Время доступа это: Access times for various storage and memory technologies,

Содержание

Что такое время доступа?

Время доступа — это время, которое проходит между запросом данных и предоставлением данных. Есть много других терминов, которые относятся ко времени доступа, таким как задержка памяти и время поиска. Эти термины различны для разных сред.

Одним из наиболее распространенных типов времени доступа является задержка памяти. Это относится к количеству времени, которое требуется контроллеру памяти для доступа и подготовки области памяти для вывода. Это чрезвычайно важный тип задержки, поскольку он часто является определяющим фактором того, насколько быстро программы могут работать в системе.

Другой хорошо известный тип времени доступа называется задержкой в ​​сети. Этот тип задержки относится к количеству времени, необходимого для прохождения пакета информации из одной точки в сети в другую. С точки зрения доступа в Интернет, это время доступа может значительно варьироваться в зависимости от того, куда отправляется пакет. Например, задержка в сети при отправке пакета на компьютер в той же физической сети может составлять 15 миллисекунд, тогда как при отправке на компьютер, расположенный в удаленной стране, она может составлять несколько секунд.

Жесткие диски и оптические дисководы имеют несколько различных типов задержки. Первый известен как задержка вращения. И жесткие диски и оптические диски вращаются. Задержка вращения — это время, необходимое для вращения диска до положения, при котором головка чтения / записи может получить доступ к данным.

Второй тип задержки в этих типах систем известен как время поиска. Как только диск развернется в правильное положение, головка для чтения / записи должна переместиться в правильное положение для чтения данных. Время, которое занимают эти два процесса, является переменным и зависит от того, как далеко от исходной позиции находится новая позиция.

Последний тип задержки известен как время передачи. Это время, которое занимает процесс переноса информации с диска. Это время доступа различно для различных типов приводов и называется скоростью передачи данных.

Поскольку многие переменные связаны с задержкой жестких дисков и оптических дисков, может быть трудно определить фактическое время доступа для данного диска. Диски часто рекламируются на самых высоких скоростях. Этот счет часто относится только к скорости передачи данных диска.

ДРУГИЕ ЯЗЫКИ

Глоссарий терминов, имеющих отношение к компьютерной памяти


A   B   C   D   E   F   G   H   I   J   K   L   M   N   O   P   Q   R   S   T   U   V   W   X   Y   Z  

Введение

Данный глоссарий представляет собой набор терминов и сокращений, имеющих отношение к компьютерной памяти (с упором на DRAM как оперативную память). Все термины даны так, как они пришли к нам — а именно по-английски. Такая форма представляется правильной, ибо большинство русских терминов являются кальками с английского или вообще не имеют перевода. Кроме того, компетентные статьи на русском языке чаще всего используют английскую терминологию. Не исключено, что в будущем к глоссарию добавится небольшая «таблица соответствия» русских и английских терминов.

Глоссарий не претендует на абсолютную техническую достоверность и полноту. Предполагается, что информация дана в объеме, требуемом пользователю, нуждающемуся в понимании технического текста по данной проблеме или в общем повышении уровня знаний. Приведены также основные сведения о производстве и продаже модулей памяти. Более подробная информация может содержаться в других документах принадлежащего автору сайта, а также на сайтах производителей.

Названия статей выделены жирным, после аббревиатуры в скобках дается ее дешифровка. Далее (если есть) в кавычках курсивом дается «русская версия» (в варианте, либо наиболее распространенном, либо привычном автору). Если термин может иметь несколько различных значений, после части статьи, общей для всех значений, идет нумерованный список. Знаком равенства обозначается синонимичный (для данного значения) термин, английский или русский. Знаком *** выделены небольшие дополнительные статьи по терминам, окруженным наибольшим количеством легенд. В тексте статей даны гиперссылки на статьи по родственным терминам, которые могут быть необходимы для понимания. Ссылки даются в основном на русские термины, в то время как названия статей английские — это может причинить определенные неудобства, но лучшей идеи пока нет. Навигация может также осуществляться с помощью алфавитного указателя в начале документа.

Настоящий документ основан на опыте работы автора в данной области и представляет собой его личное мнение. Автор не несет ответственности за последствия, вызванные применением информации, содержащейся в данном документе. При обнаружении в тексте ошибок и неточностей просьба связаться с автором по адресу [email protected]

A

access cycleцикл обращения — последовательность (иногда ее длительность) операций устройства памяти между двумя последовательными актами чтения либо записи. Включает в себя, в частности, все операции, связанные с указанием адреса информации.

access timeвремя доступа (иногда ошибочно именуется скоростью) — время, необходимое на полный цикл обращения к информации, хранящейся по случайному адресу в чипе или модуле. Нужно иметь в виду, что в реальных условиях обращение чаще всего происходит не по случайному адресу, что позволяет использовать сокращенный цикл.

address depthглубина адресного пространства — количество бит, которые могут быть сохранены на каждой линии ввода/вывода чипа или модуля.

address lineадресная линия — одна из линий, используемых для указания адреса запрашиваемой или сохраняемой информации. Поскольку информация организована в виде матрицы, адресные линии за полный цикл доступа используются дважды — для указания номера строки (RAS) и столбца (CAS). Поэтому число необходимых адресных линий равно 1/2log2A, где A — размер адресного пространства (например, 10 для 1 мегабит), при условии, что матрица квадратная, что не всегда верно.

AGP (Accelerated Graphic Port)- технология, позволяющая графическому процессору получить доступ к оперативной памяти, минуя основной процессор. В отличие от unified memory у видеоподсистем с AGP в качестве буфера кадров по-прежнему используется высокоскоростная видеопамять.

architectureархитектура — совокупность характеристик модуля памяти (включая тип памяти, емкость, время доступа, электрическую и логическую схему, разводку контактов и форм-фактор), полностью этот модуль определяющих. Теоретически два модуля одинаковой архитектуры должны быть полностью взаимозаменяемыми. Иногда под архитектурой понимают организацию модуля, что не совсем корректно (скажем, организация далеко не всегда однозначно определяет тип модуля).

asynchronousасинхронный. Термин применяется к устройствам памяти, цикл обращения к которым состоит из стадий, имеющих разную длительность, что не позволяет оптимизировать совместную работу подсистемы памяти и процессора. В настоящее время происходит вытеснение асинхронных устройств синхронными.

audio RAM — термин, иногда применяемый в индустрии для партий микросхем, имеющих серьезные производственные дефекты (например, не работает одна из линий ввода-вывода). Нередко такие микросхемы реализуются по низким ценам для применения в устройствах бытовой электроники, в частности, в качестве буферов в проигрывателях компакт-дисков (отсюда название). К сожалению, имеются прецеденты изготовления модулей памяти на основе таких микросхем. Косвенные признаки таких модулей — отсутствие маркировки либо явная перемаркировка чипов, а также их необычное число.

B

bandwidthпропускная способность, т.е. объем информации, который может пройти через систему в единицу времени. Применительно к подсистеме памяти — произведение пропускной способности линии ввода-вывода на ширину шины. Поскольку изменение последней в рамках принятой архитектуры «поколения» компьютеров невозможно, большинство новых технологий памяти имеют целью увеличение первой, которая фактически обратна времени доступа (с учетом сокращенного цикла).

bankбанк

  1. = slot
  2. Группа модулей памяти одинаковой емкости, которые должны быть установлены одновременно, чтобы система могла работать. Количество модулей равняется отношению ширины системной шины к ширине шины модуля (умноженному на коэффициент interleave). Некоторые компьютеры способны работать с неполным банком памяти, но ценой значительного падения быстродействия.
  3. Логическая единица внутри модуля памяти, см. dual-bank. Поскольку адресное пространство организовано в виде квадратной (как правило) матрицы, увеличения чила адресных линий на 1 (т.е. максимально возможного адреса — вдвое) приводит к 4-кратному увеличению адресного пространства (поэтому емкость 30-контактных SIMM росла с инкрементом 4). Для 72-контактных SIMM была введена возможность увеличения емкости модуля вдвое путем монтажа на одной плате двух комплектов чипов, причем обращение ко второму комплекту просиходит за счет дополнительных RAS. Это, в частности, 8 и 32 MB SIMM, которые в отличие от 4 и 16 MB называются «двухбанковыми»
  4. Часть чипа SDRAM, доступ к которой возможен независимо от другой части. Эта возможность используется для interleave на уровне чипа.

BEDO (Burst EDO) — более быстрая (в тактах, а не наносекундах) разновидность EDO RAM. О поддержке этого стандарта производители чипсетов заявляли уже давно, однако BEDO RAM так и не появилась на рынке, и, судя по всему, уже никогда не появится, проиграв более быстрой SDRAM.

bitбит. Мельчайшая единица хранения и передачи информации, соответствует логическому устройству, имеющему только два возможных состояния — 0 или 1. Обозначается строчной буквой b.

brand-name

  1. для чипов и/или модулей = major или major/major
  2. для модулей — подразумевает то, что модуль сделан известным (соблюдающим стандарты и высокое качество) производителем и имеет его маркировку. Единого мнения о том, каких производителей считать известными, не существует.
  3. для систем — тот факт, что система произведена крупным производителем компьютерной техники, который специально продает модули расширения памяти со своей маркировкой и рекомендует использовать именно их. Можно применить термин и к самим модулям, однако как правило они представляют собой совершенно стандартные (или, изредка, произведенные по субконтракту) устройства с дополнительной маркировкой (чаще всего при этом являясь brand-name в определениях 1 или 2).

bufferedбуферизованный (модуль). Из-за высокой совокупной электрической емкости современных модулей памяти большой собственно емкости время их «зарядки» становится недопустимо большим, что приводит к потере тактов. Чтобы избежать этого, некоторые модули (как правило, 168-контактные DIMM) снабжаются специальной микросхемой (буфером), которая сохраняет поступившие данные относительно быстро, что освобождает контроллер. Буферизованные DIMM, как правило, несовместимы с небуферизованными, поэтому эти два типа DIMM имеют разное положение одного из ключей.

burst modeпакетный режим, в отличие от обычного режима, при котором запрос по адресу возвращает только данные по этому адресу, в этом режиме такой запрос возвращает пакет данных по этому и последующим адресам.

busшина. Совокупность линий ввода-вывода, по которым информация передается одновременно. Ширина и частота шины естественным образом влияет на пропускную способность. Под главной, или системной шиной понимается шина между процессором и подсистемой памяти.

bus frequencyчастота шины. Как правило, термин применяется к главной шине компьютера, т.е. той, на частоте которой работает память. Для современных процессоров и чипсетов Intel пока официально не превышает 66MHz, однако ожидается увеличение. Иногда называется внешней частотой.

bus widthширина шины — количество линий ввода-вывода, т.е. число бит, которое может быть передано одновременно (для устройств с контролем четности из этого количества иногда исключают линии, «отвечающие» за четность, как не передающие информации). Для системной шины определяется в первую очередь типом процессора. Увеличение ширины системной шины — простой способ увеличить общую производительность системы, однако это требует коренной перестройки программного обеспечения и периферии. Все процессоры, начиная с Pentium, имеют ширину шины 64 бит. Размер одного банка памяти кратен (как правило, равняется) ширине системной шины.

byteбайт — единица информации, состоящая из 8 бит, широко используется для практического измерения объемов данных (например, размера файла, а также, что важно для нас, объема оперативной памяти). Обозначается заглавной буквой B.

