Модуль ram: Расшифровка номеров по каталогу модулей памяти Kingston®

Содержание

Расшифровка номеров по каталогу модулей памяти Kingston®

Search Kingston.com

To get started, click accept below to bring up the cookies management panel. Next, tap or click on the Personalization button to turn on the chat feature, then Save.

Версия вашего веб-браузера устарела. Обновите браузер для повышения удобства работы с этим веб-сайтом. https://browser-update.org/update-browser.html

Узнайте, как читать номера по каталогу модулей памяти Kingston®, включая Kingston FURY™, Server Premier™ ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2, и линейки модулей памяти DDR. Это поможет вам идентифицировать модули памяти по спецификации.

Номер артикула: KF556C38BBE2AK2-32

KF = линейка продукции

KF – Kingston FURY

5 = технология

5 – DDR5

56 = скорость(MT/s^A65242}}»>*)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000
64 – 6400

C = тип памяти DIMM

C – UDIMM (небуферизованный, без ECC)
S – SODIMM (небуферизованный, без ECC)

38 = CAS-латентность

32 – CL32
36 – CL36
38 – CL38
40 – CL40

B = серия

B – Beast
I – Impact
R – Renegade

B = теплоотвод

B – ??
S – Серебристый

E = Тип Профиль

не указано — Intel XMP / Plug and Play
E — AMD EXPO

2 = версия

не указано — 1ᴙ версия
2 — 2ᴙ версия
3 — 3ᴙ версия

A = RGB

не указано — Без RGB-подсветки
A – RGB

K2 = комплект + кол-во модулей в комплекте

не указано – отдельный модуль

K2 – комплект из 2 модулей
K4 — комплект из 4 модулей

16 = общая емкость

8 – 8 ГБ
16 – 16 ГБ
32 – 32 ГБ
64 – 64 ГБ
128 – 32 ГБ

Номер артикула: KVR48U40BS8LK2-32X

KVR = Kingston ValueRAM

KVR – Kingston ValueRAM

48 = скорость (MT/s^A65242}}»>*)

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000

U = тип памяти DIMM

U – DIMM (небуферизованный, без ECC)
S – SO-DIMM (небуферизованный, без ECC)

40B = CAS-латентность

40 – 40-40-40
40B – 40-39-39
42 – 42-42-42
46 – 46-46-46

S = ранги

S – одноранговый
D – двухранговый

8 = тип памяти DRAM

8 – микросхема DRAM x8
6 – микросхема DRAM x16

L = профиль

не указано – стандартный
L – очень низкий профиль (VLP)

K2 = комплект + количество модулей

не указано – отдельный модуль
K2 – комплект из 2 модулей
K4 – комплект из 4 модулей

32 = общая емкость

8 – 8 ГБ
16 – 16 ГБ
32 – 32 ГБ
64 – 64 ГБ
128 – 128 ГБ
256 – 256 ГБ

X = адаптация

не указано – стандартный пакет
BK – большой пакет

Номер артикула: KF432C16BB1AK4/64

KF = линейка продукции

KF — Kingston FURY

4 = технология

3 — DDR3
4 — DDR4

32 = скорость (MT/s^A65242}}»>*)

16 — 1600 (1.5V)
16L — 1600 (1.35V)
18 — 1866 (1.5V)
18L — 1866 (1.35V)
26 — 2666
29 — 2933
30 — 3000
32 — 3200
36 — 3600
37 — 3733
40 — 4000
42 — 4266
46 — 4600
48 — 4800
50 — 5000
51 — 5133
53 — 5333

C = тип памяти DIMM

C — UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
S — SODIMM (Non-ECC Unbuffered)

16 = CAS-латентность

9 — CL9
10 — CL10
11 — CL11
13 — CL13
15 — CL15
16 — CL16
17 — CL17

18 — CL18
19 — CL19
20 — CL20

B = серия

B — Beast
R — Renegade
I — Impact

B = теплоотвод

не указано — синий
B — черный
R — красный
W — White

1 = версия

не указано — 1^я версия
1 — модули 16 ГБ с компонентами 1Gx8 (8 Гбит)
2 — 2^я версия
3 — 3^я версия
4 — 4th Revision

A = RGB

не указано — Без RGB-подсветки
A — RGB-подсветка

K4 = комплект + кол-во модулей в комплекте

Пусто – отдельный модуль
K2 — комплект из 2 модулей
K4 — комплект из 4 модулей
K8 — комплект из 8 модулей

64 = общая емкость

4 — 4 ГБ
8 — 8 ГБ
16 — 16 ГБ
32 — 32 ГБ
64 — 64 ГБ
128 — 128 ГБ
256 — 256 ГБ

Номер артикула: HX429C15PB3AK4/32

HX = Линейка продукции

HX — HyperX (прежние модули)

4 = технология

3 — DDR3
4 — DDR4

29 = скорость (MT/s^A65242}}»>*)

13 — 1333
16 — 1600
18 — 1866
21 — 2133
24 — 2400
26 — 2666
28 — 2800
29 — 2933
30 — 3000
32 — 3200
33 — 3333
34 — 3466
36 — 3600
37 — 3733
40 — 4000
41 — 4133
42 — 4266
46 — 4600
48 — 4800
50 — 5000
51 — 5133
53 — 5333

C = тип памяти DIMM

C — UDIMM (Non-ECC Unbuffered)

S — SODIMM (Non-ECC Unbuffered)

15 = CAS-латентность

9 — CL9
10 — CL10
11 — CL11
12 — CL12
13 — CL13
14 — CL14
15 — CL15
16 — CL16
17 — CL17
18 — CL18
19 — CL19
20 — CL20

P = серия

F — FURY
B — Beast
S — Savage
P — Predator
I — Impact

B = теплоотвод

не указано- синий
B — черный
R — красный
W — белый

3 = версия

2 — 2^я версия
3 — 3^я версия
4 — 4^я версия

A = RGB

не указано — без RGB-подсветки
A — RGB-подсветка

K4 = комплект + кол-во модулей в комплекте

не указано — отдельный модуль
K2 — комплект из 2 модулей
K4 — комплект из 4 модулей
K8 — комплект из 8 модулей

32 = общая емкость

4 — 4 ГБ
8 — 8 ГБ
16 — 16 ГБ
32 — 32 ГБ
64 — 64 ГБ
128 — 128 ГБ
256 — 256 ГБ

Номер по каталогу: KSM26RD4L/32HAI

KSM = Kingston Server Premier

KSM: Kingston Server Premier

26 = Скорость (MT/s^A65242}}»>*)

24: 2400
26: 2666
29: 2933
32: 3200

R = Тип модуля

E: модуль DIMM без буфера (ECC)
R: зарегистрированный модуль DIMM
L: модуль DIMM с уменьшенной нагрузкой
SE: модуль SO-DIMM без буфера (ECC)

D = Ранки

S: одинарный
D: двойной
Q: Четырех

4 = Тип DRAM

4: x4
8: x8

L = Профиль печатной платы

L: очень низкопрофильный модуль DIMM

32 = хранения

8 Гб
16 Гб
32 Гб
64 Гб
128 Гб
256 Гб

H = Изготовитель DRAM

H: SK Hynix
M: Micron

A = Новая версия кристалла DRAM

A кристалла
B кристалла
E кристалла

I = Зарегистрировать изготовителя

I: IDT
M: Montage
R: Rambus

Номер по каталогу: KVR21LR15D8LK2/4HBI

KVR = Kingston ValueRAM

KVR : Kingston ValueRAM

21 = Скорость (MT/s

A65242}}»>*)

21 : 2133
24 : 2400
26 : 2666
29 : 2933
32 : 3200

L = Низковольтный

Без обозначения: 1,2V
L: TBD

R = Тип модуля

E: небуферизованный DIMM (ECC) с термодатчиком
L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
N: небуферизованный DIMM (не ECC)
R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
S: SO-DIMM, небуферизованный (не Ecc)

15 = Латентность (CAS)

15 : Латентность (CAS)

D = Ранки

S: одноранковый
D: Двухранковый
Q: Четырехранковые
O: восьмиранковый

8 = Тип DRAM

4: x4 микросхема DRAM
8: x8 микросхема DRAM

6: x16 микросхема DRAM

L = Профиль

Без обозначения: любая высота
H: 31,25mm
L: 18,75mm (VLP)

K2 = Комплект + количество единиц продукции

Без обозначения: Отдельный модуль
K2: комплект из двух модулей
K3: комплект из трех модулей

4 = хранения

4 : хранения (Гб)

H = Изготовитель DRAM

H : SK Hynix
K : Kingston
M : Micron
S : Samsung

B = Версия

B : Версия

I = Сертификация Intel

I : Сертификация Intel

Номер по каталогу: KVR16LR11D8LK2/4HB

KVR = Kingston ValueRAM

KVR: Kingston ValueRAM

16 = Скорость (MT/s^A65242}}»>*)

16: 1600
13: 1333
10: 1066

L = Низковольтный

Без обозначения: 1,5V
L: 1,35V
U: 1,25V

R = Тип модуля

E: небуферизованный DIMM (ECC)
N: небуферизованный DIMM (не ECC)
R: регистровый DIMM с
L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
S: SO-DIMM

11 = Латентность (CAS)

11: Латентность (CAS)

D = Ранки

S: одноранковый
D: Двухранковый
Q: Четырехранковые

8 = Тип DRAM

4: микросхема DRAM x4
8: микросхема DRAM x8

L = Профиль

L: 18,75mm (VLP)
H: 30mm

K2 = Комплект + количество единиц продукции

K2: комплект из двух модулей
K3: комплект из трех модулей
K4: комплект из четырех модулей

