4-2400 PC4-2400T-E ECC UDIMM 2RX8 1.2V
    $ 58 USD 16 ГБ DDR4-2400 PC4-19200T-R ECC RDIMM 16GB DDR4-2400 PC4-19200T-R ECC RDIMM 2RX4 1.2V
    $ 88 USD 16GB DDR4-2400 PC4-19200T-S ECC SODIMM 16GB DDR4-2400 PC4-19200T-S ECC Sodimm 2RX8 1.2V
    $ 64 USD 16 ГБ DDR4-2400 PC4-19200T-R ECC RDIMM 16GB DDR4-2400 PC4-1900T-R ECC RDIMM 2RX8 1.2V
    $ 68 USD 16GB DDR4-2400 PC4-19200T-R ECC RDIMM 16GB DDR4-2400 PC4-19200T-R ECC RDIMM 1RX4 1.2V
    $ 98 USD 16 ГБ DDR4-2133 PC4-17000P-E ECC UDIMM 16GB 16GB DDR4-2133 PC4-17000P-E ECC UDIMM 2RX8 1.2V
    $ 189 USD 16GB DDR4-2133 PC4-17000P-L ECC LRDIMM 16GB DDR4-2133 PC4-17000P-L ECC LRDIMM 2Rx4 1.2V
    $ 46 USD 16GB DDR4-2133 PC4-17000P-R ECC RDIMM 16GB DDR4-2133 PC4-17000P-R ECC RDIMM 2RX4 1.2V
    $ 68 USD 8 ГБ DDR4-3200 PC4-25600E ECC UDIMM 8GB DDR4-3200 PC4-25600E ECC UDIMM 1RX8 1.2V
    $ 64 USD 8GB DDR4-3200 PC4-25600R ECC RDIMM 8GB DDR4-3200 PC4-25600R ЕСС RDIMM 1Rx8
    $ 68 USD 8GB DDR4-2933 PC4-23466U-R ECC RDIMM 8GB DDR4-2933 PC4-23466U-R ECC RDIMM 1Rx8 1.2V
    $ 68 USD 8GB DDR4-2933 PC4-23466U-E ECC UDIMM 8GB DDR4-2933 PC4-23466U-E ECC UDIMM
    $ 48 USD 8 ГБ DDR4-2666 PC4-21300V-R ECC RDIMM 8GB DDR4-2666 PC4-21300V-R ECC RDIMM 1RX8 1.2V
    $ 64 USD 8GB DDR4-2666 PC4-21300V-Й ЕСС UDIMM 8GB DDR4-2666 PC4-21300V-Е ЕССА UDIMM 1Rx8 1.2V
    $ 68 USD 8 ГБ DDR4-2666 PC4-21300V-R ECC RDIMM 8GB 8GB DDR4-2666 PC4-21300V-R ECC RDIMM 1RX4 1.2V
    $ 48 USD 8GB DDR4-2400 PC4-19200T-E ECC UDIMM 8 ГБ DDR4-2400 PC4-2400T-E ECC UDIMM 1RX8 1.2V
    $ 54 USD 8 ГБ DDR4-2400 PC4-19200T-R ECC RDIMM 8GB DDR4-2400 PC4-1900T-R ECC Rdimm 2RX8 1.2V
    $ 58 USD 8 ГБ DDR4-2400 PC4-19200T-S ECC SODIMM 8GB DDR4-2400 PC4-19200T-S ECC Sodimm 2RX8 1.2V
    $ 58 USD 8GB DDR4-2400 PC4-19200T-S ECC SODIMM 8GB DDR4-2400 PC4-2400T-S ECC SODIMM 1RX8 1,2V
    $ 38 USD 8 ГБ DDR4-2400 PC4-19200T-R ECC RDIMM 8GB DDR4-2400 PC4-19200T-R ECC RDIMM 1RX4 1.2V
    $ 38 USD 8 ГБ DDR4-2400 PC4-19200T-R ECC RDIMM 8GB DDR4-2400 PC4-1900T-R ECC RDIMM 1RX8 1.2V
    $ 54 USD 8 ГБ DDR4-2133 PC4-17000P-E ECC UDIMM 8GB DDR4-2133 PC4-17000P-E ECC UDIMM 1RX8 1.2V
    $ 28 USD 8 ГБ DDR4-2133 PC4-17000P-R ECC RDIMM 8 ГБ DDR4-2133 PC4-17000P-R ECC RDIMM 1RX4 1.2V
    $ 38 USD 8 ГБ DDR4-2133 PC4-17000P-R ECC RDIMM 8 ГБ DDR4-2133 PC4-17000P-R PC4-17000P-R ECC RDIMM 2RX8 1.2V
    $ 44 USD 8GB DDR4-2133 PC4-17000P-E ECC UDIMM 8GB DDR4-2133 PC4-17000P-E ECC UDIMM 2RX8 1.2V
    $ 44 USD 4GB DDR4-2400 PC4-19200T-R ECC RDIMM 4GB PC4-2400 PC4-19200T-R ECC RDIMM 1RX8 1.2V