C

cacheкэш

  1. Буфер обмена между медленным устройством хранения данных и более быстрым. Принцип его действия основан на том, что простой более быстрого устройства сильно влияет на суммарную производительность, а также — что с наибольшей вероятностью запрашиваются данные, сохраненные сравнительно недавно. Поэтому между устройствами помещают небольшой (по сравнению со всеми хранимыми данными) буфер быстрой памяти, что позволяет снизить потери быстрого устройства как на записи, так и на чтении.
  2. = L2 cache

capacityемкость

  1. Электрическая емкость устройства DRAM (влияет на быстродействие и энергопотребление).
  2. Емкость модуля памяти в MB (в отличие от плотности чипа).

CAS (Column Access Strobe) — регистр обращения к столбцу. Сигнал, поданный на линию CAS чипа, означает, что через адресные линии вводится адрес столбца.

checksumконтрольная сумма, применяется при контроле четности. Бит, представляющий собой сумму значений всех бит, входящих в контрольную сумму (как правило это 8 бит) с отбрасыванием старших разрядов.

chipчип, микросхема.

chipsetчипсет, набор микросхем материнской платы, реализующих архитектуру компьютера. Как правило, контроллер памяти входит в состав чипсета, поэтому зная, какой именно чипсет применен в компьютере, можно сделать выводы о применяемой памяти.

clock

  1. = timerтаймер, системные часы.
  2. = clock cycleтакт, длительность одной операции синхронного (управляемого таймером) устройства.
  3. = clock frequencyтактовая частота, величина, обратная длительности такта, измеряется в мегагерцах.
  4. см. SDRAM clock

clock multiplyingумножение частоты — принцип, применяемый в компьютерах начиная с 486-го поколения для согласования растущей тактовой частоты процессора и остальной системы. В результате системная шина (а вместе с ней и подсистема памяти) работают на частоте, в фиксированное число раз меньшее, чем частота процессора. В то время, как процессоры Intel давно превысили частоту 200MHz, частота шины до недавнего времени не превышала 66MHz. Надо отметить, что реальное быстродействие системы зависит от обеих частот.

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)

  1. Широко распространенная технология полупроводникового производства, применяемая, в частности, при производстве DRAM.
  2. Энергозависимая память, применяемая для хранения установок BIOS.

COASt (Cache On A Stick) — «стандартные» модули расширения кэша, некоторое время (одновременно с появлением EDO) применялись довольно широко. Поскольку EDO первоначально рассматривалась в качестве дешевой альтернативы кэшу, введение данного стандарта легко устанавливаемого (и наоборот) кэша должно было предоставить максимальную возможность выбора конфигурации. В действительности под этим названием существует немалое количество типов и стандартов кэша, совместимых между собой зачастую лишь по разъемам. Устанавливаются вертикально и ничем, кроме трения, не фиксируются.

compositeкомпозитный (модуль). Модуль памяти, собранный из чипов с меньшей глубиной адресного пространства, чем у самого модуля. Как правило, это происходит на ранней стадии производства модулей памяти большой емкости, когда соответствующие чипы редки и дороги. Дополнительная адресная линия модуля при этом эмулируется с помощью линии RAS чипа. Естественно, такой метод не способствуют ни быстродействию, ни совместимости, поэтому применять композитные модули следует с осторожностью. Композитный модуль, как правило, имеет дополнительную микросхему для конверсии адресного бита в RAS и необычно большое количество чипов. Само по себе большое количество чипов не является критерием композитности, но надо иметь в виду, что оно увеличивает электрическую емкость и энергопотребление, что также не улучшает работу модуля.

CPU frequencyчастота процессора — рабочая частота процессора, называемая иногда также «внутренней» частотой. Равняется произведению частоты шины на фактор умножения частоты.

cycle organizationорганизация цикла — последовательность «элементарных» операций между двумя актами чтения/записи (как-то: зарядка RAS, ввод адреса строки, зарядка CAS, ввод адреса столбца, открытие линии данных и т.д.), а также допустимые «сокращенные» варианты такой последовательности (например, CAS-before-RAS). Типы памяти, такие, как fast page или EDO, различаются как раз допустимой сокращенной организацией цикла, поэтому иногда говорят о «цикле, организованном по типу fast page» и т. п.

cycle timeдлительность цикла (имеется в виду цикл обращения к памяти). При использовании термина необходимо указание, о какой организации цикла идет речь. По умолчанию термин совпадает со временем доступа.

D

DDR (Double Data Rate) = SDRAM II

densityплотность — емкость чипа в мегабитах. Помимо единицы измерения, отличается от емкости модуля еще и тем, что имеет отдельное значение «уровня технологии», по которой изготовлен данный чип. В настоящее время технология 16Mb является «основной», 64Mb также постепенно перестает быть дорогой диковиной. Надо отметить, что в виде опытных образцов существуют микросхемы плотностью 1Gb.

double-sideдвусторонний — термин, вообще говоря, не несущий особой смысловой нагрузки, т.к. в общем случае расположение чипов по одну или две стороны модуля памяти имеет отношение к дизайну или технологии производства, но не к архитектуре (хотя существует, конечно, ряд систем с таким расположением разъемов, которое позволяет устанавливать модули с чипами, расположенными только с одной стороны). Как правило, термин ошибочно применяется вместо двухбанковый (который и сам по себе окружен путаницей).

dual-bankдвухбанковый. Поскольку адресное пространство организовано в виде квадратной (как правило) матрицы, увеличение числа адресных линий на 1 (т.е. максимально возможного адреса — вдвое) приводит к 4-кратному увеличению адресного пространства (поэтому емкость 30-контактных SIMM росла с инкрементом 4). Для 72-контактных SIMM была введена возможность увеличения емкости модуля вдвое путем монтажа на одной плате двух комплектов чипов, причем обращение ко второму комплекту просиходит за счет дополнительных RAS. Это, в частности, 2, 8, 32 и 128MB SIMM, которые в отличие от 1, 4, 16 и 64MB называются двухбанковыми (иногда те же две группы модулей называют 2-х и 4-х банковыми соответственно, поскольку первая использует 2 RAS, а вторая — 4). Аналогично для 168-контактных DIMM, с той разницей, что для их производства часто используются чипы с «неквадратным» адресным пространством (организации типа 2х8), поэтому двухбанковые модули 64 и 256MB имеют также и однобанковый вариант. Некоторые контроллеры не могут работать с двухбанковыми модулями памяти (для 72-контактных SIMM это большая редкость, для 168-контактных DIMM — довольно часто).
***Иногда встречаются 8MB 72-контактные однобанковые SIMM (у этих модулей обращение ко «второму» банку происходит не через линию RAS, а через дополнительную адресную линию, т.е. с точки зрения контроллера это 16MB SIMM, у которого не работает «верхняя половина» всех страниц. Многие контроллеры отказываются работать с такими SIMM, особенно в комплекте с другими, «нормальными». В свое время произошел массовый выброс на рынок таких SIMM, что привело к распространению легенд о существовании «неправильных» одно- или двух-сторонних или -банковых SIMM безотносительно к их емкости. К сожалению, авторы многих мануалов к материнским платам разделяли это недоумение.

DIMM (Dual In-Line Memory Module) — наиболее современная разновидность форм-фактора модулей памяти. Отличается от SIMM тем, что контакты с двух сторон модуля независимы (dual), что позволяет увеличить соотношение ширины шины к геометрическим размерам модуля. Наиболее распространены 168-контактные DIMM (ширина шины 64 бит), устанавливаемые в разъем вертикально и фиксируемые защелками. В портативных устройствах широко применяются SO DIMM.

DIP (Dual In-line Package) — микросхемы с двумя рядами контактов, расположенными вдоль длинных сторон чипа и загнутых «вниз». Чрезвычайно распространенная упаковка во времена «до» модулей памяти.

DRAM (Dynamic RAM) — динамическая память — разновидность RAM, единичная ячейка которой представляет собой конденсатор с диодной конструкцией. Наличие или отсутствие заряда конденсатора соответствует единице или нулю. Основной вид, применяемый для оперативной памяти, видеопамяти, а также различных буферов и кэшей более медленных устройств. По сравнению со SRAM заметно более дешевая, хотя и более медленная по двум причинам — емкость заряжается не мгновенно, и, кроме того, имеет ток утечки, что делает необходимой периодическую подзарядку.

DRAM moduleмодуль памяти — устройство, представляющее собой печатную плату с контактами, на которой расположены чипы памяти (иногда заключенное в корпус), и представляющее собой единую логическую схему. Помимо чипов памяти может содержать и другие микросхемы, в том числе шунтирующие резисторы и конденсаторы, буферы, logic parity и т.п.

E

ECC (Error Checking and Correction) — выявление и исправление ошибок (возможны другие дешифровки того же смысла) — алгоритм, пришедший на смену «контролю четности». В отличие от последнего каждый бит входит более чем в одну контрольную сумму, что позволяет в случае возникновения ошибки в одном бите восстановить адрес ошибки и исправить ее. Как правило, ошибки в двух битах также детектируются, хотя и не исправляются. ECC поддерживают практически все современные серверы, а также некоторые чипсеты «общего назначения». Надо отметить, что ECC не является панацеей от дефективной памяти и применяется для исправления случайных ошибок.

ECC DIMM — для 168-контактных DIMM термин идентичен понятию «DIMM с четностью», т.е. 72-битный.

ECC-on-SIMM — SIMM с интегрированным контроллером ECC, применявшиеся в некоторых моделях серверов IBM, Digital и HP. Распространения не получили.

ECC SIMM — термин не корректен, поскольку может обозначать разные объекты, которые имеют между собой общего только то, что являются SIMM и предназначены к использованию в контроллерах, которые позволяют с их помощью реализовать ECC. В частности, помимо указанных ниже, под это определение подпадают некоторые SIMM, не удовлетворяющие JEDEC, в частности ECC-on-SIMM, а также стандартные SIMM с четностью, которые могут быть использованы для поддержки ECC в большинстве устройств сравнительно недавнего производства. Непосредственно ECC SIMM — это:

  1. SIMM стандарта JEDEC x39 или x40 — 39- или 40-битные 72-контактные SIMM, применявшиеся в ранних реализациях ECC.
  2. SIMM x36 (то есть 36-битные, как и «обычные» SIMM с четностью). Главное отличие — SIMM с четностью логически имеет жесткое соответствие одного бита четности каждым 8 бит «основной» памяти, выраженное в том, что эти 9 бит имеют одну общую линию CAS. Физически как правило на каждые 2 чипа «основной» памяти приходится 1 бит четности — всего 8+4=12 чипов для, например, 16MB. ECC SIMM состоит из 36 равнозначных бит, все на одной линии CAS. Физически это 9 идентичных чипов для тех же 16MB. Надо отметить, что SIMM с четностью как правило работают (и обеспечивают ECC) в системах, предназначенных для данного класса ECC SIMM, в то время как последние неспособны работать в системах с «обычной» четностью.

EDO (Extended Data Out) — разновидность асинхронной DRAM, очень широко применявшаяся в последние 2 года. Представляет собой дальнейшее развитие метода fast page по «конвейерной» схеме — линии ввода-вывода остаются какое-то время открытыми для чтения данных в процессе обращения к следующему адресу, что позволяет организовать цикл доступа более оптимально.

F

fast page — дословно быстрый страничный (режим). Очень старая схема оптимизации работы памяти, которая основана на предположении, что доступ, как правило, осуществляется по последовательным адресам. Позволяет наряду с обычным циклом (RAS, затем CAS), использовать сокращенный, при котором RAS фиксирован, и соответственно его зарядка не требует времени. На сегодняшний день fast page — наиболее медленная из реально применяемых организаций памяти, однако еще сравнительно недавно это был единственный выбор для систем с контролем четности.

flash — разновидность энергонезависимой памяти с низким (сопоставимым с DRAM) временем доступа по чтению и относительно высоким временем записи. Используется для компактных внешних запоминающих устройств, а также для хранения редко перезаписываемых программных компонент (например, BIOS или операционной системы некоторых узкофункциональных устройств). Существует, в частности, в виде форм-фактора SIMM.

FPM (Fast Page Mode) — см. fast page.

G

generic — термин, противоположный brand-name (в каждом из смыслов). В наиболее общем виде — нечто, лишенное признаков либо производства известным производителем, либо предназначения конкретно для системы известного же производителя. В последнем смысле близок понятию «стандартный».

Gigabitгигабит, Gb — 1024 мегабит, т.е. 1,073,741,824 бит.

Gigabyteгигабайт, GB — 1024 мегабайт, т.е. 1,073,741,824 байт.

gold leadзолоченые контакты — разновидность покрытия контактов модуля. В SIMM в настоящее время применяется редко, для DIMM — практически обязательно.

H

hyper page mode — то же, что EDO.

I

IC (Integral Circuit) — интегральная схема — более умное название для чипа.

interleaveчередование — способ ускорения работы подсистемы памяти, основанный, как и многие другие, на предположении, что доступ происходит к последовательным адресам. Реализуется аппаратно на уровне контроллера и требует организации банка памяти таким образом, что суммарная ширина шины модулей превосходит ширину системной шины в k=2n раз (это число называется коэффициентом interleave и иногда записывается в виде k:1). Таким образом, каждый банк состоит из k «нормальных» банков. Контроллер распределяет «нормальное» адресное пространство подсистемы так, что каждый из k последовательных адресов физически находится в разном банке. Обращение к банкам организовано со сдвигом по фазе (напомним, что отдельный цикл обращения может требовать 5 тактов шины и более). В результате при последовательном обращении к данным за один обычный цикл обращения можно получить до k обращений в режиме interleave. Реальный выигрыш, разумеется, меньше, кроме того, interleave заметно увеличивает минимальный размер банка (как в числе модулей, так и в емкости). В SDRAM interleave реализован на уровне чипа.

I/O line (Input/Output Line)- линия ввода-вывода — каждая из линий, в совокупности составляющих шину, и способных пропустить один бит «за раз».

J

JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council) — организация, разрабатывающая стандарты на электронные устройства, в том числе на модули памяти.

JEIDA (Japanese Electronics Industry Development Association) — как следует из названия, японская организация, имеющая отношение к разработке стандартов на электронное оборудование.

K

keyключ — вырез в модуле памяти, который вместе с выступом в разъеме предотвращает неправильную установку модуля. 30- и 72-контактные SIMM имели вырез в углу со стороны 1-го контакта, последний, кроме этого — вырез посередине (интересно, что японские компьютеры имели более высокий выступ посредине разъема SIMM, соответственно, «чужие» SIMM туда не устанавливались, а в обратную сторону совместимость была). У 72-контактных SO DIMM высота выреза была использована для контроля рабочего напряжения (опять же, невозможно было установить модули с рабочим напряжением 5 вольт в разъемы с напряжением 3.3 вольт, но не наоборот). Для 168-контактных DIMM было применено другое решение — ключи (и соответствующие выступы) стали смещать вдоль, что сделало невозможным установку «неправильного» модуля памяти, хотя и заметно осложнило производство. Такие DIMM имеют 2 ключа, задающие напряжение питания и буферизованность.

kilobitкилобит, kb — 1024 бит. Надо отметить, что при подсчете объемов информации для введения высших разрядов вместо привычной тысячи используется 1024=210, что иногда порождает путаницу.

kilobyteкилобайт, kB — 1024 байт.

L

L2 cache (Level 2 cache) — кэш 2-го уровня — кэш между процессором и подсистемой памяти. Работает, как правило, на частоте шины и смонтирован на материнской плате (хотя в старших процессорах Intel его начали устанавливать в одной микросборке или модуле с процессором, а также увеличили частоту). Для кэша 2-го уровня практически всегда используется SRAM. Характерные емкости — от 256kB до 1MB на процессор. Объем и быстродействие кэша 2-го уровня оказывают значительное воздействие на быстродействие системы в целом. Следует иметь в виду, что иногда установка в систему дополнительной памяти (как правило, свыше 64MB) может заметно замедлить ее работу, если контроллер не поддерживает кэширование этой памяти.

lead finishпокрытие контактов — термин, относящийся к модулям памяти. Контакты бывают «золоченые» (gold-lead) и «луженые» (tin-lead), причем на цене модуля материал покрытия никак не отражается. Производители компьютеров, как правило, рекомендуют уделять особое внимание соответствию материалов контактов модулей и разъемов, хотя, по мнению некоторых независимых источников, опасения по поводу гальванической коррозии, которую могут вызвать разные покрытия контактов, сильно преувеличены.

logic parity (bridge parity, fake parity, parity emulation etc) — ложная четность — техническое решение, позволяющее сэкономить на чипах четности, стоимость которых составляет заметную часть стоимости модуля памяти. Вместо чипов четности на модуль устанавливается логическая микросхема, которая при чтении данных вычисляет контрольную сумму и предъявляет ее контроллеру, как если бы она хранилась в модуле. Поскольку никакого контроля четности реально места не имеет, рекомендовать такие модули можно в единственном случае — если вы имеете материнскую плату, в которой невозможно отключить контроль четности, но не хотите за четность платить (скорее всего — это 486-я плата выпуска 1994 года и раньше). Следует также опасаться случаев, когда память с логической четностью выдается за память с четностью истинной — в частности, память вообще может не заработать в вашем компьютере (например, потому что он использует ECC, и вообще любые логические схемы понижают совместимость модуля), да и бескорыстным этот обман вряд ли будет, наконец, в самом лучшем случае вы будете пребывать в ложной уверенности, что ваша система выполняет контроль четности, когда это не так. Ложную четность иногда можно отличить, учитывая, что «логический» чип часто выпускается в упаковке TQFP. Косвенным признаком для 72-контактных SIMM также является наличие лишь одного чипа четности (двух для двухбанковых SIMM), хотя это может быть и Quad-CAS. Надо остерегаться и чипов с необычной (для микросхем памяти) маркировкой, хотя в наиболее неприятных случаях маркировка может быть подделана.

long DIMMдлинный DIMM — термин, как правило обозначающий 168-контактный DIMM, в более общем случае — противоположный SO DIMM.

low gradeнизкосортный — термин применяется к чипам, не выдержавшим тестов на соответствие стандартам. В отличие от audio RAM, как правило, они не имеют «объемных» дефектов, но демонстрируют ухудшение характеристик (например, времени доступа) при допустимых стандартами отклонениях внешних параметров (температуры, напряжения питания). Как правило, «низкосортные» чипы продаются производителями со специальной маркировкой или в виде кремниевых пластин и предназначены изначально для некомпьютерного применения. Тем не менее, к сожалению, на рынок часто попадают модули памяти, изготовленные из таких чипов, что приводит к нестабильной работе компьютеров, в которые они установлены.

low profileнизкий (модуль) — модули памяти относительно низкой (по сравнению с допускаемой стандартами) высоты. В некоторые материнские платы (особенно если разъемы расширения памяти находятся на дополнительных картах) могут быть установлены только такие модули.

M

main memory = system memory

major — принятое в индустрии название 10-20 крупнейших производителей чипов DRAM, а также выпущенных ими чипов. Модули, произведенные этими производителями из собственных чипов и имеющие их маркировку, носят название major/major и считаются эталонными по качеству.

MDRAM (Multibank DRAM) — многобанковая DRAM — разновидность DRAM с interleave, организованным на уровне чипа, применяется преимущественно в графических подсистемах.

Megabitмегабит, Mb — 1024 килобит, т.е. 1,048,576 бит.

Megabyteмегабайт, MB — 1024 килобайт, т.е. 1,048,576 байт.

Megahertzмегагерц, MHz — 106 герц, т.е. операций в секунду. Единица измерения частоты, характерная для современных компьютеров, таймеры различных подсистем которых имеют частоты от нескольких мегагерц (шина ISA) до нескольких сотен мегагерц (процессоры). Системные шины имеют частоту от нескольких десятков до 100 мегагерц, до недавнего времени максимальная официальная частота для чипсетов Intel составляла 66 мегагерц.

memoryпамять

  1. = запоминающее устройство (ЗУ) — вообще говоря, любое устройство, предназначенное для записи (по крайней мере один раз), хранения и считывания информации. В этом смысле термин в основном употребляли в эпоху нестандартных решений. Сейчас его можно встретить в сочетании ROM, а также flash memory.
  2. = RAM
  3. = system memory

memory card

  1. Часто применяемое (особенно в портативных компьютерах) решение для нестандартного модуля памяти. Внешне очень напоминает карту PCMCIA, однако предназначена к установке в специальный разъем. Насколько можно судить, единый стандарт отсутствует, соответственно, совместимость наблюдается максимум в близких семействах моделей одного производителя.
  2. Иногда так называются применяемые в некоторых компьютерах (особенно серверного класса и поддерживающих interleave) «карты расширения памяти», устанавливаемые в материнскую плату и несущие на себе разъемы для модулей.

memory controllerконтроллер памяти — промежуточное устройство между системной шиной и модулями памяти. Контроллер определяет возможные тип и рабочий режим используемой памяти (в стандартных решениях зачастую и форм-фактор), организует interleave, контроль четности или ECC и т.п. Иногда имеется возможность настройки ряда параметров из BIOS Setup, в других случаях определение типа памяти и режима работы происходит автоматически. В настоящее время, как правило, контроллер памяти является частью чипсета, поэтому пара чипсет-BIOS нередко однозначно определяет возможности контроллера (хотя иногда, особенно в материнских платах высшего уровня, применяется специфический контроллер).

memory subsystemподсистема памяти — понимаемая как единое целое (обычно с целью обсуждения, например, вопросов быстродействия) совокупность системной шины, контроллера памяти и модулей. В зависимости от постановки вопроса может включать либо не включать кэш 2-го уровня.

N

nanosecondнаносекунда, ns — 10-9 сек. Характерное время цикла или такта для современных компьютеров — от единиц до сотен наносекунд, что соответствует частотам от сотен до единиц мегагерц. Используется для измерения времени доступа.

no-nameбезымянный — чипы либо модули памяти, не имеющих маркировки (известного) производителя. Очень широко (особенно модули) представлены на рынке. Явным недостатком «безымянной» памяти является то, что никто, вообще говоря, не гарантирует ее качества (производителям качественной памяти нет ни малейшего резона скрывать свое имя).

non-volatileэнергонезависимая (память) — устройство памяти, сохраняющее информацию при выключенном питании, например, flash и различные виды EPROM.

O

operation modeрабочий режим — организация цикла, при которой данная память работает (или способна работать), т.е. например fast page или EDO.

organizationорганизация — информация об устройстве чипа/модуля памяти, записываемая в виде произведения глубины адресного пространства на количество линий ввода/вывода. Кстати, для чипа это произведение дает его плотность, для модуля (если отбросить линии контроля четности и разделить результат на 8) — емкость. Организация не является исчерпывающим описанием логической схемы (см. для чипов например Quad-CAS или refresh).

P

packageупаковка — тип корпуса и расположения контактов чипа (например, SOJ, TSOP и т.п.).

pageстраница. Довольно условный термин, чаще всего под страницей понимается набор доступных адресов при фиксированном адресе строки, иными словами, размер страницы равен числу столбцов. Надо учитывать, что строка, как правило, длинее из соображений refresh.

parityчетность, также контроль четности. Довольно старый принцип проверки целостности данных, передаваемых по любой шине (в том числе сохраняемых в памяти). Суть метода в том, что для некоторого количества (как правило, 8) бит данных на стадии записи вычисляется контрольная сумма, которая сохраняется как специальный бит четности. При чтении данных контрольная сумма вычисляется снова и сравнивается с битом четности. Если они совпали, данные считаются аутентичными, в противном случае генерируется сообщение об ошибке четности (как правило, приводящее к остановке системы). Метод активно применялся в прошлом, когда подсистема памяти являлась одной из самых ненадежных в компьютере. К явным недостаткам метода относятся дороговизна памяти, требующейся для хранения лишних бит четности, незащищенность от двойных ошибок (а также ложное срабатывание при ошибке в бите четности), остановка системы даже при непринципиальной ошибке (скажем, в видеокадре). В настоящее время, учитывая возросшее качество памяти и низкую вероятность ошибок, применяется все реже — в системах низкого уровня используется более дешевая память без контроля четности, в системах высокого — более результативная схема ECC.

parity bitбит четности — дополнительный бит для контрольной суммы, а также линия ввода/вывода для его передачи.

parity chipчип четности — чип, предназначенный для хранения бита четности в соответствующем SIMM, как правило однобитный (организации х1), хотя встречаются чипы типа Quad-CAS, объединяющие несколько независимых однобитных чипов в одной упаковке.

parity SIMMSIMM с четностью. Для 30-контактного SIMM — с организацией x9, т.е. 8 основных бит плюс бит четности. Для 72-контактного SIMM, как правило, имеется в виду SIMM организации x36, причем на каждом из 4-х CAS находится 8 основных бит плюс бит четности. Такая организация отличает его от ECC SIMM x36. Никакого принципиального значения это разделение на группы по 9 бит не имеет, поскольку в подавляющем большинстве случаев доступ по отдельному CAS невозможен. Скорее всего, этот принцип идет от тех времен, когда 72-контактные SIMM только приходили на смену 30-контактным, чтобы сымитировать 4 30-контактных модуля и облегчить переход без значительной переработки контроллера. В принципе, под определение подпадают и довольно редкие модули x18 и x33.

PCB (Printed Circuit Board) — печатная плата. Качество дизайна и изготовления печатной платы может сильно повлиять на качество модуля памяти. В частности, считается, что предназначенная для модулей памяти печатная плата должна состоять как минимум из 4 слоев (для предотвращения «наводок»).

PC Card — более современное, хотя так окончательно и не прижившееся, название для стандарта PCMCIA. Не путать с memory card.

PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association) — в противовес своему названию имеет мало отношения к памяти как таковой. Стандарт шины и разъема расширения для подключения внешних устройств (в том числе хранения информации, но отнюдь не оперативной памяти) к портативным компьютерам. Не путать с memory card.

pinoutразводка — соответствие между контактами чипа или модуля и его логической схемой. Внешне совершенно стандартный модуль может по той или иной причине иметь необычную разводку (и, следовательно, архитектуру).

pinконтакт, для пайки или установки в разъем, не обязательно в виде проволочки.

pipelineконвейер — метод доступа к данным, при котором можно продолжать чтение по предыдущему адресу в процессе запроса по следующему.

POST (Power-On Self Test) — процесс определения системой своей конфигурации при загрузке (тестом фактически не является). В принципе, память с серьезными дефектами не будет распознана как таковая уже на этой стадии. Следует иметь в виду, что на результат POST могут повлиять установки BIOS Setup.

PRD (Presence Detect) — информация о типе, емкости и времени доступа модуля памяти, закодированная с помощью заземления или незаземления специально предназначенных для этой цели контактов. В частности, контакты с 67-го по 70-й 72-контактного SIMM, будучи электрически соединены (или наоборот) с 72-м контактом, обеспечивают 4 бит информации, в которых может быть записана емкость и время доступа SIMM. Контактные площадки под нулевые резисторы для заземления можно видеть с правой стороны SIMM, если смотреть на него, расположенного горизонтально с ключом в левом нижнем углу. PRD описано в JEDEC. Тем не менее подавляющее большинство контроллеров памяти PRD не использует, соответственно, в SIMM, произведенных «безымянными» изготовителями, PRD зачастую отсутствует, что может повлечь несовместимость с системами, которым PRD требуется. Старые модели IBM (эпохи PS/2) также использовали PRD, причем нестандартное. JEDEC описывает также PRD для DIMM. В последнее время (в частности, для SDRAM DIMM) применяется SPD.

profileформ-фактор — в наиболее общем виде — тип разъема и геометрические размеры (включая размеры ключей, выступающих частей и т.д.) модуля памяти. Некоторые системы по причинам, происходящим из геометрии, работают с модулями стандартной архитектуры, но с некоторыми ограничениями форм-фактора (см. low profile).

proprietary — термин, обратный понятию «стандартный», т.е. предназначенный для конкретной системы и только для нее.

Q

Quad-CAS — микросхема четности, предназначенная для 72-контактных SIMM и как бы объединяющая в себе 4 независимых однобитных чипа четности, доступ к каждому из которых идет по отдельной линии CAS. Как правило, речь идет о чипе организации 1х4 (сумма четырех 1х1). Выпускались, в частности, Micron. SIMM с таким чипом являются «истинными» SIMM с четностью, и их следует отличать от SIMM с «ложной четностью», имеющих то же количество чипов. В принципе, существовали и чипы Double-CAS (в частности, OKI), представлявшие собой сумму 2-х чипов.

R

Rambus DRAM — технология DRAM, разработанная компанией Rambus и позволяющая создавать память с высокой пропускной способностью (несколько сотен Mb/сек). Поскольку технология официально поддержана компанией Intel, высока вероятность того, что эта память будет основной в компьютерах будущего. Тем не менее, поскольку стандарт не является открытым, а защищен патентом и как следствие подлежит лицензированию, консорциум major-производителей ведет разработку конкурирующего стандарта SLDRAM. В настоящее время уже применяется в видеоподсистемах высокого уровня.

RAM (Random Access Memory) — память со случайным доступом

  1. Любое устройство памяти, для которого время доступа по случайному адресу равняется времени доступа по последовательным адресам. В этом смысле термин практически утратил свое значение, так как современные технологии RAM используют методы оптимизации последовательного доступа, но в прошлом это действительно было критерием для отличения устройств, предназначенных для оперативного хранения небольших объемов данных (в русской традиции — оперативное запоминающее устройство, ОЗУ) от устройств для постоянного хранения больших массивов (постоянное или программное ЗУ, ПЗУ). Сейчас очевидно, что реальным критерием является энергозависимость.
  2. = volatile RAM = ОЗУ (см. выше) — устройство памяти, предназначенное для оперативного хранения данных, необходимых для работы компьютера. Фактически разделяется на SRAM и DRAM.
  3. = system memory

RAS (Row Access Strobe) — регистр обращения к строке. Сигнал, поданный на линию RAS чипа, означает, что через адресные линии вводится адрес строки.

RDRAM = Rambus DRAM

ROM (Read-Only Memory) — память без перезаписи — вообще говоря, любое запоминающее устройство, перезапись информации на котором невозможна в принципе. В настоящее время термин самостоятельной ценности не имеет, применяясь иногда в аббревиатурах (CD-ROM), в том числе и для описания устройств, допускающих перезапись, хотя в основном предназначенных для чтения (EEPROM).

refreshподзарядка. Как известно, состоянием ячейки памяти DRAM является наличие/отсутствие заряда на конденсаторе. Этот заряд подвержен утечке, поэтому для сохранения данных конденсатор необходимо время от времени подзаряжать. Это достигается подачей на него время от времени напряжения (несложная диодная конструкция обеспечивает refresh только тех конденсаторов, на которых уже есть заряд). Нормальный цикл подзарядки происходит при фиксации адреса столбца и циклическом изменении адреса строки. Поэтому вообще говоря чип с меньшим количеством строк подзаряжается быстрее.
*** Часто встречаются упоминания о чипах, скажем 2k refresh, 4k refresh и т.п. Число nk здесь означает «длину строки», т.е. количество столбцов. История здесь следующая. Нормальное количество столбцов (как и строк) для чипа организации 4х4 (16-мегабитный чип с адресным пространством 4Mb, именно такие чипы используются для SIMM 16 и 32MB) равняется 2k (квадратный корень из 4M как размера квадратной матрицы). Однако с целью повышения быстродействия путем уменьшения времени refresh были разработаны чипы с «неквадратной» адресной матрицей, имевшие 1к строк и соответственно 4к столбцов (4к refresh, см. выше). К сожалению, стандартные контроллеры памяти PC того времени (к Mac, например, это не относилось) оказались не способны работать с такими чипами, кроме того, на их основе практически невозможно было создать память с четностью (из-за «квадратности» чипов четности). В результате словосочетание 4k refresh приобрело в массовом сознании абсолютно ругательный смысл (в частности, насколько мне известно, большинство Pentium-контроллеров прекрасно способны были работать с чипами 4k, но рынок отказывался их потреблять). Появление DIMM, которые использовали четность не «в манере» SIMM с четностью, а просто как дополнительные 8 бит, сняло ограничения, и сечас чипы 16Mb 4×4 4k refresh активно применяются.

registered — аналог понятию buffered для SDRAM DIMM, пока еще не нашло широкого употребления.

remarkперемаркировка

  1. Вообще говоря, любое изменение уже нанесенной на чип маркировки. Как правило, выполняется изготовителем в том случае, когда уже промаркированная партия чипов показала несоответствующие маркировке (возможно, и более высокие) результаты на тестах. Может выполняться в виде изменения уже указанного на чипе времени доступа (как правило, следы этого изменения хорошо видны, поскольку никто не пытается их скрыть). Такого рода партии перемаркированных чипов обычно выпускаются на рынок с сответствующими сертификатами и ничего дурного собой не представляют. Другой вариант — когда партия чипов не выдержала теста на соответствие стандартам высшего качества, однако пригодня для использования как low grade или audio RAM. В этом случае верхний слой пластика с первоначальной маркировкой снимается и наносится low grade маркировка. Такие чипы также являются полноценными (если это слово применимо к low grade).
  2. К несчастью, имелись случаи (в последнее время, к счастью, реже) «злоумышленной» перемаркировки чипов, когда не соответствующая неким стандартам память выдавалась за стандартную с целью извлечения прибыли (как правило, делали это не производители). Характерным признаком такой подделки являются следы снятия верхней поверхности чипа (которые редко удается скрыть) под маркировкой известного производителя. Рекомендуется не применять модулей, собранных из таких чипов, ни в коем случае.

S

SDRAM (Synchronous DRAM) — синхронная DRAM — название синхронной памяти «первого поколения», широко применяющейся в настоящее время и имеющей пропускную способность порядка 100Mb/сек.

SDRAM clock — можно встретить указание, что те или иные чипы или модули SDRAM являются 2 clock или 4 clock. Под clock здесь понимается линия ввода сигнала таймера. Насколько можно судить, 4 clock чипы поддерживают внутричиповый interleave более высокого уровня (4-банковый?), т.е. являются вообще говоря более передовыми. Достоверной информации о совместимости этих двух типов SDRAM с разными чипсетами и реальных выигрышах в скорости пока нет.

SDRAM II — находящийся в стадии разработки SDRAM следующего поколения, который должен будет поддерживать вдвое большую (200Mb/сек) пропускную способность. Реальных шин с такой высокой частотой пока не существует.

SGRAM (Synchronous Graphic RAM) — разновидность синхронной видеопамяти.

SIMM (Single In-line Memory Module) — наиболее распространенный в течение долгого времени форм-фактор для модулей памяти. Представляет собой прямоугольную плату с контактной полосой вдоль одной из сторон, фиксируется в разъеме поворотом с помощью защелок. Контакты с двух сторон платы на деле являются одним и тем же контактом (single). Наиболее распространены 30- и 72-контактные SIMM (ширина шины 8 и 32 бит соответственно).

single-bankоднобанковый — см. dual-bank.

single-sideодносторонний — см. double-side.

SIP (Single In-Line Package) — разновидность форм-фактора модулей памяти, вытеснены SIMM и в настоящее время почти не встречаются. Проще всего описать их как SIMM, у которого контакты не «наклеены» на плату, а имеют форму иголок (pin в первоначальном значении этого слова) и торчат в виде гребенки.

SLDRAM (SyncLink DRAM) — условное название высокоскоростной памяти, разрабатываемой консорциумом производителей в качестве открытого стандарта в противовес Rambus DRAM.

slotразъем. Как правило, это название используется для разъемов, куда «вставляются» платы расширения, в том числе модули типа SIMM и DIMM. Разъемы, куда «втыкаются» ножки (чипов либо разъемов «противоположного пола»), называются socket.

SMT (Surface Mount Technology) — технология поверхностного монтажа, основной способ изготовления модулей памяти и многих других устройств на основе печатных плат. Смысл метода в том, что вместо пайки каждого контакта по отдельности все чипы «приклеиваются» на печатную плату, заранее покрытую припоем по трафарету, после чего плата прогревается в специальной печи, в результате чего припой плавится и чипы оказываются припаянными.

SO DIMM (Small Outline DIMM) — разновидность DIMM малого размера (small outline), предназначенных в первую очередь для портативных компьютеров. Наиболее часто встречаются 72- и 144-контактные модули (32 и 64 бит соответственно). Способ установки аналогичен SIMM.

SOJ (Small Outline J-shaped) — разновидность микросхем, одна из наиболее широко применяемых для упаковки DRAM. Контакты микросхемы изогнуты в форме буквы J коротким концом под микросхему.

SPD (Serial Presence Detect)- разновидность PRD у 168-контактных DIMM (как правило, небуферизованных). Выполнена не в виде набора резисторов на контактных площадках, а в виде единой микросхемы EPROM, причем записанная в ней информация не описана в databook производителей (и, предположительно, является предметом отдельного соглашения и включает «необычную» информацию наподобие имени производителя). Модули «безымянного» производства SPD, как правило, не имеют. По крайней мере некоторые платы на чипсете 440LX требуют от модулей наличия SPD. По разным версиям это предпринято либо для того, чтобы отсечь от рынка «безымянных» производителей, либо с целью обеспечить автоматическое определение времени доступа, что будет актуально для грядущих скоростных модулей и шин.

specificспецифический — в общем виде — модуль памяти, предназначенный для использования в конкретной системе (или классе систем) конкретного производителя. Термин несколько более мягкий, чем proprietary, так как не отрицает возможности того, что указанная система может расширяться и стандартными модулями.

speedскорость или быстродействие — некорректный термин, может обозначать либо тактовую частоту, либо время доступа.

SRAM (Static RAM) — статическая память — разновидность RAM, единицей хранения информации в которой является состояние «открыто-закрыто» в транзисторной сборке. Используется приемущественно в качестве кэш-памяти 2-го уровня. Ячейка SRAM более сложна по сравнению с ячейкой DRAM, поэтому более высокое быстродействие SRAM компенсируется высокой ценой. Несмотря на низкое энергопотребление, является энергозависимой.

standardстандартный — то есть соответствующий неким общеизвестным техническим спецификациям (для модулей памяти, как правило, JEDEC), и, следовательно, имеющий широкую область применения, не ограниченную конкретной системой.

static columnстатический столбец. Память со статическим столбцом — выпускавшаяся некоторое время, но не получившая распространения из-за высокой цены более быстрая разновидность fast page.

synchronousсинхронный — устройство памяти, цикл обращения к которому состоит из операций, имеющих одинаковую длительность, что позволяет синхронизировать его с системным таймером для оптимального взаимодействия между устройством и шиной. Синхронные устройства являются более передовыми по отношению к асинхронным, и в настоящее время идет процесс полного перехода к ним.

system memoryоперативная память — память (в подавляющем большинстве случаев — DRAM), использующаяся для хранения активных программ и данных. Количество и быстродействие оперативной памяти оказывают чрезвычайно серьезное воздействие на быстродействие современных компьютеров. Работает на частоте системной шины. Доступ процессора к оперативной памяти происходит через кэш 2-го уровня. Некоторые подсистемы компьютера способны обращаться к оперативной памяти напрямую, минуя процессор.

T

timing diagramвременная диаграмма — количества тактов системной шины, необходимых для доступа к случайно выбранному адресу и следующим за ним адресам. Характерные диаграммы для разных типов памяти (в предположении, что они достаточно быстры, чтобы оптимально взаимодействовать с шиной) — 5-3-3-3 (fast page), 5-2-2-2 (EDO), 5-1-1-1 (SDRAM).

tin-leadлуженые контакты — разновидность покрытия контактов модуля, по непроверенным данным, с добавлением палладия. Большинство выпускаемых сейчас SIMM и разъемов для них имеют именно это покрытие.

TQFP (Thin Quad Flat Package) — разновидность микросхем плоской квадратной формы с контактами вдоль всех четырех сторон. Применяется в основном для многоконтактных чипов, в частности кэша.

TSOP (Thin Small Outline Package) — разновидность микросхем плоской формы. В настоящее время в области DRAM применяется довольно широко, особенно для упаковки низковольтных микросхем.

U

unbufferedнебуферизованный (модуль). Термин применяется к «обычным» 168-контактным DIMM, чтобы отличить их от буферизованных.

unified memoryобъединенная память — технология, при которой видеоадаптеру выделяется часть системной памяти, так что нет необходимости устанавливать для него отдельную видеопамять. При всей своей экономичности и возможности программно менять количество видеопамяти технология является компромиссной, так как видеопамять должна, вообще говоря, быть более быстрой, чем «стандартная».

V

volatileэнергозависимая (память) — устройство памяти, теряющее информацию при отключении напряжения питания. К ним относятся, в частности, DRAM и SRAM.

voltageнапряжение питания. Современные чипы памяти имеют напряжение питания 3.3 или 5 вольт (последние пока еще более распространены). Как правило, напряжение питания модулей памяти предопределено конструкцией материнской платы и не может быть изменено для одного типа модулей. Плата, поддерживающая разные типы модулей (например, SIMM и DIMM), может поддерживать разное напряжение питания для каждого типа, но при этом необязательно оба сразу. Надо также отметить, что модули памяти являются одним из наиболее энергопотребляющих устройств компьютера, поэтому снижение их напряжение питания представляется естественным путем к системам с большим объемом памяти.

video RAMвидеопамять

  1. вообще говоря, любая память, используемая в графической подсистеме (как правило, в качестве буфера кадров).
  2. разновидность памяти, специально созданная для применения в графических подсистемах, например, VRAM, WRAM, SGRAM и т.п. Чаще всего оптимизирована по отношению к «обычной» памяти с использованием того факта, что буфер кадров по умолчанию не требует хранения уже однажды использованной информации, т.е. одновременно с чтением можно (и нужно) производить запись.
  3. =VRAM

VRAM (Video RAM) — одна из первых разновидностей видеопамяти, позволяет производить чтение и запись информации за один цикл обращения.

W

WRAM (Window RAM)- разновидность видеопамяти, примененная, в частности, в видеокартах Matrox.

Z

ZIP (Zig-Zag In-Line Package) — разновидность упаковки микросхем, в частности, применявшаяся для видеопамяти. Контакты расположены вдоль одной из длинных сторон чипа в зигзагообразном порядке.

© Все права в отношении данного документа принадлежат автору. При воспроизведении обязательно сохранение данного уведомления и указание имени и координат автора. Коммерческое использование допускается только с письменного разрешения автора. Документ приведен с небольшими сокращениями, оригинал под названием Глоссарий терминов и сокращений, имеющих отношение к памяти находится на сайте Paul’s Den.

рассчитайте эффективное время доступа — CodeRoad



Это абзац из концепции операционной системы, 9-е издание Silberschatz et al:

Процент случаев, когда номер страницы, представляющий интерес, находится в TLB, называется коэффициентом попадания. Например, 80-процентный коэффициент попадания означает, что мы находим нужный номер страницы в TLB в 80 процентах случаев. Если для доступа к памяти требуется 100 наносекунд, то доступ к сопоставленной памяти занимает 100 наносекунд, когда номер страницы находится в TLB. Если нам не удается найти номер страницы в TLB, то мы должны сначала получить доступ к памяти для таблицы страниц и номера кадра (100 наносекунд), а затем получить доступ к нужному байту в памяти (100 наносекунд), в общей сложности 200 наносекунд. (Мы предполагаем, что поиск в таблице страниц занимает только один доступ к памяти, но он может занять и больше, как мы увидим.) Чтобы найти эффективное время доступа к памяти, мы взвешиваем случай по своей вероятности: эффективное время доступа = 0.80 × 100 + 0.20 × 200 = 120 наносекунд

но в 8-м издании той же книги

Я путаюсь с

эффективное время доступа

Кто-нибудь может мне это объяснить?

caching memory-management tlb
Поделиться Источник Aysha Almaqtari     31 августа 2013 в 16:38

6 ответов


  • Среднее время доступа PAGE OS

    В выгружаемой памяти, коэффициент попадания страницы .35 Время, необходимое для доступа к странице во вторичной памяти, составляет 100 нс. Время, необходимое для доступа к странице в основной памяти, составляет 10 НС. каково среднее время, необходимое для доступа к странице ? каким образом я могу…

  • Пейджинг по требованию: расчет эффективного времени доступа к памяти

    Я не могу понять ответа на этот вопрос: Рассмотрим OS, использующий один уровень подкачки с регистрами TLB. Если частота сбоев страниц составляет 10% и грязные страницы должны быть перезагружены при необходимости, рассчитайте эффективное время доступа, если: Поиск TLB = 20 НС Коэффициент загрузки…



26

В случае, если страница найдена в TLB (TLB попадания), общее время будет равно времени поиска в TLB плюс время доступа к памяти, так что

TLB_hit_time := TLB_search_time + memory_access_time

В случае, если страница не найдена в TLB (пропуск TLB), общее время будет равно времени поиска в TLB (вы ничего не нашли, но искали без необходимости) плюс время доступа к памяти, чтобы получить таблицу страниц и фрейм, плюс время доступа к памяти, чтобы получить данные, так что

TLB_miss_time := TLB_search_time + memory_access_time + memory_access_time

Но это в отдельных случаях, когда вы хотите знать среднюю меру производительности TLB, вы используете Эффективное время доступа, то есть средневзвешенное значение предыдущих показателей

EAT := TLB_miss_time * (1- hit_ratio) + TLB_hit_time * hit_ratio

или

EAT := (TLB_search_time + 2*memory_access_time) * (1- hit_ratio) +
       (TLB_search_time + memory_access_time) * hit_ratio

Поделиться Santiago     01 июля 2015 в 00:43



7

Эффективное время здесь-это просто среднее время, использующее относительные вероятности попадания или промаха. Таким образом, если попадание происходит 80% раз, а промах происходит 20% раз, то эффективное время (т. е. среднее время) при большом количестве попаданий/промахов будет 0.8 * (время попадания) + 0.2 * (время промаха).

Поделиться Paul R     31 августа 2013 в 16:43



7

Общая формула для EAT

Коэффициент попадания = a

Время доступа к основной памяти = m

Ассоциативный поиск (TLB доступ) = e

EAT = (m + e) a + (2m + e) (1 — a)

    = 2m - ma + e

Поделиться emon     03 декабря 2016 в 14:43



3

В TLB сохраняется копия часто посещаемого номера страницы и кадра no, который находится в таблице страниц, хранящейся в памяти.

Сначала он заглядывает в TLB. Если он найден, он переходит в ячейку памяти, так что общее время доступа равно:

20 + 100 = 120 ns

Теперь, если TLB отсутствует, вам нужно сначала найти TLB, а затем таблицу страниц, которая хранится в памяти. Таким образом, один доступ к памяти плюс доступ к одной конкретной странице, ничего, кроме другого доступа к памяти. Таким образом, общее время равно:

20 + 100 + 100 = 220 ns

А эффективное время доступа к памяти равно:

0.80 * 120 + 0.20* 220 = 140 ns

Поделиться Kuntal     05 мая 2015 в 13:15



-1

Эффективное время доступа-это общее время, затраченное на доступ к памяти( т. е. Суммирование времени доступа к основной памяти и кэш-памяти), деленное на общее количество ссылок на память.

Поделиться chila     04 марта 2015 в 03:32



-3

Среднее время доступа-время попадания+время промаха rate*miss, не согласен с ответом @Paul R

Поделиться sunjiayang     25 ноября 2015 в 20:49


Похожие вопросы:


Рассчитайте среднее время реакции только для правильных испытаний

Я обнаружил, что у кого-то еще есть подобная проблема здесь . Но я очень новичок в программировании и в R, и я не понимаю, как я могу адаптировать ответы к моей ситуации. Мои данные выглядят так,…


Как рассчитать эффективное время доступа

Предположим, что TLB hit ratio равен 90%, доступ к физической памяти занимает 100 нс, TLB доступ занимает 20 НС, вычислите эффективное время доступа для процессора, использующего двухуровневые…


OSGi возможности: эффективное время: разрешение против активного

Когда способность должна иметь эффективное время resolve и когда active? Когда вы хотите, чтобы возможности игнорировались при разрешении ресурса? Когда вы хотите, чтобы их уважали? http:/ /…


Среднее время доступа PAGE OS

В выгружаемой памяти, коэффициент попадания страницы .35 Время, необходимое для доступа к странице во вторичной памяти, составляет 100 нс. Время, необходимое для доступа к странице в основной…


Пейджинг по требованию: расчет эффективного времени доступа к памяти

Я не могу понять ответа на этот вопрос: Рассмотрим OS, использующий один уровень подкачки с регистрами TLB. Если частота сбоев страниц составляет 10% и грязные страницы должны быть перезагружены при…


Время последнего доступа не обновлено?

Вот что я пытаюсь сделать: мне нужно знать, когда файл читается или используется инструментом (например, компилятором). Я использую ls , чтобы получить последнее время доступа, используя следующую…


CPU время доступа к памяти

Зависит ли среднее время доступа к данным и инструкциям CPU от времени выполнения инструкции? Например, если коэффициент пропусков равен 0.1,то 50% командам требуется доступ к памяти, время доступа…


Wso2 время токена доступа

Мне нужно изменить время истечения срока действия токена доступа в WSO2. Я попытался отредактировать элемент в identity.xml как для моего сервера идентификации, так и для менеджера API, но…


Время доступа к многоуровневому кэшу

Если есть 2 кэша L1 и L2, где L1-кэш первого уровня, а L2-кэш нижнего уровня. Предположим, что в L1 есть промах, а в L2-попадание. Теперь, нужно ли нам перенести требуемый блок из L2 в L1, а затем…


Как решить головоломку Какурасу в эффективное время?

Я пытаюсь написать код в Java, чтобы найти решение экземпляра головоломки Какурасу в эффективное время. Я думал об использовании динамического программирования, но не мог понять, как это сделать.

Почему время доступа к ОЗУ (любого типа) так медленно уменьшается?

Это потому, что проще и дешевле увеличить пропускную способность DRAM, чем уменьшить задержку. Чтобы получить данные из открытого ряда оперативной памяти, необходим нетривиальный объем работы.

Адрес столбца должен быть декодирован, мультиплексоры выбирают, какие строки для доступа должны быть обработаны, и данные должны перемещаться через микросхему в выходные буферы. Это занимает немного времени, особенно с учетом того, что микросхемы SDRAM изготавливаются по процессу, предназначенному для высоких плотностей плунжера, а не для высоких логических скоростей. Чтобы увеличить пропускную способность, скажем, с помощью DDR (1, 2, 3 или 4), большая часть логики может быть расширена или передана по конвейеру и может работать с той же скоростью, что и в предыдущем поколении. Единственное, что должно быть быстрее — это драйвер ввода-вывода для выводов DDR.

В отличие от этого, чтобы уменьшить задержку, нужно ускорить всю операцию, что намного сложнее. Скорее всего, части плунжера должны быть изготовлены по процессу, аналогичному таковому для высокоскоростных процессоров, что существенно увеличит стоимость (высокоскоростной процесс дороже, плюс каждый чип должен пройти 2 разных процесса).

Если вы сравните кэш-память ЦП с ОЗУ и жестким диском / твердотельным накопителем, существует обратная зависимость между объемом хранилища и быстродействием хранилища. L1 $ очень быстрый, но может содержать только от 32 до 256 КБ данных. Причина, по которой он так быстр, в том, что он маленький:

  • Он может быть расположен очень близко к процессору, используя его, а это означает, что данные должны пройти более короткое расстояние, чтобы добраться до него
  • Провода на нем могут быть укорочены, что снова означает, что для перемещения данных требуется меньше времени
  • Он не занимает много места или много транзисторов, поэтому создание процесса с оптимизированной скоростью и использование большого количества энергии на бит хранится не так уж и дорого

По мере продвижения вверх по иерархии каждый параметр хранилища увеличивается по объему, но также увеличивается по площади и удаляется от устройства, использующего его, что означает, что устройство должно работать медленнее.

ACCESS TIME — определение и синонимы слова access time в словаре английский языка

ACCESS TIME — определение и синонимы слова access time в словаре английский языка

Educalingo использует cookies для персонализации рекламы и получения статистики по использованию веб-трафика. Мы также передаем информацию об использовании сайта в нашу социальную сеть, партнерам по рекламе и аналитике.

ПРОИЗНОШЕНИЕ СЛОВА ACCESS TIME

ГРАММАТИЧЕСКАЯ КАТЕГОРИЯ СЛОВА ACCESS TIME

существительное

прилагательное

определяющее слово

ЧТО ОЗНАЧАЕТ СЛОВО ACCESS TIME

Нажмите, чтобы посмотреть исходное определение слова «access time» в словаре английский языка. Нажмите, чтобы посмотреть автоматический перевод определения на русский языке.

Время доступа

Access time

Время доступа — это временная задержка или латентность между запросом в электронной системе и завершением доступа или возвратом запрошенных данных. ▪ В телекоммуникационной системе время доступа — это задержка между началом попытки доступа и успешным доступом. Значения времени доступа измеряются только при попытках доступа, которые приводят к успешному доступу. ▪ В компьютере это временной интервал между моментом, с которого блок управления инструкциями инициирует вызов данных или запрос на хранение данных, и момент, когда доставка данных завершена или начинается хранение. Access time is the time delay or latency between a request to an electronic system, and the access being completed or the requested data returned. ▪ In a telecommunications system, access time is the delay between the start of an access attempt and successful access. Access time values are measured only on access attempts that result in successful access. ▪ In a computer, it is the time interval between the instant at which an instruction control unit initiates a call for data or a request to store data, and the instant at which delivery of the data is completed or the storage is started.
Значение слова access time в словаре английский языка
Определение времени доступа в словаре — это время, необходимое для получения части хранимой информации.

The definition of access time in the dictionary is the time required to retrieve a piece of stored information.

Нажмите, чтобы посмотреть исходное определение слова «access time» в словаре английский языка. Нажмите, чтобы посмотреть автоматический перевод определения на русский языке.

Синонимы и антонимы слова access time в словаре английский языка

Перевод слова «access time» на 25 языков

ПЕРЕВОД СЛОВА ACCESS TIME

Посмотрите перевод слова access time на 25 языков с помощью нашего многоязыкового переводчика c английский языка. Переводы слова access time с английский языка на другие языки, представленные в этом разделе, были выполнены с помощью автоматического перевода, в котором главным элементом перевода является слово «access time» на английский языке.
Переводчик с английский языка на
китайский язык 访问时间

1,325 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
испанский язык tiempo de acceso

570 миллионов дикторов

английский access time

510 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
хинди язык समय का उपयोग

380 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
арабский язык وقت الوصول

280 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
русский язык время доступа

278 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
португальский язык tempo de acesso

270 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
бенгальский язык প্রবেশাধিকার সময়

260 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
французский язык le temps d´accès

220 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
малайский язык Masa akses

190 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
немецкий язык Zugriffszeit

180 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
японский язык アクセス時間

130 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
корейский язык 액세스 시간

85 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
яванский язык Wektu akses

85 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
вьетнамский язык thời gian truy cập

80 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
тамильский язык அணுகல் நேரம்

75 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
маратхи язык प्रवेश वेळ

75 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
турецкий язык erişim süresi

70 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
итальянский язык tempo di accesso

65 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
польский язык czas dostępu

50 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
украинский язык час доступу

40 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
румынский язык timp de acces

30 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
греческий язык χρόνου πρόσβασης

15 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
африкаанс язык toegang tot tyd

14 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
шведский язык åtkomsttid

10 миллионов дикторов

Переводчик с английский языка на
норвежский язык aksesstid

5 миллионов дикторов

Тенденции использования слова access time

ТЕНДЕНЦИИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ТЕРМИНА «ACCESS TIME»

ЧАСТОТНОСТЬ

Слово используется регулярно

На показанной выше карте показана частотность использования термина «access time» в разных странах. Тенденции основных поисковых запросов и примеры использования слова access time Список основных поисковых запросов, которые пользователи ввели для доступа к нашему онлайн-словарю английский языка и наиболее часто используемые выражения со словом «access time».

ЧАСТОТА ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ТЕРМИНА «ACCESS TIME» С ТЕЧЕНИЕМ ВРЕМЕНИ

На графике показано годовое изменение частотности использования слова «access time» за последние 500 лет. Формирование графика основано на анализе того, насколько часто термин «access time» появляется в оцифрованных печатных источниках на английский языке, начиная с 1500 года до настоящего времени.

Примеры использования в литературе на английский языке, цитаты и новости о слове access time

КНИГИ НА АНГЛИЙСКИЙ ЯЗЫКЕ, ИМЕЮЩЕЕ ОТНОШЕНИЕ К СЛОВУ

«ACCESS TIME»

Поиск случаев использования слова access time в следующих библиографических источниках. Книги, относящиеся к слову access time, и краткие выдержки из этих книг для получения представления о контексте использования этого слова в литературе на английский языке.

1

The Essentials of Computer Organization and Architecture

6.4.4 For example, suppose the cache access time is 10ns, main memory access time is 200ns, and the cache hit rate is 99%. Using overlapped (parallel) access, the average time for the processor to access an item in this two-level memory …

Linda Null, Pennsylvania State University Linda Null, Julia Lobur, 2014

2

Discovering Computers 2011: Complete

Memory Access Times Access time is the amount of time it takes the processor to read data, instructions, and information from memory. A computer’s access time directly affects how fast the computer pro— cesses data. Accessing data in …

Gary Shelly, Misty Vermaat, 2010

3

Foundations of Computer Technology

The access time is usually constant for a particular random access memory (RAM ) device and may be regarded as a specification of the speed of the RAM device. Cost (per bit) Semiconductor Magnetic Bipolar MOS Hard disks Floppy disks …

Alexander John Anderson, 1994

4

Computer Architecture and Organization: Design Principles …

The time taken by the memory to read the contents of a location (or write information into a location) is called its access time. Generally, main memory should have uniform access time for all its locations irrespective of its address ( first, middle, …

5

COMPUTER ORGANIZATION AND DESIGN

Determine the average memory access time for a cache hit ratio of .85, cache access time of 100 nsec and main storage access time of 500 nsec. 6.9 Evaluate the effective memory access time and the address space representation in …

Let us compute the effective access time for a demand-paged memory. Let p be the probability of a page fault (0 < p < 1). We would expect p to be close to zero; that is, there will be only a few page faults. The effective access time is then …

A.P.Godse, D.A.Godse, 2010

Generally, main memory should have uniform access time for all its locations irrespective of its address (first, middle, last, etc.). Modern computers use semiconductor memory whose access time is around 50 T|s. Old computers use magnetic …

8

Encyclopedia of Computer Science and Technology: Volume 42 — …

This reduces the access time to memory from tens of processor cycles to just one or two. Virtually every current processor implementation uses caches to minimize memory latency, and the probability that a memory access will «hit» in the cache …

Allen Kent, James G. Williams, 2000

As long as we have no page faults, the effective access time is equal to the memory access time. If, however, a page fault occurs, the time required to read the relevant page from disk is added in the total memory access time. Let us compute …

10

Access to Mobile Services

notice that the access time of the VPS method increases faster than that of the FPS method. This is due to the fact that there is a mapping directory in each partition for the VPS method. When p increases, both the number and the sizes of the …

Xu Yang, Athman Bouguettaya, 2009

НОВОСТИ, В КОТОРЫХ ВСТРЕЧАЕТСЯ ТЕРМИН «ACCESS TIME»

Здесь показано, как национальная и международная пресса использует термин access time в контексте приведенных ниже новостных статей.

Trends in storage and its impact on the Cloud and data center

This greatly reduces access time and latency in comparison to public cloud services. The hybrid cloud model offers companies the ability to … «Networks Asia, Июл 15»

Microsoft surprises with Preview release 10159

Access time is 0.160ms in read and 0.078ms in write mode. The drive can copy an ISO file at 869.49 MB/s it can copy a program at 241.05 MB/s … «Fudzilla, Июл 15»

LG Curved 4K OLED TVs Stand Out at Professional Audio …

The event is also known for unparalleled access time with every vendor. The CIs who made the trek agreed about the cozy one-on-one quality … «CEPro, Июл 15»

Want to spoil your favourite storage vendor’s day? Buy cloud

… the two primary functions are: (a) local caching of the recently used data that’s going in and out to the cloud so that the average access time is … «The Register, Июл 15»

Scudamore: Clubs will oppose homegrown quotas

… the only route to improving homegrown players is through a qualitative route, through better facilities, better coaching, better access time, … «SkySports, Июн 15»

The first ARM Cortex M7 microcontroller in volume production

The unique ART Accelerator graphic engine reduces Flash memory access time, and advanced voltage scaling and underdrive/overdrive that … «EE Herald, Июн 15»

World Food Prize Laureate Announcement Ceremony

Final access time for journalists and still photographers: 1:00 p.m. from the 23rd Street Entrance Lobby. Media representatives may attend this … «US Department of State, Июн 15»

CRMC board meets new security director

… arrays used for archiving image studies and the EMR data, allowing for improved access time to the data and increasing the disk capacity. «Cookeville Herald Citizen, Июн 15»

O father, where art thou?

Naturally, a father who is only afforded a few hours of access time a week can’t ever compete with a mother who is there 24/7. Even so, children … «Times of Malta, Июн 15»

STMicroelectronics Begins STM32F7 Production, First to Market with …

… unique ART Accelerator(TM) graphic engine that reduces Flash access time, and advanced voltage scaling and underdrive/overdrive that … «CNNMoney, Июн 15»


ССЫЛКИ

« EDUCALINGO. Access time [онлайн]. Доступно на <https://educalingo.com/ru/dic-en/access-time>. Дек 2021 ».

→ %d0%b2%d1%80%d0%b5%d0%bc%d1%8f%20%d0%b4%d0%be%d1%81%d1%82%d1%83%d0%bf%d0%b0

Я знала, как высоко Бог ценит человека и его тело, но даже это не останавливало меня. Дженнифер, 20 лет

Tiedän, miten arvokkaana Jumala pitää ihmisruumista, mutta edes se ei ole saanut minua lopettamaan.” (Jennifer, 20)

jw2019

Спорим на 20 баксов, что ты не сможешь провести целый день одна.

Lyön 20 taalaa vetoa ettet voi olla yhtä päivää ihan yksinäsi.

OpenSubtitles2018.v3

Когда мы помогаем другим, мы и сами в какой-то мере испытываем счастье и удовлетворение, и наше собственное бремя становится легче (Деяния 20:35).

Tehdessämme jotain toisten hyväksi emme ainoastaan auta heitä vaan myös tunnemme onnellisuutta ja tyytyväisyyttä, mikä tekee omien taakkojemme kantamisen siedettävämmäksi (Apostolien teot 20:35).

jw2019

Речь и обсуждение со слушателями, основанные на «Сторожевой башне» от 15 июля 2003 года, с. 20.

Puhe ja keskustelu kuulijoiden kanssa Vartiotornin 15.7.2003 sivun 20 pohjalta.

jw2019

Ну, в то время, мы говорим о 80-х, в то время это было модно.

Tuollaiset olivat 80-luvulla muotia.

OpenSubtitles2018.v3

Я был женат 20 лет.

Olen ollut naimisissa 20 vuotta.

OpenSubtitles2018.v3

20 Оставлена родителями, но любима Богом

20 Vanhempien hylkäämä, Jumalan rakastama

jw2019

Когда в 80-х годах люди якудзы увидели, как легко брать ссуды и «делать» деньги, они создали компании и занялись операциями с недвижимым имуществом и куплей-продажей акций.

Kun jakuza näki, miten helppoa sen oli lainata ja ansaita rahaa 1980-luvulla, se perusti liikeyrityksiä ja heittäytyi mukaan kiinteistö- ja osakekeinotteluun.

jw2019

Вот что пророчествовал Алма жителям Гидеона около 83 года до Р. Х.:

Alma profetoi seuraavaa Gideonin kansalle noin vuonna 83 eKr.:

LDS

Обычно проводят связь между этим древним городом и современной Газой (Газза, Азза), расположенной примерно в 80 км к З.-Ю.-З. от Иерусалима.

Muinainen kaupunki yhdistetään yleensä nykyiseen Gazaan (Ghazze; ʽAzza), joka sijaitsee n. 80 km Jerusalemista länsilounaaseen.

jw2019

20 Даже преследование или заключение в тюрьму не может закрыть уста преданных Свидетелей Иеговы.

20 Vaino tai vankeuskaan eivät voi sulkea Jehovan antaumuksellisten todistajien suuta.

jw2019

Ты был в отключке минут 20.

Olit tajuttomana 20 minuuttia.

OpenSubtitles2018.v3

б) Чему мы учимся из слов, записанных в Деяниях 4:18—20 и Деяниях 5:29?

b) Mitä Apostolien tekojen 4:18–20 ja 5:29 opettavat meille?

jw2019

«К одинадцати Апостолам» был причислен Матфий, чтобы служить с ними (Деяния 1:20, 24—26).

Mattias nimitettiin ”niiden yhdentoista ohella apostolien joukkoon”. – Apostolien teot 1:20, 24–26.

jw2019

Роберт Коэмс, доцент Торонтского университета, обобщает их взгляды: «Рак легких — через 20 лет.

Apulaisprofessorina Toronton yliopistossa toimiva Robert Coambs esittää tiivistelmän heidän asenteestaan: ”Keuhkosyöpä on 20 vuoden päässä.

jw2019

Именно это приводит к счастью, как было сказано царем Соломоном: «Кто надеется на Господа, тот блажен [счастлив, НМ]» (Притчи 16:20).

Tämä edistää onnellisuutta, kuten kuningas Salomo selitti: ”Onnellinen on se, joka luottaa Jehovaan.” (Sananlaskut 16:20, UM.)

jw2019

Будьте щедрыми и заботьтесь о благополучии других (Деяния 20:35).

Ole antelias ja toimi toisten onnellisuuden hyväksi. (Apostolien teot 20:35)

jw2019

Это забавно, когда тебе 20 лет.

20-vuotiaana on melko naiivi.

OpenSubtitles2018.v3

20 июля 1871 года Британская Колумбия стала шестой провинцией Канады.

20. heinäkuuta – Brittiläisestä Kolumbiasta Kanadan kuudes provinssi.

WikiMatrix

Задираю нос на 20 градусов.

OpenSubtitles2018.v3

Вот вам скидка 20% на всё.

OpenSubtitles2018.v3

Исследователи провели эксперимент с учащимися колледжа — юношами и девушками. В течение 20 минут одна группа играла в жестокие видеоигры, а другая — в обычные.

Eräässä tutkimuksessa sattumanvaraisesti valitut mies- ja naisopiskelijat pelasivat 20 minuutin ajan joko väkivaltaista tai väkivallatonta videopeliä.

jw2019

Он мертв уже 20 лет.

Hän kuoli 20 vuotta sitten.

OpenSubtitles2018.v3

Он дал моей дочери воспоминания о чудесных событиях, свидетельствующих о Его любви к ней, а мы с женой обрели более крепкое свидетельство о том, что «чего ни попросите у Отца во имя Моё, что праведно, веруя, что получите, вот, сие будет дано вам» (3 Нефий 18:20).