4 = хранения

4: 4Гб
8: 8Гб
12: 12Гб
16: 16Гб
24: 24Гб
32: 32Гб
48: 48Гб
64: 64Гб

H = DRAM MFGR/Сертификация

H: Hynix
E: Elpida
I: Сертификация Intel

B = Версия кристалла

B: Версия кристалла

Номер по каталогу: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

KVR
1066
D3
L
D
8
R
7
S
L
K2
/
4G
H
B

KVR = Kingston ValueRAM

KVR: Kingston ValueRAM

1066 = Скорость (MT/s^A65242}}»>*)

1066: Скорость

D3 = Technology

D2: DDR2
D3: DDR3

L = Низковольтный

Без обозначения: 1,5V
L: 1,35V
U: 1,25V

D = Технология

S: одноранковый
D: Двухранковый
Q: Четырехранковые

8 = DRAM

4: микросхема DRAM x4
8: микросхема DRAM x8

R = Тип модуля

P: регистровый с контролем четности (только для регистровых модулей)
E: небуферизованный DIMM (ECC)
F: FB DIMM
M: Mini-DIMM
N: небуферизованный DIMM (не ECC)
R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
S: SO-DIMM
U: Micro-DIMM

7 = Латентность (CAS)

7: Латентность (CAS)

S = термодатчиком

Без обозначения: без термодатчика
S: с термодатчиком

L = Профиль

Без обозначения:Без обозначения
L: 18,75mm (VLP)
H: 30mm

K2 = Комплект + количество единиц продукции

Без обозначения: Отдельный модуль
K2: комплект из двух модулей
K3: комплект из трех модулей

4G = хранения

4G: хранения (Гб)

H = DRAM MFGR

H: DRAM MFGR

B = Версия

B: Версия

Номер по каталогу: KVR400X72RC3AK2/1G

KVR = Kingston ValueRAM

KVR: Kingston ValueRAM

400 = Скорость (MT/s^A65242}}»>*)

X72 = X72 ECC

X72: X72 ECC

R = регистровая

R: регистровая

C3 = Латентность (CAS)

C3: Латентность (CAS)

A = DDR400 3-3-3

A: DDR400 3-3-3

K2 = Комплект + количество единиц продукции

K2: комплект из двух модулей

1G = хранения

1G: хранения (Гб)

Глоссарий

Емкость

Общее количество имеющихся ячеек памяти, содержащееся в модуле памяти, выраженное в гигабайтах (ГБ). Для комплектов указанная емкость — это совокупная емкость всех модулей в комплекте.

CAS-латентность

Заранее определенной в соответствии со стандартом количество тактов для чтения/записи данных в/из модулей и для контроллера памяти. После загрузки команды чтения/записи, а также адресов строка/столбец, CAS-латентность представляет собой время ожидания, необходимое для подготовки этих данных.

DDR4

Технология памяти четвертого поколения с синхронной динамической оперативной памятью (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), чаще называемая «DDR4». Модули памяти DDR4 не имеют обратной совместимости с любыми DDR SDRAM предыдущих поколений из-за более низкого напряжения (1,2 В), различных конфигурациях контактной группы и несовместимой технологии производства чипов.

DDR5

Технология памяти пятого поколения с синхронной динамической оперативной памятью (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), чаще называемая «DDR5». Модули памяти DDR5 не имеют обратной совместимости с любыми DDR SDRAM предыдущих поколений из-за более низкого напряжения (1,1 В), различий в конфигурации контактной группы и несовместимой технологии производства чипов.

Тип памяти DIMM

UDIMM (небуферизованный (non-ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module) модуль памяти без функции коррекции ошибок) — это модуль памяти с длинным форм-фактором и шириной данных x64, наиболее часто используемый в настольных системах, где исправление ошибок не требуется, а емкость DIMM ограничена.

SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) — это модуль памяти с уменьшенным форм-фактором, предназначенный для небольших вычислительных систем, таких как ноутбуки, микросерверы, принтеры или маршрутизаторы.

Гигабит (Гбит)

Бит — это наименьшая единица данных в вычислениях, которая представляется как 1 или 0 (вкл./выкл.). Гигабит (Гбит) — это 1 миллиард битов (или 10⁹) согласно определению в Международной системе единиц (СИ). При описании компьютерной памяти Гб (или Гбит) обычно используется для выражения плотности отдельного компонента DRAM.

Гигабайт (ГБ)

Байт состоит из 8 бит. Гигабайт (ГБ) — это 1 миллиард байтов (или 10⁹) согласно определению в Международной системе единиц (СИ). При описании компьютерной памяти ГБ используется для представления общей емкости данных модуля памяти или группы модулей памяти, объединенных в общую системную память.

Комплект

Номер по каталогу, который включает в себя несколько модулей памяти, обычно для поддержки двух-, трех- или четырехканальной архитектуры памяти. Например, K2 = 2 DIMM в комплекте, чтобы составить общую емкость.

Скорость (так же называемая частотой)

Скорость передачи данных или эффективная тактовая частота, поддерживаемая модулем памяти, измеряется в МГц (мегагерцах) или МТ/с (мегатрансферах в секунду). Чем выше скорость, тем больше данных может быть передано в секунду.

Ранг

Ранг обозначает адресуемый блок данных в модуле памяти. В модулях DDR2, DDR3 и DDR4 эти блоки данных имеют ширину 64 бита (x64), а в модулях с функцией ECC используется еще 8 бит (x72). Модули DDR5 также имеют 64 бита на ранг, однако при наличии в них функции ECC ширина блока данных составляет 80 бит на ранг (x80). Модули могут быть одноранговыми (1R), двухранговыми (2R), четырехранговыми (4R) или восьмиранговыми (8R). Как правило, чем больше количество рангов, тем выше емкость каждого модуля.

Канал памяти

Канал памяти — это путь передачи данных между модулем памяти и контроллером памяти (обычно находящимся внутри процессора). Большинство вычислительных систем (ПК, ноутбуки, серверы) имеют многоканальную архитектуру памяти, в которой каналы объединяются для увеличения производительности памяти. Двухканальная архитектура памяти означает, что при установке пары одинаковых модулей эффективная пропускная способность контроллера памяти удваивается.

Латентность (тайминг)

Приведённая ниже информация поможет проиллюстрировать различные настройки, которые можно регулировать при установке оптимальных по производительности таймингов оперативной памяти в BIOS системной платы. Обратите внимание, что эти настройки могут различаться в зависимости от производителя и модели системной платы, а также версии микропрограммы BIOS.

Пример

—

tRCD

—

tRP/tRCP

—

tRA/tRD/tRAS

CAS-латентность (CL): Задержка между активацией и чтением строки.

Задержка RAS-СAS или RAS-столбец (tRCP): Активирует строку

Задержка предзаряда строки или задержка предзаряда RAS (tRP/tRCP): Отключает строку

Активная задержка строки или активная задержка RAS или время до готовности (tRA/tRD/tRAS): Количество тактовых циклов между активацией/деактивацией строки.

Заявление об ограничении ответственности. Вся продукция компании Kingston проходит тестирование на соответствие опубликованным техническим характеристикам. Некоторые конфигурации систем или материнских плат не могут работать на опубликованных для модулей памяти Kingston скоростях или при опубликованных настройках синхронизации. Компания Kingston не рекомендует пользователям пытаться разгонять свои компьютеры до скоростей, превышающих опубликованные. Завышение тактовой частоты процессора или изменение синхронизации системы может привести к повреждению компонентов компьютера.

Анатомия RAM / Хабр

У каждого компьютера есть ОЗУ, встроенное в процессор или находящееся на отдельной подключенной к системе плате — вычислительные устройства просто не смогли бы работать без оперативной памяти. ОЗУ — потрясающий образец прецизионного проектирования, однако несмотря на тонкость процессов изготовления, память ежегодно производится в огромных объёмах. В ней миллиарды транзисторов, но она потребляет только считанные ватты мощности. Учитывая большую важность памяти, стоит написать толковый анализ её анатомии.

Итак, давайте приготовимся к вскрытию, выкатим носилки и отправимся в анатомический театр. Настало время изучить все подробности каждой ячейки, из которых состоит современная память, и узнать, как она работает.

Зачем же ты, RAM-ео?

Процессорам требуется очень быстро получать доступ к данным и командам, чтобы программы выполнялись мгновенно. Кроме того, им нужно, чтобы при произвольных или неожиданных запросах не очень страдала скорость. Именно поэтому для компьютера так важно ОЗУ (RAM, сокращение от random-access memory — память с произвольным доступом).

Существует два основных типа RAM: статическая и динамическая, или сокращённо SRAM и DRAM.

Мы будем рассматривать только DRAM, потому что SRAM используется только внутри процессоров, таких как CPU или GPU. Так где же находится DRAM в наших компьютерах и как она работает?

Большинству людей знакома RAM, потому что несколько её планок находится рядом с CPU (центральным процессором, ЦП). Эту группу DRAM часто называют системной памятью, но лучше её называть памятью CPU, потому что она является основным накопителем рабочих данных и команд процессора.

Как видно на представленном изображении, DRAM находится на небольших платах, вставляемых в материнскую (системную) плату. Каждую плату обычно называют DIMM или UDIMM, что расшифровывается как dual inline memory module (двухсторонний модуль памяти) (U обозначает unbuffered (без буферизации)). Подробнее мы объясним это позже; пока только скажем, что это самая известная RAM любого компьютера.

Она не обязательно должна быть сверхбыстрой, но современным ПК для работы с большими приложениями и для обработки сотен процессов, выполняемых в фоновом режиме, требуется много памяти.

Ещё одним местом, где можно найти набор чипов памяти, обычно является графическая карта. Ей требуется сверхбыстрая DRAM, потому что при 3D-рендеринге выполняется огромное количество операций чтения и записи данных. Этот тип DRAM предназначен для несколько иного использования по сравнению с типом, применяемым в системной памяти.

Ниже вы видите GPU, окружённый двенадцатью небольшими пластинами — это чипы DRAM. Конкретно этот тип памяти называется GDDR5X, о нём мы поговорим позже.

Графическим картам не нужно столько же памяти, как CPU, но их объём всё равно достигает тысяч мегабайт.

Не каждому устройству в компьютере нужно так много: например, жёстким дискам достаточно небольшого количества RAM, в среднем по 256 МБ; они используются для группировки данных перед записью на диск.

На этих фотографиях мы видим платы HDD (слева) и SSD (справа), на которых отмечены чипы DRAM. Заметили, что чип всего один? 256 МБ сегодня не такой уж большой объём, поэтому вполне достаточно одного куска кремния.

Узнав, что каждый компонент или периферийное устройство, выполняющее обработку, требует RAM, вы сможете найти память во внутренностях любого ПК. На контроллерах SATA и PCI Express установлены небольшие чипы DRAM; у сетевых интерфейсов и звуковых карт они тоже есть, как и у принтеров со сканнерами.

Если память можно встретить везде, она может показаться немного скучной, но стоит вам погрузиться в её внутреннюю работу, то вся скука исчезнет!

Скальпель. Зажим. Электронный микроскоп.

У нас нет всевозможных инструментов, которые инженеры-электронщики используют для изучения своих полупроводниковых творений, поэтому мы не можем просто разобрать чип DRAM и продемонстрировать вам его внутренности. Однако такое оборудование есть у ребят из TechInsights, которые сделали этот снимок поверхности чипа:

Если вы подумали, что это похоже на сельскохозяйственные поля, соединённые тропинками, то вы не так далеки от истины! Только вместо кукурузы или пшеницы поля DRAM в основном состоят из двух электронных компонентов:

Переключателя, представленного MOSFET (МОП-транзистором)
Накопителя, представляющего собой канавочный конденсатор.

Вместе они образуют так называемую ячейку памяти, каждая из которых содержит 1 бит данных. Очень приблизительная схема ячейки показана ниже (прощу прощения у специалистов по электронике!):

Синими и зелёными линиями обозначены соединения, подающие напряжение на МОП-транзистор и конденсатор. Они используются для считывания и записи данных в ячейку, и первой всегда срабатывает вертикальная (разрядная) линия.

Канавочный конденсатор, по сути, используется в качестве сосуда для заполнения электрическим зарядом — его пустое/заполненное состояние даёт нам 1 бит данных: 0 — пустой, 1 — полный. Несмотря на предпринимаемые инженерами усилия, конденсаторы не способны хранить этот заряд вечно и со временем он утекает.

Это означает, что каждую ячейку памяти нужно постоянно обновлять по 15-30 раз в секунду, хотя сам этот процесс довольно быстр: для обновления набора ячеек требуется всего несколько наносекунд. К сожалению, в чипе DRAM множество ячеек, и во время их обновления считывание и запись в них невозможна.

К каждой линии подключено несколько ячеек:

Строго говоря, эта схема неидеальна, потому что для каждого столбца ячеек используется две разрядные линии — если бы мы изобразили всё, то схема бы стала слишком неразборчивой.

Полная строка ячеек памяти называется страницей, а длина её зависит от типа и конфигурации DRAM. Чем длиннее страница, тем больше в ней бит, но и тем большая электрическая мощность нужна для её работы; короткие страницы потребляют меньше мощности, но и содержат меньший объём данных.

Однако нужно учитывать и ещё один важный фактор. При считывании и записи на чип DRAM первым этапом процесса является активация всей страницы. Строка битов (состоящая из нулей и единиц) хранится в буфере строки, который по сути является набором усилителей считывания и защёлок, а не дополнительной памятью. Затем активируется соответствующий столбец для извлечения данных из этого буфера.

Если страница слишком мала, то чтобы успеть за запросами данных, строки нужно активировать чаще; и наоборот — большая страница предоставляет больше данных, поэтому активировать её можно реже. И даже несмотря на то, что длинная строка требует большей мощности и потенциально может быть менее стабильной, лучше стремиться к получению максимально длинных страниц.

Если собрать вместе набор страниц, то мы получим один банк памяти DRAM. Как и в случае страниц, размер и расположение строк и столбцов ячеек играют важную роль в количестве хранимых данных, скорости работы памяти, энергопотреблении и так далее.

Например, схема может состоять из 4 096 строк и 4 096 столбцов, при этом полный объём одного банка будет равен 16 777 216 битам или 2 мегабайтам. Но не у всех чипов DRAM банки имеют квадратную структуру, потому что длинные страницы лучше, чем короткие. Например, схема из 16 384 строк и 1 024 столбцов даст нам те же 2 мегабайта памяти, но каждая страница будет содержать в четыре раза больше памяти, чем в квадратной схеме.

Все страницы в банке соединены с системой адресации строк (то же относится и к столбцам) и они контролируются сигналами управления и адресами для каждой строки/столбца. Чем больше строк и столбцов в банке, тем больше битов должно использоваться в адресе.

Для банка размером 4 096 x 4 096 для каждой системы адресации требуется 12 бит, а для банка 16 384 x 1 024 потребуется 14 бит на адреса строк и 10 бит на адреса столбцов. Стоит заметить, что обе системы имеют суммарный размер 24 бита.

Если бы чип DRAM мог предоставлять доступ к одной странице за раз, то это было бы не особо удобно, поэтому в них упаковано несколько банков ячеек памяти. В зависимости от общего размера, чип может иметь 4, 8 или даже 16 банков — чаще всего используется 8 банков.

Все эти банки имеют общие шины команд, адресов и данных, что упрощает структуру системы памяти. Пока один банк занят работой с одной командой, другие банки могут продолжать выполнение своих операций.

Весь чип, содержащий все банки и шины, упакован в защитную оболочку и припаян к плате. Она содержит электропроводники, подающие питание для работы DRAM и сигналов команд, адресов и данных.

На фотографии выше показан чип DRAM (иногда называемый модулем), изготовленный компанией Samsung. Другими ведущими производителями являются Toshiba, Micron, SK Hynix и Nanya. Samsung — крупнейший производитель, он имеет приблизительно 40% мирового рынка памяти.

Каждый изготовитель DRAM использует собственную систему кодирования характеристик памяти; на фотографии показан чип на 1 гигабит, содержащий 8 банков по 128 мегабита, выстроенных в 16 384 строки и 8 192 столбца.

Выше по рангу

Компании-изготовители памяти берут несколько чипов DRAM и устанавливают их на одну плату, называемую DIMM. Хотя D расшифровывается как dual (двойная), это не значит, что на ней два набора чипов. Под двойным подразумевается количество электрических контактов в нижней части платы; то есть для работы с модулями используются обе стороны платы.

Сами DIMM имеют разный размер и количество чипов:

На фотографии сверху показана стандартная DIMM для настольного ПК, а под ней находится так называемая SO-DIMM (small outline, «DIMM малого профиля»). Маленький модуль предназначен для ПК малого форм-фактора, например, ноутбуков и компактных настольных компьютеров. Из-за малого пространства уменьшается количество используемых чипов, изменяется скорость работы памяти, и так далее.

Существует три основных причины для использования нескольких чипов памяти на DIMM:

Это увеличивает объём доступного хранилища
В любой момент времени возможен доступ только к одному банку, поэтому благодаря работе остальных в фоновом режиме повышается производительность.
Шина адреса в процессоре, обрабатывающая память, шире, чем шина DRAM.

Последнее очень важно, потому что в большинстве чипов DRAM используется только 8-битная шина данных. Однако CPU и GPU в этом от них отличаются: например, CPU AMD Ryzen 7 3800X имеет два встроенных 64-битных контроллера, а в Radeon RX 5700 XT встроено восемь 32-битных контроллеров.

То есть каждому DIMM, который устанавливается в компьютер с Ryzen, потребуется восемь модулей DRAM (8 чипов x 8 бит = 64 бита). Можно подумать, что графическая карта 5700 XT будет иметь 32 чипа памяти, но у неё их только 8. Что же это нам даёт?

В чипы памяти, предназначенные для графических карт, устанавливают больше банков, обычно 16 или 32, потому что для 3D-рендеринга необходим одновременный доступ к большому объёму данных.

Один ранг и два ранга

Множество модулей памяти, «заполняющих» шину данных контроллера памяти, называется рангом, и хотя к контроллеру можно подключить больше одного ранга, за раз он может получать данные только от одного ранга (потому что ранги используют одну шину данных). Это не вызывает проблем, потому что пока один ранг занимается ответом на переданную ему команду, другому рангу можно передать новый набор команд.

Платы DIMM могут иметь несколько рангов и это особенно полезно, когда вам нужно огромное количество памяти, но на материнской плате мало разъёмов под RAM.

Так называемые схемы с двумя (dual) или четырьмя (quad) рангами потенциально могут обеспечить большую производительность, чем одноранговые, но увеличение количества рангов быстро повышает нагрузку на электрическую систему. Большинство настольных ПК способно справиться только с одним-двумя рангами на один контроллер. Если системе нужно больше рангов, то лучше использовать DIMM с буферизацией: такие платы имеют дополнительный чип, облегчающий нагрузку на систему благодаря хранению команд и данных в течение нескольких циклов, прежде чем передать их дальше.

Множество модулей памяти Nanya и один буферный чип — классическая серверная RAM

Но не все ранги имеют размер 64 бита — используемые в серверах и рабочих станциях DIMM часто размером 72 бита, то есть на них есть дополнительный модуль DRAM. Этот дополнительный чип не обеспечивает повышение объёма или производительности; он используется для проверки и устранения ошибок (error checking and correcting, ECC).

Вы ведь помните, что всем процессорам для работы нужна память? В случае ECC RAM небольшому устройству, выполняющему работу, предоставлен собственный модуль.

Шина данных в такой памяти всё равно имеют ширину всего 64 бита, но надёжность хранения данных значительно повышается. Использование буферов и ECC только незначительно влияет на общую производительность, зато сильно повышает стоимость.

Жажда скорости

У всех DRAM есть центральный тактовый сигнал ввода-вывода (I/O, input/output) — напряжение, постоянно переключающееся между двумя уровнями; он используется для упорядочивания всего, что выполняется в чипе и шинах памяти.

Если бы мы вернулись назад в 1993 год, то смогли бы приобрести память типа SDRAM (synchronous, синхронная DRAM), которая упорядочивала все процессы с помощью периода переключения тактового сигнала из низкого в высокое состояние. Так как это происходит очень быстро, такая система обеспечивает очень точный способ определения времени выполнения событий. В те времена SDRAM имела тактовые сигналы ввода-вывода, обычно работавшие с частотой от 66 до 133 МГц, и за каждый такт сигнала в DRAM можно было передать одну команду. В свою очередь, чип за тот же промежуток времени мог передать 8 бит данных.

Быстрое развитие SDRAM, ведущей силой которого был Samsung, привело к созданию в 1998 году её нового типа. В нём передача данных синхронизировалась по повышению и падению напряжения тактового сигнала, то есть за каждый такт данные можно было дважды передать в DRAM и обратно.

Как же называлась эта восхитительная новая технология? Double data rate synchronous dynamic random access memory (синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных). Обычно её просто называют DDR-SDRAM или для краткости DDR.

Память DDR быстро стала стандартом (из-за чего первоначальную версию SDRAM переименовали в single data rate SDRAM, SDR-DRAM) и в течение последующих 20 лет оставалась неотъемлемой частью всех компьютерных систем.

Прогресс технологий позволил усовершенствовать эту память, благодаря чему в 2003 году появилась DDR2, в 2007 году — DDR3, а в 2012 году — DDR4. Каждая новая версия обеспечивала повышение производительности благодаря ускорению тактового сигнала ввода-вывода, улучшению систем сигналов и снижению энергопотребления.

DDR2 внесла изменение, которое мы используем и сегодня: генератор тактовых сигналов ввода-вывода превратился в отдельную систему, время работы которой задавалось отдельным набором синхронизирующих сигналов, благодаря чему она стала в два раза быстрее. Это аналогично тому, как CPU используют для упорядочивания работы тактовый сигнал 100 МГц, хотя внутренние синхронизирующие сигналы работают в 30-40 раз быстрее.

DDR3 и DDR4 сделали шаг вперёд, увеличив скорость тактовых сигналов ввода-вывода в четыре раза, но во всех этих типах памяти шина данных для передачи/получения информации по-прежнему использовала только повышение и падение уровня сигнала ввода-вывода (т. е. удвоенную частоту передачи данных).

Сами чипы памяти не работают на огромных скоростях — на самом деле, они шевелятся довольно медленно. Частота передачи данных (измеряемая в миллионах передач в секунду — millions of transfers per second, MT/s) в современных DRAM настолько высока благодаря использованию в каждом чипе нескольких банков; если бы на каждый модуль приходился только один банк, всё работало бы чрезвычайно медленно.

Тип DRAM	Обычная частота чипа	Тактовый сигнал ввода-вывода	Частота передачи данных
SDR	100 МГц	100 МГц	100 MT/s
DDR	100 МГц	100 МГц	200 MT/s
DDR2	200 МГц	400 МГц	800 MT/s
DDR3	200 МГц	800 МГц	1600 MT/s
DDR4	400 МГц	1600 МГц	3200 MT/s

Каждая новая версия DRAM не обладает обратной совместимостью, то есть используемые для каждого типа DIMM имеют разные количества электрических контактов, разъёмы и вырезы, чтобы пользователь не мог вставить память DDR4 в разъём DDR-SDRAM.

Сверху вниз: DDR-SDRAM, DDR2, DDR3, DDR4

DRAM для графических плат изначально называлась SGRAM (synchronous graphics, синхронная графическая RAM). Этот тип RAM тоже подвергался усовершенствованиям, и сегодня его для понятности называют GDDR. Сейчас мы достигли версии 6, а для передачи данных используется система с учетверённой частотой, т.е. за тактовый цикл происходит 4 передачи.

Тип DRAM	Обычная частота памяти	Тактовый сигнал ввода-вывода	Частота передачи данных
GDDR	250 МГц	250 МГц	500 MT/s
GDDR2	500 МГц	500 МГц	1000 MT/s
GDDR3	800 МГц	1600 МГц	3200 MT/s
GDDR4	1000 МГц	2000 МГц	4000 MT/s
GDDR5	1500 МГц	3000 МГц	6000 MT/s
GDDR5X	1250 МГц	2500 МГц	10000 MT/s
GDDR6	1750 МГц	3500 МГц	14000 MT/s

Кроме более высокой частоты передачи, графическая DRAM обеспечивает дополнительные функции для ускорения передачи, например, возможность одновременного открытия двух страниц одного банка, работающие в DDR шины команд и адресов, а также чипы памяти с гораздо большими скоростями тактовых сигналов.

Какой же минус у всех этих продвинутых технологий? Стоимость и тепловыделение.

Один модуль GDDR6 примерно вдвое дороже аналогичного чипа DDR4, к тому же при полной скорости он становится довольно горячим — именно поэтому графическим картам с большим количеством сверхбыстрой RAM требуется активное охлаждение для защиты от перегрева чипов.

Скорость битов

Производительность DRAM обычно измеряется в количестве битов данных, передаваемых за секунду. Ранее в этой статье мы говорили, что используемая в качестве системной памяти DDR4 имеет чипы с 8-битной шириной шины, то есть каждый модуль может передавать до 8 бит за тактовый цикл.

То есть если частота передачи данных равна 3200 MT/s, то пиковый результат равен 3200 x 8 = 25 600 Мбит в секунду или чуть больше 3 ГБ/с. Так как большинство DIMM имеет 8 чипов, потенциально можно получить 25 ГБ/с. Для GDDR6 с 8 модулями этот результат был бы равен 440 ГБ/с!

Обычно это значение называют полосой пропускания (bandwidth) памяти; оно является важным фактором, влияющим на производительность RAM. Однако это теоретическая величина, потому что все операции внутри чипа DRAM не происходят одновременно.

Чтобы разобраться в этом, давайте взглянем на показанное ниже изображение. Это очень упрощённое (и нереалистичное) представление того, что происходит, когда данные запрашиваются из памяти.

На первом этапе активируется страница DRAM, в которой содержатся требуемые данные. Для этого памяти сначала сообщается, какой требуется ранг, затем соответствующий модуль, а затем конкретный банк.

Чипу передаётся местоположение страницы данных (адрес строки), и он отвечает на это передачей целой страницы. На всё это требуется время и, что более важно, время нужно и для полной активации строки, чтобы гарантировать полную блокировку строки битов перед выполнением доступа к ней.

Затем определяется соответствующий столбец и извлекается единственный бит информации. Все типы DRAM передают данные пакетами, упаковывая информацию в единый блок, и пакет в современной памяти почти всегда равен 8 битам. То есть даже если за один тактовый цикл извлекается один бит, эти данные нельзя передать, пока из других банков не будет получено ещё 7 битов.

А если следующий требуемый бит данных находится на другой странице, то перед активацией следующей необходимо закрыть текущую открытую страницу (это процесс называется pre-charging). Всё это, разумеется, требует больше времени.

Все эти различные периоды между временем отправки команды и выполнением требуемого действия называются таймингами памяти или задержками. Чем ниже значение, тем выше общая производительность, ведь мы тратим меньше времени на ожидание завершения операций.

Некоторые из этих задержек имеют знакомые фанатам компьютеров названия:

Название тайминга	Описание	Обычное значение в DDR4
tRCD	Row-to-Column Delay: количество циклов между активацией строки и возможностью выбора столбца	17 циклов
CL	CAS Latency: количество циклов между адресацией столбца и началом передачи пакет данных	15 циклов
tRAS	Row Cycle Time: наименьшее количество циклов, в течение которого строка должна оставаться активной перед тем, как можно будет выполнить её pre-charging	35 циклов
tRP	Row Precharge time: минимальное количество циклов, необходимое между активациями разных строк	17 циклов

Существует ещё много других таймингов и все их нужно тщательно настраивать, чтобы DRAM работала стабильно и не искажала данные, имея при этом оптимальную производительность. Как можно увидеть из таблицы, схема, демонстрирующая циклы в действии, должна быть намного шире!

Хотя при выполнении процессов часто приходится ждать, команды можно помещать в очереди и передавать, даже если память занята чем-то другим. Именно поэтому можно увидеть много модулей RAM там, где нам нужна производительность (системная память CPU и чипы на графических картах), и гораздо меньше модулей там, где они не так важны (в жёстких дисках).

Тайминги памяти можно настраивать — они не заданы жёстко в самой DRAM, потому что все команды поступают из контроллера памяти в процессоре, который использует эту память. Производители тестируют каждый изготавливаемый чип и те из них, которые соответствуют определённым скоростям при заданном наборе таймингов, группируются вместе и устанавливаются в DIMM. Затем тайминги сохраняются в небольшой чип, располагаемый на плате.

Даже памяти нужна память. Красным указано ПЗУ (read-only memory, ROM), в котором содержится информация SPD.

Процесс доступа к этой информации и её использования называется serial presence detect (SPD). Это отраслевой стандарт, позволяющий BIOS материнской платы узнать, на какие тайминги должны быть настроены все процессы.

Многие материнские платы позволяют пользователям изменять эти тайминги самостоятельно или для улучшения производительности, или для повышения стабильности платформы, но многие модули DRAM также поддерживают стандарт Extreme Memory Profile (XMP) компании Intel. Это просто дополнительная информация, хранящаяся в памяти SPD, которая сообщает BIOS: «Я могу работать с вот с такими нестандартными таймингами». Поэтому вместо самостоятельной возни с параметрами пользователь может настроить их одним нажатием мыши.

Спасибо за службу, RAM!

В отличие от других уроков анатомии, этот оказался не таким уж грязным — DIMM сложно разобрать и для изучения модулей нужны специализированные инструменты. Но внутри них таятся потрясающие подробности.

Возьмите в руку планку памяти DDR4-SDRAM на 8 ГБ из любого нового ПК: в ней упаковано почти 70 миллиардов конденсаторов и такое же количество транзисторов. Каждый из них хранит крошечную долю электрического заряда, а доступ к ним можно получить за считанные наносекунды.

Даже при повседневном использовании она может выполнять бесчисленное количество команд, и большинство из плат способны без малейших проблем работать многие годы. И всё это меньше чем за 30 долларов? Это просто завораживает.

DRAM продолжает совершенствоваться — уже скоро появится DDR5, каждый модуль которой обещает достичь уровня полосы пропускания, с трудом достижимый для двух полных DIMM типа DDR4. Сразу после появления она будет очень дорогой, но для серверов и профессиональных рабочих станций такой скачок скорости окажется очень полезным.

См. также:
«Обновленные SSD для ЦОД: большие объёмы для больших ребят»

«Внешние накопители данных: от времен IBM 1311 до наших дней. Часть 1»

«Внешние накопители данных: от времен IBM 1311 до наших дней. Часть 2»

Изображения и описания — типы модулей памяти

72-контактный модуль SIMM

Приблизительно 4,25 x 1 дюйм

72-контактный модуль SIMM имеет 72 контакта в нижней части печатной платы, по 36 с каждой стороны. В нижней части печатной платы посередине имеется вырез. Эти модули имеют длину 4,25 дюйма. Поскольку выемка расположена не по центру, их можно поставить только одним способом.

72-контактные модули SIMM

используются в старых настольных компьютерах с процессорами 486 и Pentium. Каждый 72-контактный модуль SIMM обеспечивает 32-разрядный путь данных, поэтому их можно устанавливать по отдельности в 32-разрядных системах (модели 486), но их необходимо устанавливать парами в 64-разрядных системах Pentium или AMD Athlon. Они доступны в FPM или EDO.

168-контактный модуль DIMM

Примерно 5,375 x 1,375 дюйма

Модуль DIMM больше любого из модулей SIMM. Они содержат 168 контактов в нижней части печатной платы. В нижней части платы есть две выемки, и они должны быть правильно выровнены, чтобы их можно было вставить. Эти модули памяти в основном используются в новых компьютерах и могут быть вставлены по одному, в отличие от модулей SIMM, которые необходимо вставлять парами.

168-контактные модули DIMM используются в системах Pentium и Athlon. Каждый 168-контактный модуль DIMM обеспечивает 64-разрядный путь данных, поэтому в 64-разрядных системах они устанавливаются отдельно. 168-контактные модули DIMM доступны в форматах FPM, EDO, PC66, PC100 и PC133.

Количество микросхем на 168-контактном модуле DIMM может варьироваться, но они имеют 84 контакта на передней и 84 контакта на задней панели, всего 168. 168-контактные модули DIMM имеют длину 5,375 дюйма и высоту 1,375 дюйма, а высоту может различаться. У них есть два небольших выреза в ряду штырьков вдоль нижней части модуля.

184-контактный модуль DIMM DDR

Приблизительно 5,375 x 1,25 дюйма

Модуль DIMM больше любого из модулей SIMM. Они содержат 184 контакта в нижней части печатной платы. В нижней части платы есть один вырез, и он должен быть правильно выровнен, чтобы их можно было вставить. Эти модули памяти в основном используются в новых компьютерах и могут быть вставлены по одному, в отличие от модулей SIMM, которые необходимо вставлять парами.

184-контактные модули DIMM предназначены для модулей DDR SDRAM, используемых в системах Pentium III и 4 и Athlon. Каждый 184-контактный модуль DIMM обеспечивает 64-разрядный путь данных, поэтому в 64-разрядных системах они устанавливаются отдельно. 168-контактные модули DIMM доступны в PC2100, PC2700, PC3200 и PC3500 и более поздних версиях.

Количество микросхем на 184-контактном модуле DIMM может варьироваться, но они имеют 92 контакта на передней и 92 контакта на задней панели, всего 184. 184-контактные модули DIMM имеют длину 5,375 дюйма и высоту 1,375 дюйма, а высоту может различаться. У них есть одна маленькая выемка в ряду контактов в нижней части модуля.

184-контактный Rambus RDRAM RIMM

Приблизительно 5,25 x 1,25 дюйма

Модуль Rambus® RIMM™ представляет собой высокопроизводительный модуль памяти общего назначения, пригодный для использования в широком спектре приложений, включая компьютерную память, персональные компьютеры, рабочие станции и другие приложения, где требуется высокая пропускная способность и низкая задержка.

Особенности
Высокоскоростная память RDRAM 1066, 800, 711 и 600 МГц
184 краевых контактных площадки с шагом 1 мм
Максимальный размер печатной платы модуля: 133,5 мм x 31,75 мм x 1,37 мм (5,25″ x 1,25″ x 0,05″) Модуль 96 МБ, 64 МБ, 48 МБ или 32 МБ соответственно
Позолоченные контакты контактной площадки краевого разъема
Поддержка последовательного обнаружения присутствия (SPD)
Работает от источника питания 2,5 В (±5%)
Режимы низкого энергопотребления и автоматического обновления при отключении питания
Колонные шины для повышения эффективности

RDRAM обеспечивает чистую производительность там, где это важнее всего: передовые приложения. Будь то мультимедиа, коммутация сетевых пакетов, создание контента и т. д., RDRAM высвобождает вычислительную мощность вашей системы. RDRAM с высокой пропускной способностью необходима для работы высокопроизводительных процессоров. RDRAM представляет собой гибкое решение для удовлетворения требований к пропускной способности высокопроизводительных систем завтрашнего дня. Системное решение RDRAM легко масштабируется от 800 МГц до 1066 МГц и 1200 МГц. Кроме того, стандартные компоненты RDRAM можно конфигурировать в диапазоне конфигураций модулей RIMM от 16 до 32 и 64-битных шин данных. Эти модульные решения RIMM предлагают до 9Производительность памяти 0,6 ГБ/с при сохранении стандартных форм-факторов ПК.

240-контактный модуль DIMM

Приблизительно 5,25″ X 1,18″

Модуль памяти с двухрядным расположением выводов (DIMM) состоит из нескольких компонентов памяти, прикрепленных к печатной плате. Золотые контакты в нижней части модуля DIMM обеспечивают соединение между модулем и разъемом на печатной плате. Контакты на передней и задней панелях DIMM не соединены друг с другом.

DDR2 SDRAM использует 240-контактные разъемы DIMM для настольных компьютеров. Каждый 240-контактный модуль DIMM обеспечивает 64-битный путь данных (72-битный для ECC или зарегистрированных модулей), поэтому в 64-битных системах они устанавливаются по одному. Ожидается, что чипсеты DDR2 будут поддерживать двухканальную память, обеспечивая 128-битный путь передачи данных.

Доступны 240-контактные модули DIMM

для DDR2 или DDR3 SDRAM.

Модули памяти

(небуферизованные, зарегистрированные, модули DIMM малого размера) имеют специальный «ключ» или выемку в разъеме. Эти ключи должны совпадать с ключом в разъеме памяти, чтобы можно было вставить модуль. Все типы модулей DDR3 и DDR2 имеют разные ключи.

Чтобы использовать память DDR2, материнская плата вашей системы должна иметь 240-контактные разъемы DIMM и набор микросхем с поддержкой DDR2. Модуль DDR2 SDRAM DIMM не подходит для стандартного разъема SDRAM DIMM или разъема DDR DIMM. Модули DDR2 используют источник питания 1,8 В, обеспечивая большую экономию энергии по сравнению с модулями DDR 2,5 В.

Чтобы использовать память DDR3, материнская плата вашей системы должна иметь 240-контактные разъемы DIMM и набор микросхем с поддержкой DDR3. Модуль DDR3 SDRAM DIMM не подходит к стандартному разъему SDRAM DIMM, разъему DDR DIMM или разъему DDR2. Модули DDR2 используют источник питания 1,5 В, обеспечивая большую экономию энергии по сравнению с модулями DDR 2,5 В или модулями DDR2 1,8 В. DDR3 — это следующее поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR). Это эволюция технологии памяти DDR и DDR2, обеспечивающая более высокие скорости, более низкое энергопотребление и тепловыделение.

Количество компонентов на 240-контактном модуле DIMM может варьироваться, но они всегда имеют 120 контактов спереди и 120 контактов сзади. 240-контактные модули DIMM имеют длину примерно 5,25 дюйма и высоту 1,18 дюйма, хотя высота может варьироваться. В то время как 240-контактные модули DIMM DDR2, 184-контактные модули DIMM DDR и 168-контактные модули DIMM имеют примерно одинаковый размер, 240-контактные модули DIMM и 184-контактные модули DIMM имеют только одну выемку в ряду контактов. Выемка в 240-контактном модуле памяти DDR2 DIMM немного ближе к центру модуля.

100-контактный модуль DIMM

Приблизительно 3,5″ x 1,25″

Модуль памяти с двухрядным расположением выводов (DIMM) состоит из нескольких микросхем памяти, прикрепленных к печатной плате. Золотые контакты в нижней части модуля DIMM обеспечивают соединение между модулем и разъемом на большей печатной плате. Контакты на передней и задней панелях DIMM не соединены.

100-контактные модули DIMM обычно используются в принтерах. Количество черных чипов на 100-контактном модуле DIMM может варьироваться, но он всегда имеет 50 контактов спереди и 50 контактов сзади, всего 100. 100-контактные модули DIMM имеют длину примерно 3,5 дюйма и высоту 1,25 дюйма. и высота может быть разной. У них есть два небольших выреза в ряду штырьков вдоль нижней части модуля.

172-контактный модуль памяти MicroDIMM DDR

Приблизительно 1,67 x 1,18 дюйма

Количество микросхем на 172-контактном разъеме MicroDIMM может варьироваться, но они всегда имеют 86 контактов на передней и 86 контактов на задней панели, всего 172. 172-контактные модули MicroDIMM имеют примерно 1,67 дюйма в длину и 1,18 дюйма в высоту. высота может быть разной. В отличие от модулей SODIMM, модули MicroDIMM не имеют вырезов вдоль нижнего края

214-контактный MicroDIMM DDR2

Приблизительно 2,165 x 1,18 дюйма

Количество микросхем в 214-контактном модуле MicroDIMM может варьироваться. 214-контактные модули MicroDIMM имеют длину приблизительно 2,165 дюйма и высоту 1,18 дюйма, хотя высота может различаться. В отличие от модулей SODIMM, модули MicroDIMM не имеют вырезов вдоль нижнего края и используют новый двухкомпонентный разъем, известный как «мезонинный разъем».

144-контактный разъем SODIMM

Приблизительно 2,625 x 1 дюйм

SODIMM — это уменьшенная версия модуля DIMM. Они в основном используются в ноутбуках, хотя они используются и в некоторых других, таких как оригинальный компьютер iMac с загрузкой из лотка. У них есть выемка в нижней части печатной платы, которая смещена от середины, что облегчает ее установку.

144-контактные модули SODIMM

обычно используются в портативных компьютерах. Каждый 144-контактный разъем SODIMM обеспечивает 64-разрядный путь данных, поэтому в 64-разрядных системах они устанавливаются отдельно. 144-контактные модули SODIMM доступны в форматах FPM, EDO, PC66, PC100 и PC133.

Количество черных чипов на 144-контактном модуле SODIMM может варьироваться, но они всегда имеют 72 контакта на передней и 72 контакта на задней панели, всего 144. 144-контактные модули SODIMM имеют примерно 2,625 дюйма в длину и 1 дюйм в высоту, и высота может быть разной. У них есть одна маленькая выемка в ряду контактов вдоль нижней части модуля.

200-контактный разъем SODIMM

Примерно 2,625 x 1 дюйм

SODIMM — это уменьшенная версия модуля DIMM. В основном они используются в ноутбуках. У них есть выемка в нижней части печатной платы, которая смещена от середины, что облегчает ее установку.

200-контактные модули SODIMM

используются для обеспечения памяти DDR SDRAM для портативных компьютеров. Каждый 200-контактный разъем SODIMM обеспечивает 64-разрядный путь данных, поэтому в 64-разрядных системах они устанавливаются отдельно. 200-контактные модули SODIMM доступны в моделях PC2100 и PC2700.

Количество черных микросхем на 200-контактном модуле SODIMM может варьироваться, но они всегда имеют 100 контактов на передней и 100 контактов на задней панели, всего 200. 200-контактные модули SODIMM имеют длину примерно 2,625 дюйма и высоту 1 дюйм, и высота может быть разной.

204-контактный разъем SODIMM

Приблизительно 2,6″ X 1,75″ (66 мм X 44,45 мм)

204-контактные малогабаритные двухрядные модули памяти (SODIMM) — это форм-фактор, используемый для создания модулей памяти DDR3 для ноутбуков и других вычислительных платформ малого форм-фактора. В настоящее время доступны 204-контактные модули SODIMM со скоростями PC3-8500 (DDR3 1066 МГц).

Чтобы использовать память DDR3, ваша система должна иметь как 204-контактный слот SODIMM, так и набор микросхем, поддерживающий память DDR3. Модуль DDR3 SODIMM не подходит для разъемов памяти DDR2 или DDR.

Модули

SODIMM меньше и тоньше, чем обычные модули DIMM, а 204-контактные печатные платы SODIMM всегда имеют длину ~ 2,6 дюйма и обычно около 1,75 дюйма в высоту (хотя высота может незначительно различаться). Они состоят из нескольких компонентов памяти (обычно черного цвета), прикрепленных к печатной плате (обычно зеленого цвета). Количество компонентов памяти на печатной плате (PCB) 204-контактного модуля SODIMM может варьироваться, но на печатной плате всегда будет 102 контакта спереди и сзади, всего 204 контакта. Золотые контакты в нижней части модуля SODIMM обеспечивают соединение между модулем памяти и разъемом памяти.

Модуль

| ДРАМ | Samsung Semiconductor Global

Мы используем файлы cookie, чтобы улучшить ваше взаимодействие с нашим веб-сайтом, а также показать вам, как вы работаете на нашем веб-сайте, и показать вам релевантную рекламу. Управляйте настройками наших файлов cookie ниже.

Основные файлы cookie

Эти файлы cookie необходимы, поскольку они позволяют вам перемещаться по веб-сайту. Эту категорию нельзя отключить.

Компания	Домен
Google	semiconductor.samsung.com, image.semiconductor.samsung.com, smetrics.samsung.com

Аналитические или эксплуатационные файлы cookie

Эти файлы cookie собирают информацию о том, как вы используете наш веб-сайт, например, какие страницы вы посещаете чаще всего. Вся информация, которую собирают эти файлы cookie, используется для улучшения работы веб-сайта.

Аналитические или эксплуатационные файлы cookie
Печенье	Домен
Гугл	ajax.googleapis.com, apis. google.com, calendar.google.com, developer.google.com, docs.google.com, google.com, maps.googleapis.com, электронные таблицы.google.com, www.google .com, www.google.ie
Гугл	www.google-analytics.com, www.googletagmanager.com, www.gstatic.com
Adobe	assets.adobedtm.com

Функциональные файлы cookie

Эти файлы cookie позволяют нашему веб-сайту запоминать сделанный вами выбор (например, ваше имя пользователя, язык или регион, в котором вы находитесь) и адаптировать веб-сайт для предоставления вам расширенных функций и контента.

Функциональные файлы cookie
Печенье	Домен	Назначение
Акамай	176-34-86-175_s-23-203-249-81_ts-1604430438-clienttons-s.akamaihd.net, 176-34-86-175_s-23-203-249-81_ts-1604432488-clienttons-s.akamaihd. net, 176-34-86-175_s-23-203-249-90_ts-1604428164-clienttons-s.akamaihd.net, 176-34-86-175_s-95-101-143-18_ts-1604428258-clienttons-s. akamaihd.net, 176-34-86-175_s-95-101-143-24_ts-1604428321-clienttons-s.akamaihd.net, 34-242-207-243_s-23-203-249-81_ts-1604425495-clienttons- s.akamaihd.net, 34-242-207-243_с-23-203-249-81_ts-1604425563-clienttons-s.akamaihd.net, 34-242-207-243_s-23-203-249-81_ts-1604425669-clienttons-s.akamaihd.net, 34-242-207-243_s-23-203 -249-81_ts-1604427540-clienttons-s.akamaihd.net, 34-242-207-243_s-23-203-249-81_ts-1604427617-clienttons-s.akamaihd.net, 34-242-207-243_s-23 -203-249-81_ts-1604427664-clienttons-s.akamaihd.net, 34-242-207-243_s-23-203-249-81_ts-1604427922-clienttons-s.akamaihd.net, 34-242-207-243_s-23-203-249-81_ts-1604439090-clienttons-s.akamaihd.net, 34-242-207-243_s-23-203-249-81_ts-1604439174-clienttons-s.akamaihd.net, 34-242-207-243_s-23-203-249-81_ts-1604441206-clienttons-s.akamaihd.net, 34-242-207-243_s-23-203 -249-81_ts-1604441267-clienttons-s. akamaihd.net, 34-242-207-243_s-23-203-249-90_ts-1604425484-clienttons-s.akamaihd.net, 34-242-207-243_s-23 -203-249-90_ts-1604425610-clienttons-s.akamaihd.net, 34-242-207-243_s-23-203-249-90_ts-1604427737-clienttons-s.akamaihd.net, 34-242-207-243_s-23-203-249-90_ts-1604427797-clienttons-s.akamaihd. сеть, 34-242-207-243_с-23-203-249-90_ts-1604438922-clienttons-s.akamaihd.net, 34-242-207-243_s-23-203-249-90_ts-1604438968-clienttons-s.akamaihd.net, 34-242-207-243_s-23-203 -249-90_ts-1604439033-clienttons-s.akamaihd.net, 34-242-207-243_s-23-203-249-90_ts-1604441023-clienttons-s.akamaihd.net, 34-242-207-243_s-95-101-129-82_ts-1604425732-clienttons-s.akamaihd.net, 34-245-202-11_s-23-203-249-81_ts-1604425513-clienttons-s.akamaihd. сеть, 34-245-202-11_s-23-203-249-81_ts-1604427569-clienttons-s.akamaihd.net, 34-245-202-11_s-23-203-249-90_ts-1604425365-clienttons-s.akamaihd.net, 34-246-182-217_s-23-203-249-81_ts-1604424915-clienttons-s.akamaihd.net, 34-246-182-217_s-23-203 -249-81_ts-1604425000-clienttons-s. akamaihd.net, 34-246-182-217_s-23-203-249-81_ts-1604425155-clienttons-s.akamaihd.net, 34-246-182-217_s-23-203-249-81_ts-1604425567-clienttons-s.akamaihd. net, 34-246-182-217_s-23-203-249-81_ts-1604427446-clienttons-s.akamaihd.net, 34-246-182-217_s-23-203-249-81_ts-1604429495-clienttons-s. akamaihd.net, 34-246-182-217_s-23-203-249-90_ts-1604424817-clienttons-s.akamaihd.net, 34-246-182-217_s-23-203-249-90_ts-1604424939-clienttons-s.akamaihd.net, 34-246-182-217_s-23-203-249-90_ts-1604427359-clienttons-s.akamaihd.net, 34-246-182-217_s-23-203-249-90_ts-1604429563-clienttons-s.akamaihd. net, 34-246-182-217_s-95-101-129-82_ts-1604425062-clienttons-s.akamaihd.net, 34-246-182-217_s-95-101-143-18_ts-1604429398-clienttons-s. akamaihd.net, 34-246-182-217_s-95-101-143-24_ts-1604429274-clienttons-s.akamaihd.net, 34-246-182-217_s-95-101-143-24_ts-1604429365-clienttons-s.akamaihd.net, 34-246-182-217_s-95-101-143-24_ts-1604429616-clienttons-s.akamaihd.net, 364bf52c.akstat.io, 364bf5fa.akstat.io, 364bf6cc. akstat.io, 36c3fef2.akstat.io, 54-154-186-178_s-23-203-249-81_ts-1604425586-clienttons-s.akamaihd.net, 54-154-186-178_s-23-203-249-81_ts-1604429882-clienttons-s.akamaihd. net, 54-154-186-178_s-23-203-249-90_ts-1604425341-clienttons-s.akamaihd.net, 54-154-186-178_s-23-203-249-90_ts-1604425577-clienttons-s. akamaihd.net, 54-154-186-178_с-23-203-249-90_ts-1604425679-clienttons-s.akamaihd.net, 54-154-186-178_s-23-203-249-90_ts-1604427498-clienttons-s.akamaihd.net, 54-154-186-178_s-23-203 -249-90_ts-1604431774-clienttons-s.akamaihd.net, 54-154-186-178_s-92-123-142-66_ts-1604427735-clienttons-s.akamaihd.net, 54-246-30-86_s-23 -203-249-81_ts-1604425115-clienttons-s.akamaihd.net, 54-246-30-86_s-23-203-249-81_ts-1604427273-clienttons-s.akamaihd.net, 54-246-30-86_s-23-203-249-81_ts-1604427303-clienttons-s.akamaihd.net, 54-246-30-86_s-23-203-249-81_ts-1604427359-clienttons-s.akamaihd.net, 54-246-30-86_s-23-203-249-81_ts-1604431429-clienttons-s.akamaihd.net, 54-246-30-86_s-23-203 -249-81_ts-1604431547-clienttons-s. akamaihd.net, 54-246-30-86_s-23-203-249-81_ts-1604435637-clienttons-s.akamaihd.net, 54-246-30-86_s-23 -203-249-90_ts-1604427151-clienttons-s.akamaihd.net, 54-246-30-86_s-23-203-249-90_ts-1604429503-clienttons-s.akamaihd.net, 54-246-30-86_s-23-203-249-90_ts-1604429594-clienttons-s.akamaihd. сеть, 54-246-30-86_с-23-203-249-90_ts-1604433473-clienttons-s.akamaihd.net, 54-246-30-86_s-23-203-249-90_ts-1604433539-clienttons-s.akamaihd.net, 54-246-30-86_s-88-221- 134-224_ts-1604435698-clienttons-s.akamaihd.net, 54-246-30-86_s-95-101-129-96_ts-1604424926-clienttons-s.akamaihd.net, 54-246-30-86_s-95-101-129-96_ts-1604424989-clienttons-s.akamaihd.net, 54-75-39-103_s-23-203-249-81_ts-1604425265-clienttons-s.akamaihd. сеть, 54-75-39-103_s-23-203-249-81_ts-1604425415-clienttons-s.akamaihd.net, 54-75-39-103_s-23-203-249-90_ts-1604425504-clienttons-s.akamaihd.net, 54-75-39-103_s-95-101-143-24_ts-1604432234-clienttons-s.akamaihd.net, 54-75-41-190_s-23-203- 249-81_ts-1604424935-clienttons-s.akamaihd.net, 54-75-41-190_s-23-203-249-81_ts-1604425058-clienttons-s. akamaihd.net, 54-75-41-190_s-23-203-249-81_ts-1604425120-clienttons-s.akamaihd. net, 54-75-41-190_s-23-203-249-81_ts-1604425189-clienttons-s.akamaihd.net, 54-75-41-190_s-23-203-249-81_ts-1604427540-clienttons-s. akamaihd.net, 54-75-41-190_s-23-203-249-90_ts-1604424875-clienttons-s.akamaihd.net, 54-75-41-190_s-23-203-249-90_ts-1604425270-clienttons-s.akamaihd.net, 54-75-41-190_s-23-203-249-90_ts-1604427110-clienttons-s.akamaihd.net, 54-75-41-190_s-23-203-249-90_ts-1604429433-clienttons-s.akamaihd. net, 54-75-41-190_s-23-203-249-90_ts-1604429456-clienttons-s.akamaihd.net, 54-75-41-190_s-92-123-140-11_ts-1604427291-clienttons-s. akamaihd.net, 54-75-41-190_s-92-123-140-11_ts-1604427412-clienttons-s.akamaihd.net, 54-75-41-190_s-95-101-129-96_ts-1604425019-clienttons- s.akamaihd.net, 54-75-41-190_s-95-101-143-18_ts-1604429529-clienttons-s.akamaihd.net, 684dd305.akstat.io, 684dd306.akstat.io, 684dd307.akstat.io, 684dd308.akstat.io, 684dd309.akstat.io, 684dd30a.akstat.io, 684dd30c.akstat.io, 684dd30d. akstat.io, 6852bd07.akstat.io, 6852bd08.akstat.io, 6852bd09.akstat.io, 6852bd0a.akstat.io, 6852bd0b.akstat.io, 6852bd0c. akstat.io, 6852bd0d.akstat.io, 6852bd0e.akstat.io, 6852bd0f.akstat.io, 6852bd10.akstat.io, 6852bd11.akstat.io, 6852bd12.akstat.io, 6852bd13.akstat.io, 6852bd14.akstat.io, 685d5b18.akstat.io, 685d5b19.akstat.io, 685d5b1b.akstat.io, 686eb51b.akstat.io, 686eb704.akstat.io, bcsecure01-a.akamaihd.net, Brightcove04pmdo-a.akamaihd.net, ds-aksb-a.akamaihd.net, el24ucyccuqvax5bs2kq -pblhb6-a723eeea5-clientnsv4-s.akamaihd.net, el24ucyccuqvax5bt4yq-ptbmxa-6ef8e4803-clientnsv4-s.akamaihd.net, el24ucyccuqwcx5bs4uq-p03zy7-676237e5e-clientnsv4-s.akamaihd.net el3lnwiccuqvax5bstvq-pch0tk-1cdf76638-clientnsv4-s.akamaihd.net, el3lnwiccuqvax5buy2q-pqnfkn-f673b4feb-clientnsv4-s.akamaihd.net, el3lnwiccuqvax5buzkq-pl30i3-08d7d87df-clientnsv4-s.akamaihd.net, el3lnwiccuqwcx5bu4ya-pyg66y-cb19A994E-clientNSV4-S.Kamaihd.net, el3lnwiccuqxax5bstjq-puyi2b-1f022524f-clientnsv4-s.kamaihd.net, el3lnwiccuqxax5bsuua-pioden-695058c8f-clientnsv4-s. akmahihd.-byden-695058c8f-clientnsv4-s.akmahihd.-byden-pioden-695058c8f-clientnsv4-widen-pioden-pioden-695058c8f-client-client-cle сеть, el3lnwiccuqxax5btzpq-pbifp1-07760bdf0-clientnsv4-s.akamaihd.net, el3lnwiccuqxax5bu23q-p2ez1a-7d289db29-clientnsv4-s.akamaihd.net, el3lnwixzp4swx5bs5pq-pnfw20-03cb87b70-clientnsv4-s.akamaihd.net, el3lnwixzp4swx5bsryq-p52tb9-f3dab0dd0-clientnsv4- s.akamaihd.net, el3lnwixzp4swx5bu35q-pdannf-fd1139023-clientnsv4-s.akamaihd.net, el3lnwixzp4swx5buxna-pyccr1-f710a073b-clientnsv4-s.akamaihd.net, el3lnwky3wdkax5bsxbq-p3hn9l-a2a7437e4-clientnsv4-s.akamaihd.net, el3lnwky3wdkex5bt23a-pfcryk-8b7c1430e-clientnsv4-s.akamaihd.net, elzm742y3wdkex5bs4lq-p0p40d-3a2e745b5-clientnsv4-s.akamaihd.net, elzm742y3wdkex5bzofa-pqb527-96b6b1fc9-clientnsv4-s.akamaihd.net, elzm74yccuqvax5b2szq-pf5z0b-8e0fe713e-clientnsv4- s.akamaihd.net, elzm74yccuqvax5bs5nq-pt4puj-60e29ce0a-clientnsv4-s.akamaihd.net, elzm74yccuqvax5bzo4a-ptxi68-223a872ab-clientnsv4-s.akamaihd.net, elzm74yccuqwcp8b4b2t0a—clientnsv4-s. akamaihd.net, elzm74yccuqwcx5btaca-p2p13t-2edd5f4d6-clientnsv4-s.akamaihd.net, elzm74yccuqwcx5buakq-p7s1ie-7095e2510-clientnsv4-s.akamaihd.net, elzm74yccuqxax5b2o7q-partxm-0ba99e22d-clientnsv4-s.akamaihd.net, elzm74yccuqxax5bs6fa-pnivpg-c492934bb-clientnsv4- S.AkamaIhd.net, Elzm74yccuqxax5bt5qq-pcrjf9-bdc24fa26-clientnsv4-s.kamaihd.net, elzm74yccuqxax5bzp4q-pkl6rx-fb475a90e-clientnsv4-s.alcamahd.net, elzm7475a90e-clientnsv4-s.kamahihd.nel, elzm7475a90e-clientnsv4-s.kamamahd.nel6475a90e-clientnsv4-s.kamamaihd.-pient-pient-pient-s-p elzm74yxzp4swx5bs7cq-p4s4el-cd1a19887-clientnsv4-s.akamaihd.net, elzm74yxzp4swx5bt4ka-p0qvim-2e8a5e71e-clientnsv4-s.akamaihd.net, elzm74yxzp4swx5bt6hq-pzy1yp-35d9d01e0-clientnsv4-s.akamaihd.net, elzm74yxzp4swx5bt7mq-p1duy0-1060998fa-clientnsv4-s.akamaihd. net, elzm74yxzp4swx5bucja-p0twy9-19851792c-clientnsv4-s.akamaihd.net, elzm74yxzp4swx5bzqza-pn76ir-1c0c55ff7-clientnsv4-s.akamaihd.net, elzm74yxzp4swx5bzsda-pqodge-888ec876f-clientnsv4-s.akamaihd.net, g2nlvmqcchiscx5bva5a-pwotro-14b66ca5a-clientnsv4-s. akamaihd.net, g2nlvmqccuqvax5bs7hq-p4vzcl-ad59a5fd9-clientnsv4-s.akamaihd.net, g2nlvmqccuqxax5bsz6q-pm3a6a-3feb7d021-clientnsv4-s.akamaihd.net, g2nlvmqxzp4swx5bs5uq-pd12b9-62c8cb38d-clientnsv4-s.akamaihd.net, g2nlvmqxzp4swx5bt3va-p7puv0-d4fafcfea-clientnsv4-s.akamaihd. сеть, g2nlvmsy3wdkax5bs5zq-p675cj-d0b1fd299-clientnsv4-s.akamaihd.net, g33b4vqccuqvax5btwhq-pfp8ei-5c0ea4329-clientnsv4-s.akamaihd.net, g33b4vqccuqvax5btytq-pupet4-0083df35c-clientnsv4-s.akamaihd.net, g33b4vqccuqvax5btzpq-pr1f2f-01d5fb765-clientnsv4-s.akamaihd.net, g33b4vqccuqvax5bvzcq-phk9tj-828709858-clientnsv4-s.akamaihd.net, g33b4vqccuqvax5bw2bq-py1x2v-a7310f6e5-clientnsv4-s.akamaihd.net, g33b4vqccuqvax5bx3za-pge3ox-a91a32353-clientnsv4-s.akamaihd.net, g33b4vqccuqwcx5bu4na-pqdvvi-3aaa5c611-clientnsv4-s. akamaihd.net, g33b4vqccuqwcx5bwzaq-pvw5k6-d3e3dcd05-clientnsv4-s.akamaihd.net, g33b4vqccuqwcx5bx22q-p8kovq-e038e0c0c-clientnsv4-s.akamaihd.net, g33b4vqccuqxax5bstpa-p4rsfx-bd0382a30-clientnsv4-s.akamaihd.net, g33b4vqccuqxax5btyeq-poz8cc-9955b8a36-clientnsv4-s. akamaihd.net, g33b4vqxzp4swx5bu27q-pxv1vf-89db7a111-clientnsv4-s.akamaihd.net, g33b4vqxzp4swx5bv25q-pt8447-731cc407d-clientnsv4-s.akamaihd.net, g33b4vsy3wdkax5bswnq-plqmrf-ff7289811-clientnsv4-s.akamaihd.net, g33b4vsy3wdkex5bsuoq-p56ka1-9bf23f300-clientnsv4-s.akamaihd. сеть, gzfsozyccuqwcx5bs3dq-p2yzo8-69eb1f4d7-clientnsv4-s.akamaihd.net, gzfsozyccuqwcx5bs4qa-p299q7-a9521f4ee-clientnsv4-s.akamaihd.net, gzfsozyccuqwcx5bsyyq-pv69oz-aed1b09c6-clientnsv4-s.akamaihd.net, gzfsozyccuqwcx5bwfuq-pw4gfb-c2c42381f-clientnsv4- S.AkamaIhd.net, GZFSTPQCCUQVAX5BSSVQ-P0X8HM-7A3D7367F-CLIENTNSV4-S.KamaIHD.NET, GZFSTPQCCUQVAX5BSXSQ-P2OAJS-B2E67F00B-CLIENSV4-S.AkamaIHD.NET, GZFSTPS-B2E67F00B-CLIentNSV4-S.KamaIHD.NET, GZFST-PQUN-P-SHINBAX-P-SHINBAX-P-SHINBAX-P-SHINBAX-P-SHINBAX-P-57 gzfstpqccuqvax5bu2ia-p6uwyn-30e7a92df-clientnsv4-s.akamaihd.net, gzfstpqccuqwcx5bswqa-pplxq4-ee58ceb89-clientnsv4-s.akamaihd.net, gzfstpqccuqwcx5bu3mq-p6qff7-f4c4075e7-clientnsv4-s.akamaihd.net, gzfstpqccuqwcx5buz4q-pbk4m8-d20c90e54-clientnsv4-s. akamaihd. сеть, gzfstpqccuqxax5bt4ka-p3fi1s-1fcad7cd5-clientnsv4-s.akamaihd.net, gzfstpqxzp4swx5bsttq-p683qt-2c3f6e21e-clientnsv4-s.akamaihd.net, gzfstpqxzp4swx5bsu5q-damaihd.sakientf-3b5424 gzfstpqxzp4swx5bsvra-ps8whv-800c4ca06-clientnsv4-s.akamaihd.net, gzfstpqxzp4swx5bt2ka-p3owfu-9bef421db-clientnsv4-s.akamaihd.net, gzfstpqxzp4swx5btynq-p80cg4-5fbda6ae3-clientnsv4-s.akamaihd.net, gzfstpsy3wdkax5btvta-pc4hb3-c24fbde0b-clientnsv4-s.akamaihd.s.net, i03fd9f40 i03fa4400-ds-aksb-a.akamaihd.net, i03faac00-ds-aksb-a.akamaihd.net, i03fae300-ds-aksb-a.akamaihd.net, i03fb4f00-ds-aksb-a.akamaihd.net, i22f29600- ds-aksb-a.akamaihd.net, i22f44600-ds-aksb-a.akamaihd.net, i22f47c00-ds-aksb-a.akamaihd.net, i22f4a100-ds-aksb-a.akamaihd.net, i22f55c00-ds-aksb-a.akamaihd.net, i22f5ca00- ds-aksb-a.akamaihd.net, i22f6b100-ds-aksb-a.akamaihd.net, i22f7bf00-ds-aksb-a.akamaihd.net, i22fdb800-ds-aksb-a.akamaihd.net, i22fdd700-ds- aksb-a.akamaihd.net, i3430c200-ds-aksb-a.akamaihd.net, i34d04400-ds-aksb-a.akamaihd. net, i34d71700-ds-aksb-a.akamaihd.net, i36486200-ds-aksb- a.akamaihd.net, i364b2700-ds-aksb-a.akamaihd.net, i369aba00-ds-aksb-a.akamaihd.net, i36d85900-ds-aksb-a.akamaihd.net, i36d86800-ds-aksb-a.akamaihd.net, i36e56b00-ds-aksb-a.akamaihd.net, i36f61e00- ds-aksb-a.akamaihd.net, i36f6c000-ds-aksb-a.akamaihd.net, i3f23f800-ds-aksb-a.akamaihd.net, ib0225600-ds-aksb-a.akamaihd.net, s.go- mpulse.net, пробная-eum-clientnsv4-s.akamaihd.net, пробная-eum-clienttons-s.akamaihd.net, warfnl2y3wdkex5buhra-pvnsej-42dd2535b-clientnsv4-s.akamaihd.net, warfnlyccuqvax5bvjta-pivu9l-324052216-clientnsv4-s.akamaihd.net, warfnlyccuqxax5bwjua-pt5xj8-63e5f59c4-clientnsv4-s.akamaihd.net, warfnlyxzp4swx5bugca-p9ihiy-2a56daf9f-clientnsv4-s.akamaihd.net, warfnlyxzp4swx5buiqq-p5eemy-20706e9d7-clientnsv4-s.akamaihd.net Для обеспечения оптимизированного качества изображения и повышения скорости загрузки страницы	Для обеспечения оптимизированного качества изображения и повышения скорости загрузки страницы
Amazon (Облачный фронт)	Amazon (облачный фронт) d15mv1adrb1s6e. cloudfront.net, d1vp9jkpfdwr15.cloudfront.net, d25jv1xpupcva6.cloudfront.net, d2cmqkwo8rxlr9Для ускорения например, изображения, таблицы стилей, JavaScript и т. д.) для зрителей по всему миру	Чтобы ускорить доставку вашего статического контента (например, изображений, таблиц стилей, JavaScript и т. д.) зрителям по всему миру
Брайтков	admin.brightcove.com, metrics.brightcove.com, player.brightcove.net, sadmin.brightcove.com, vjs.zencdn.net	Для поддержки потокового видео

Рекламные файлы cookie

Эти файлы cookie собирают информацию о привычках вашего браузера. Они помнят, что вы посещали наш веб-сайт, и делятся этой информацией с другими организациями, такими как рекламодатели.

рекламные файлы cookie
Печенье	Домен
Facebook	atdmt.com, connect.facebook. Навигация по записям D link интернет: D-Link Главная Ошибка при инсталляции wp800io sys: Как работать с winpic800 Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Найти: Рубрики IT ликбез Заметки айтишника Настройка Настройка коммуникаций Обзоры Программы Сборка ПК Технологии Разное Все права защищены, 2019 Карта сайта

Расшифровка номеров по каталогу модулей памяти Kingston®

Глоссарий

Емкость

CAS-латентность

DDR4

DDR5

Тип памяти DIMM

Гигабит (Гбит)

Гигабайт (ГБ)

Комплект

Скорость (так же называемая частотой)

Ранг

Канал памяти

Латентность (тайминг)

Пример

Анатомия RAM / Хабр

Зачем же ты, RAM-ео?

Скальпель. Зажим. Электронный микроскоп.

Выше по рангу

Жажда скорости

Скорость битов

Спасибо за службу, RAM!

Изображения и описания — типы модулей памяти

| ДРАМ | Samsung Semiconductor Global

Основные файлы cookie

Аналитические или эксплуатационные файлы cookie

Функциональные файлы cookie

Рекламные файлы cookie

Добавить комментарий Отменить ответ