    $ 38 USD 4 ГБ DDR4-2400 PC4-19200T-E ECC UDIMM 4 ГБ 4 ГБ DDR4-2400 PC4-19200T-E ECC UDIMM 1RX8 1.2V
    $ 32 USD $ 32GB DDR4-2133 PC4-17000P-R ECC RDIMM 4GB DDR4-2133 PC4-17000P-R ECC RDIMM 1RX8 1.2V
    $ 148 USD 64GB DDR3-1333 PC3L-10600L ECC LRDIMM 64GB DDR3-1333 PC3L-10600L ECC LRDIMM 8Rx4
    $ 68 USD 32GB DDR3-1866 PC3-14900L ECC LRDIMM 32GB DDR3-1866 PC3-14900L ECC LRDIMM 4Rx45V
    $ 68 USD 32GB DDR3-1600 PC3L-12800L ECC LRDIMM 32GB DDR3-1600 PC3L-12800L ECC LRDIMM 4Rx4 1,35
    $ 68 USD 32GB DDR3-1333 PC3L-10600R ECC RDIMM 32GB DDR3-1333 PC3L-10600R ECC RDIMM 4Rx4 1,35
    $ 68 USD 32GB DDR3-1333 PC3L -10600L ECC LRDIMM 32 ГБ DDR3-1333 PC3L-10600L ECC LRDIMM 4Rx4
    $ 78 USD 32GB DDR3-1333 ECC RDIMM PC3-10600R 32GB DDR3-1333 PC3-10600R ECC RDIMM 4Rx4 1.5V
    $ 68 USD 32GB DDR3-1066 PC3L-8500R ECC RDIMM 32GB DDR3-1066 PC3L-8500R ECC RDIMM 4Rx4 1,35
    $ 72 USD 32GB DDR3-1066 PC3 -8500R ECC RDIMM 32 ГБ DDR3-1066 PC3-8500R ECC RDIMM 4Rx4 1 1 5V
    $ 40 USD 16GB DDR3-1866 ECC RDIMM PC3-14900R 16GB DDR3-1866 PC3-14900R ECC RDIMM 2Rx4 1.5V
    $ 40 USD 16GB DDR3-1600 ECC RDIMM PC3-12800R 16GB DDR3-1600 PC3-12800R ECC RDIMM 2Rx4 1.5V
    $ 40 USD 16GB DDR3-1600 PC3L -12800R ECC RDIMM 16 ГБ DDR3-1600 PC3L-12800R ECC RDIMM 2Rx4
    $ 40 USD 16GB DDR3-1333 ECC RDIMM PC3-10600R 16GB DDR3-1333 PC3-10600R ECC RDIMM 2Rx4 1.5V
    $ 40 USD 16GB DDR3-1333 PC3L-10600R ECC RDIMM 16GB DDR3-1333 PC3L-10600R ECC RDIMM 2Rx4 1,35
    $ 34 USD 16GB DDR3-1066 PC3L -8500R ECC RDIMM 16 ГБ DDR3-1066 PC3L-8500R ECC RDIMM 4Rx4
    $ 34 USD 16GB DDR3-1066 ECC RDIMM PC3-8500R 16GB DDR3-1066 PC3-8500R ECC RDIMM 4Rx4 1.5V
    $ 22 USD 8GB DDR3-1866 ECC RDIMM PC3-14900R 8GB DDR3-1866 PC3-14900R ECC RDIMM 2Rx4 1.5V
    $ 28 USD 8GB DDR3-1866 PC3 -14900R ECC RDIMM 8 ГБ DDR3-1866 PC3-14900R ECC RDIMM 2Rx8 5V
    $ 38 USD 8GB DDR3-1866 ECC RDIMM PC3-14900R 8GB DDR3-1866 PC3-14900R ECC RDIMM 4Rx4 1.5V
    $ 54 USD 8GB DDR3-1866 ECC PC3-14900E UDIMM 8GB DDR3-1866 PC3-14900E ECC UDIMM 2Rx8 1.5V
    $ 24 USD 8GB DDR3-1866 PC3 -14900R ECC RDIMM 8 ГБ DDR3-1866 PC3-14900R ECC RDIMM 1Rx4 5V
    $ 20 USD 8GB DDR3-1600 PC3L-12800R ECC RDIMM 8GB DDR3-1600 PC3L-12800R ECC RDIMM 1Rx4 1,35
    $ 44 USD 8GB DDR3-1600 ECC PC3-12800E UDIMM 8GB DDR3-1600 PC3-12800E ECC UDIMM 2Rx8 1.5V
    $ 40 USD 8GB DDR3-1600 PC3L -12800E ECC UDIMM 8 ГБ DDR3-1600 PC3L-12800E ECC UDIMM 2Rx8 35V
    $ 48 USD 8GB DDR3-1600 PC3L-12800S ECC SODIMM 8GB DDR3-1600 PC3L-12800S ECC SODIMM 2Rx8 1,35
    $ 28 USD 8GB DDR3-1600 PC3L-12800R ECC RDIMM 8GB DDR3-1600 PC3L-12800R ECC RDIMM 2Rx8 1,35