Hän antoi tyttärelleni muiston noista ihmeellisistä tapahtumista todisteeksi siitä, että Hän rakastaa tytärtäni, ja vaimoni ja minä saimme kumpikin vahvemman todisteen siitä, että ”mitä tahansa te pyydätte Isältä minun nimessäni, mikä on oikein, uskoen saavanne, katso, se teille annetaan” (3. Nefi 18:20).

LDS

Великий врач, Иисус Христос, применит ценность Своей искупительной жертвы «для исцеления народов» (Откровение 22:1, 2; Матфея 20:28; 1 Иоанна 2:1, 2).

Mestarilääkäri, Jeesus Kristus, soveltaa lunastusuhrinsa arvoa ”kansojen parannukseksi”.

jw2019

Ограничение доступа к документам во время рабочих процессов

  • Статья
  • Чтение занимает 2 мин

В этой статье

Дата последнего изменения: 16 апреля 2010 г.

Применимо к: SharePoint Foundation 2010

В некоторых ситуациях желательно ограничить или даже запретить пользователям доступ к документу, пока рабочий процесс работает с данным документом. Блокировка документа в таких случаях является гарантией, что документ не будет изменен пользователями во время выполнения рабочего процесса.

Настройка списков управления доступом к документу во время выполнения рабочего процесса

Наиболее мощным и гибким способом ограничения доступа к документу является настройка списков управления доступом пользователей к документу. В рабочий процесс можно включить код, который будет изменять списки доступа при запуске рабочего процесса и после его завершения восстанавливать списки доступа, действовавшие до запуска процесса. Однако настройка поэлементных списков доступа уменьшает производительность, и ее следует использовать с осторожностью, чтобы избежать потери данных.

Стандартный способ блокировки документов на время выполнения рабочего процесса при помощи списков управления доступом может состоять из следующих этапов:

  1. Определение списков доступа, установленных для документа.

    Если вы намерены восстановить первоначальные списки управления доступом к документу, следует сначала включить в рабочий процесс код, который определяет эти списки управления доступом к документу.

  2. Сохраните эти списки доступа, чтобы можно было получить их позднее.

    После определения первоначальных списков доступа к документу, необходимо сохранить их, чтобы по завершении рабочего процесса можно было их восстановить.

    Если эти списки определяют каждый элемент уникальным образом, то их следует сохранить в списке элементов. Это позволит быть уверенным, что в случае прерывания рабочего процесса до восстановления предыдущих списков доступа, будет возможным восстановить доступ к документу. Например, можно расположить разрешения последовательно и сохранить их в виде скрытой строки.

    Можно также сохранить элементы, наследующие списки, что позволит восстановить структуру наследования, а не добавлять независимые отдельные разрешения.

  3. Устанавливает при необходимости списки доступа к документу во время выполнения рабочего процесса.

    Например, можно включить в рабочий процесс код, который удаляет все возможности доступа к документу, кроме доступа самого рабочего процесса. Или можно установить разрешения списков доступа только для пользователей, чьи задачи связаны с выполнением рабочего процесса. Можно также получить необходимые разрешения для доверенного списка администраторов, которые могут при необходимости изменять эти списки вручную.

  4. Получите первоначальные настройки ACL для документа и примените их к документу повторно. После завершения рабочего процесса, скорее всего, понадобится включить код восстановления первоначальных списков управления доступом к документу.

    Если документ наследует свои списки доступа от библиотеки, в которой он содержится, то нет необходимости сохранять списки доступа к документу. Вместо этого можно установить процесс наследования документом прав доступа библиотеки после завершения рабочего процесса.

Извлечение документов во время выполнения рабочего процесса

Другой подход ограничения доступа к документу во время выполнения рабочего процесса состоит в использовании кода, который заставляет рабочий процесс сначала извлекать документ, а при завершении рабочего процесса возвращать документ обратно, не изменяя его.

Чтобы реализовать это, используйте канальные методы CheckOutListItem, CheckInListItem и UndoCheckOutListItem в UndoCheckOutListItem.

Если рабочий процесс связан с библиотекой документов, для которой включена функция утверждения контента, то необходимо рассмотреть следующие возможности:

  • При извлечении элементов возможен перезапуск рабочего процесса, если он настроен на запуск при публикации новой версии элемента.

  • Нельзя установить поле состояния утверждения для извлеченных элементов.

См. также

Концепции

Разработка рабочих процессов в среде разработки Visual Studio

Что такое время доступа? (с изображением)

Время доступа — это время, которое проходит между запросом данных и предоставлением данных. Есть много других терминов, которые относятся ко времени доступа, например, задержка памяти и время поиска. Эти условия различны для разных сред.

Период времени, который проходит между запросом данных и получением данных, называется временем доступа.

Один из наиболее распространенных типов времени доступа — это задержка памяти. Это относится к количеству времени, которое требуется контроллеру памяти для доступа и подготовки области памяти для вывода. Это чрезвычайно важный тип задержки, поскольку он часто является определяющим фактором того, насколько быстро программы могут работать в системе.

Другой хорошо известный тип времени доступа называется задержкой в ​​сети.Этот тип задержки относится к количеству времени, необходимому для передачи пакета информации из одной точки сети в другую. Что касается доступа в Интернет, это время может значительно варьироваться в зависимости от того, куда отправляется пакет. Например, сетевая задержка отправки пакета на компьютер в той же физической сети может составлять 15 миллисекунд, в то время как она может составлять несколько секунд при отправке на компьютер, расположенный в удаленной стране.

Жесткие диски и приводы оптических дисков имеют несколько различных типов задержки.Первый известен как задержка вращения. Вращаются как жесткие диски, так и оптические диски. Задержка вращения — это время, необходимое для вращения диска в положение, при котором головка чтения / записи может получить доступ к данным.

Второй тип задержки в этих типах систем известен как время поиска.После того, как диск повернулся в правильное положение, головка чтения / записи должна переместиться в правильное положение для чтения данных. Время, необходимое для этих двух процессов, варьируется и зависит от того, как далеко от исходного положения находится новое положение.

Последний тип задержки известен как время передачи.Вот сколько времени занимает процесс передачи информации с накопителя. Это время доступа различно для разных типов дисков и называется битрейтом.

Из-за множества переменных, связанных с задержкой жестких дисков и оптических дисководов, может быть сложно определить фактическое время доступа для данного диска.Диски часто рекламируются с указанием их максимальной скорости. Этот счет часто относится исключительно к скорости передачи данных диска.

Разница между временем поиска и временем доступа к диску при планировании диска

Время поиска:
Диск разделен на множество круговых дорожек. Время поиска определяется как время, необходимое головке чтения / записи для перехода от одной дорожки к другой.

Пример,
Рассмотрим следующую диаграмму, головка чтения / записи в настоящее время находится на дорожке 1.

Теперь, при следующем запросе чтения / записи, мы можем захотеть прочитать данные с дорожки 4, в этом случае , наша головка чтения / записи переместится на дорожку 4. Время, необходимое для достижения дорожки 4, — это время поиска .


Время доступа к диску:
Время доступа к диску определяется как общее время, необходимое компьютеру для обработки запроса чтения / записи и последующего извлечения необходимых данных из дискового хранилища.

Время доступа к диску делится на 2 части:

  1. Время доступа
  2. Время передачи данных
 Время доступа к диску = время доступа + время передачи данных 

1. Время доступа:
Время доступа определяется как время настройки до фактической передачи данных.
Например, головка чтения / записи находится на дорожке 1, но нам нужно прочитать данные с другой дорожки или сегмента. Таким образом, головка чтения / записи переместится в местоположение блока данных до того, как может произойти фактическая передача.Эта задержка называется временем доступа.

Время доступа рассчитывается путем суммирования следующих величин:

  (a).  Время поиска
  (б).  Ротационная задержка
  (с).  Время обработки команды
  (г).  Расчетное время 

Они вкратце объясняются ниже.

Примечание. Время обработки команды и время установления обычно не упоминаются в числовом вопросе. Мы принимаем их за ноль.

2.Время передачи данных:
Время передачи данных определяется как время, необходимое для передачи данных между системой и диском.
Data Transfer Time бывает двух типов:

  (a).  Внутренняя скорость передачи
  (б).  Внешняя скорость передачи данных 

Вкратце они описаны ниже.

  • (а). Внутренняя скорость передачи —
    Она определяется как время, необходимое для перемещения данных между поверхностью диска и кешем жесткого диска.
  • (б). Внешняя скорость передачи —
    Она определяется как время, необходимое для перемещения данных между кешем жесткого диска и системой.

Давайте посмотрим на разницу между временем поиска и временем доступа к диску:

S.NO. Время поиска Время доступа к диску
1 Это время, необходимое головке чтения / записи для перехода от одной дорожки к другой. Это время, необходимое компьютеру для обработки запроса чтения / записи и получения необходимых данных.
2 Это всегда меньше времени доступа к диску. Поскольку это часть времени доступа к диску. Это очень много по сравнению со временем поиска.
3 Передача данных не учитывается. Он учитывает время, необходимое для передачи данных. C

Разница между временем доступа и продолжительностью цикла памяти

Время доступа к времени цикла памяти

Резюме: Разница между временем доступа и временем цикла памяти заключается в том, что время доступа — это количество времени, которое требуется процессору для чтения данных, инструкций и информации из памяти.В то время как время цикла памяти — это время, которое измеряется в наносекундах, время между одним доступом к оперативной памяти и временем начала следующего доступа к оперативному запоминающему устройству RAM .

Время доступа к памяти

Время доступа — это время, которое требуется процессору для чтения данных, инструкций и информации из памяти. Время доступа компьютера напрямую влияет на скорость обработки данных компьютером. Доступ к данным в памяти может быть более чем в 200 000 раз быстрее, чем доступ к данным на жестком диске, из-за механического движения жесткого диска.Современные производители используют разнообразную терминологию для определения времени доступа. Некоторые используют доли секунды, которые для запоминания выражаются в наносекундах. Наносекунда (сокращенно нс) составляет одну миллиардную долю секунды. Наносекунда — это очень быстро. Другие производители указывают время доступа в МГц; например, ОЗУ 800 МГц.

Хотя время доступа к памяти сильно влияет на общую производительность компьютера, производители и розничные продавцы обычно перечисляют память компьютера с точки зрения ее размера, а не времени доступа.

Время цикла памяти

Это время, измеряемое в наносекундах, время между одним обращением к оперативной памяти и моментом начала следующего обращения к оперативному запоминающему устройству ОЗУ . Время доступа использовалось как синоним этого, но IBM разделяет это с некоторыми пояснениями. Это время цикла находит правильное место для памяти в памяти и время передачи этой информации / процесса. Поэтому не следует путаться, думая о тактовом цикле или тактовой частоте , которые имеют отношение к количеству циклов в секунду, на которые рассчитывается процессор.

Также читают:

Разница между флэш-памятью и оперативной памятью

Разница между флэш-памятью и кэш-памятью

Разница между энергозависимой и энергонезависимой памятью

Разница между памятью и флэш-памятью

Разница между памятью и хранилищем

Разница между этикетом и сетевым этикетом

время доступа | Примеры предложений

Время доступа пока отсутствует в Кембриджском словаре.Вы можете помочь!

Среднее значение доступа время для устройства составляет 6 секунд, а перемотка от конца до конца занимает 20 секунд. Из

Википедия