    $ 20 USD 8GB DDR3-1600 PC3 -12800R ECC RDIMM 8 ГБ DDR3-1600 PC3-12800R ECC RDIMM 1Rx4 95V
    $ 18 USD 8GB DDR3-1600 ECC RDIMM PC3-12800R 8GB DDR3-1600 PC3-12800R ECC RDIMM 2Rx4 1.5V
    $ 20 USD 8GB DDR3-1600 PC3L-12800R ECC RDIMM 8GB DDR3-1600 PC3L-12800R ECC RDIMM 2Rx4 1,35
    $ 18 USD 8GB DDR3-1333 PC3L -10600R ECC RDIMM 8 ГБ DDR3-1333 PC3L-10600R ECC RDIMM 2Rx4 35V
    $ 54 USD 8GB DDR3-1333 PC3L-10600E ECC UDIMM 8GB DDR3-1333 PC3L-10600E ECC UDIMM 2Rx8 1,35
    $ 44 USD 8GB DDR3-1333 ECC PC3-10600E UDIMM 8GB DDR3-1333 PC3-10600E ECC UDIMM 2Rx8 1.5V
    $ 18 USD 8GB DDR3-1333 PC3 -10600R ECC RDIMM 8 ГБ DDR3-1333 PC3-10600R ECC RDIMM 2Rx4 95V
    $ USD 34 8GB DDR3-1066 PC3L-8500R ECC RDIMM 8GB DDR3-1066 PC3L-8500R ECC RDIMM 4Rx8
    $ 54 USD 8GB DDR3-1066 ECC RDIMM PC3-8500R 8GB DDR3-1066 PC3-8500R ECC RDIMM 4Rx8 1.5V
    $ 32 USD 4GB DDR3-1866 PC3 -14900E ECC UDIMM 4 ГБ DDR3-1866 PC3-14900E ECC UDIMM 1Rx8 1.5V
    $ 28 USD 4GB DDR3-1866 ECC PC3-14900E UDIMM 4GB DDR3-1866 PC3-14900E ECC UDIMM 2Rx8 1.5V
    $ 28 USD 4GB DDR3-1600 PC3L-12800E ECC UDIMM 4GB DDR3-1600 PC3L-12800E ECC UDIMM 2Rx8 1,35
    $ 34 USD 4GB DDR3-1600 PC3 -12800E ECC UDIMM 4 ГБ DDR3-1600 PC3-12800E ECC UDIMM 2Rx8 5V
    $ 12 USD 4GB DDR3-1600 PC3L-12800R ECC RDIMM 4GB DDR3-1600 PC3L-12800R ECC RDIMM 1Rx4 1,35
    $ 12 USD 4GB DDR3-1600 ECC RDIMM PC3-12800R 4GB DDR3-1600 PC3-12800R ECC RDIMM 1Rx4 1.5V
    $ 28 USD 4GB DDR3-1600 PC3L -12800E ECC UDIMM 4 ГБ DDR3-1600 PC3L-12800E ECC UDIMM 1Rx8 35V
    $ 28 USD 4GB DDR3-1600 ECC PC3-12800E UDIMM 4GB DDR3-1600 PC3-12800E ECC UDIMM 1Rx8 1.5V
    $ 34 USD 4GB DDR3-1600 PC3L-12800R ECC RDIMM 4GB DDR3-1600 PC3L-12800R ECC RDIMM 1Rx8 1,35
    $ 12 USD 4GB DDR3-1333 PC3L -10600R ECC RDIMM 4 ГБ DDR3-1333 PC3L-10600R ECC RDIMM 1Rx4 35V
    $ 14 USD 4GB DDR3-1333 ECC RDIMM PC3-10600R 4GB DDR3-1333 PC3-10600R ECC RDIMM 1Rx4 1.5V
    $ 14 USD 4GB DDR3-1333 PC3L-10600R ECC RDIMM 4GB DDR3-1333 PC3L-10600R ECC RDIMM 2Rx4 1,35
    $ 14 USD 4GB DDR3-1333 PC3 -10600R ECC RDIMM 4 ГБ DDR3-1333 PC3-10600R ECC RDIMM 2Rx4 95V
    $ 18 USD 4GB DDR3-1333 PC3L-10600R ECC RDIMM 4GB DDR3-1333 PC3L-10600R ECC RDIMM 2Rx8 1,35
    $ 14 USD 4GB DDR3-1333 ECC RDIMM PC3-10600R 4GB DDR3-1333 PC3-10600R ECC RDIMM 2Rx8 1.5V
    $ 24 USD 4GB DDR3-1333 PC3L -10600E ECC UDIMM 4 ГБ DDR3-1333 PC3L-10600E ECC UDIMM 2Rx8 35V
    $ 24 USD 4GB DDR3-1333 ECC PC3-10600E UDIMM 4GB DDR3-1333 PC3-10600E ECC UDIMM 2Rx8 1.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *